WS4612:60mΩ电流限制型电源分配开关
产品描述
WS4612是一款具有高侧开关和极低导通电阻的P-MOSFET。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。此外,WS4612还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L两种封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
· 输入电压范围:2.5-5.5V
· 主开关RON:60mΩ@VIN=5.0V
· 电流限制精度:±15%
· 调整电流限制范围:0.1A-2.5A(典型值)
· 典型上升时间:600μS
· 静态供电电流:26μA
· 欠压锁定
· 自动放电
· 反向阻断(无“体二极管”)
· 过温保护
应用领域
· USB外设
· USB Dongle
· USB 3G数据卡
· 3.3V或5V电源开关
· 3.3V或5V电源分配
WS4612是功能丰富的电源分配开关,专为现代电子设备电源管理和保护设计。极低导通电阻和集成电流限制功能,应对高电容负载和短路情况。反向保护和自动放电功能增强安全性。适用于USB外设、数据卡和电源分配,确保设备稳定运行。紧凑封装,环保无铅无卤素设计,易集成。详情查阅数据手册或联系我们。 WPM2019-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-523-3。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56181W18
RB521S30肖特基势垒二极管
特性:小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件
应用:低电流整流
介绍:
RB521S30是一款肖特基势垒二极管,它具有一系列出色的特性,使其在各种应用中表现优异。首先,其小型表面贴装类型使得它在空间受限的环境中也能轻松安装,同时确保了高效的热量散发。其次,高可靠性确保了器件在长时间使用下仍能保持稳定的性能,减少了维护和更换的频率。
此外,低正向电压是肖特基势垒二极管的一个关键特性,它允许在较低的电压下实现高效的整流功能。这一特性使得RB521S30在需要低电流整流的场合中表现出色,如某些电子设备中的电源管理部分。
值得注意的是,RB521S30是无铅器件,符合现代环保标准。随着全球对环保意识的日益增强,无铅器件已成为许多行业的首要选择。这使得RB521S30在追求高性能的同时,也符合了环保要求。
总的来说,RB521S30肖特基势垒二极管以其小型化、高可靠性、低正向电压和无铅环保等特性,成为低电流整流应用中的理想选择。无论是电子设备制造商还是电路设计工程师,都能从中受益。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WD3136EWAS3157B-6/TR 模拟开关/多路复用器 封装:SOT-363。
ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电(ESD)引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极管,旨在提供优异的ESD保护。
特性:
· 截止电压:5V
· 根据IEC61000-4-2标准的每线瞬态保护:±20kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-4标准的EFT保护:40A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护:4A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)
· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位电压:VCL=14V(典型值)@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便携式电子产品
· 笔记本电脑
ESD5304D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护接口免受静电放电和其他瞬态事件损害。利用先进固态硅技术,结合极低电容转向二极管和TVS二极管,提供优异保护。能承受±20kV接触放电和其他瞬态事件。极低电容和漏电流不影响数据传输。适用于USB、HDMI、SATA等接口,是电子设备中的关键保护组件。小巧封装且环保,易于集成。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。
RB521C30:肖特基势垒二极管
· 重复峰值反向电压 VRM 30 V
· 直流反向电压 VR 30 V
· 平均整流正向电流 IO 100 mA
产品特性:
100mA平均整流正向电流:RB521C30具有出色的电流处理能力,能够处理高达100mA的平均整流正向电流,使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。
低正向电压:肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点,这意味着在正向偏置条件下,它需要的电压较低,从而降低了功耗。
低漏电流:RB521C30的漏电流非常低,这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。
小型SOD-923封装:这款二极管采用紧凑的SOD-923封装,使其适合在空间受限的应用中使用,如便携式设备和小型电路板。
应用领域:
RB521C30肖特基势垒二极管特别适合用于低电流整流应用。在电路中,它能够将交流信号转换为直流信号,这对于许多电子设备来说都是至关重要的。由于其低正向电压和低漏电流的特性,它特别适用于需要高效能和低功耗的场合,如电池供电的设备或需要长时间运行的系统。此外,其紧凑的封装形式也使得它成为空间受限应用的理想选择。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD56201D12-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD) 封装:DFN1610-2。
WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管,采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。
主要特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 优异的开启电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器电路
· 便携式设备的负载/电源切换
WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术,提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备,且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2836E08-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56181W18
WL2803E30-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56181W18
WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于极小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。
其主要特性包括:
· 沟槽技术
· 超高密度的单元设计
· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流
· 小型SOT-23-3L封装
应用领域包括:
· 笔记本电脑的电源管理
· 便携式设备
· 电池供电系统
· DC/DC转换器
· 负载开关
WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56181W18
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