当三极管满足必要的工作条件后，其工作原理如下：(1)基极有电流流动时。由于B极和E极之间有正向电压，所以电子从发射极向基极移动，又因为C极和E极间施加了反向电压，因此，从发射极向基极移动的电子，在高电压的作用下，通过基极进入集电极。于是，在基极所加的正电压的作用下，发射极的大量电子被输送到集电极，产生很大的集电极电流。（2）基极无电流流动时。在B极和E极之间不能施加电压的状态时，由于C极和E极间施加了反向电压，所以集电极的电子受电源正电压吸引而在C极和E极之间产生空间电荷区，阻碍了从发射极向集电极的电子流动，因而就没有集电极电流产生。综上所述，在晶体三极管中很小的基极电流可以导致很大的集电极电流，这就是三极管的电流放大作用。此外，三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止，这就是三极管的开关作用（开关特性）。晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。三极管品牌企业
三极管是一种控制元件，三极管的作用非常的大，可以说没有三极管的发明就没有现代信息社会的如此多样化，电子管是他的前身，但是电子管体积大耗电量巨大，现在已经被淘汰。三极管主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大。反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。凯轩业三极管品牌企业电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。
一、半导体二极管1、英文缩写：D(Diode)，电路符号是2、半导体二极管的分类分类：a按材质分：硅二极管和锗二极管；b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的半导体二极管。4、半导体二极管的导通电压是:a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.5、半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。7、半导体二极管的识别方法：
特殊二极管稳压二极管是利用二极管反向击穿后伏安关系特别垂直的特性工作，即击穿后电压有微小的增加时，击穿电流增加巨大这一特性，使得当电路中电流有波动时，稳压管两端的电压基本不变。稳压管是否被反向击穿，可以借用二极管是否导通的方法来判断，即先断开稳压管，然后看两个断点之间的电压是否满足反向电压，且数值大于击穿电压。若反向且大于击穿电压，则接入稳压管后稳压管反向击穿，两点之间电压变为稳压值。但是这种方法有个问题就是击穿后的电流可能非常大，超过了稳压管的承受能力，时间一长将烧坏稳压管。使用稳压管时不但要考虑其被反向击穿，还要考虑能否长期安全工作。所以还需要判断其工作电流是否在稳压管的安全电流范围。具体方法是先假设稳压管被反向击穿，然后计算其电流，判断是否处于这个安全范围。若是，则假设成立，不但被反向击穿而且可长期工作。否则为未被反向击穿或电流过大损坏。FET只由一种载流子（多数载流子）参与导电，因此也称为单极型晶体管。
一：二极管的分类1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。2、根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。2）检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。深圳市凯轩业科技是一家专业晶体管方案设计公司，欢迎新老客户来电！三极管品牌企业
测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:。三极管品牌企业
在三极管be之间增加偏置电阻，测量Vce击穿电压下图中给出了Rbe分别去2k,51k,100k的情况下，C、E的电压电流曲线。可以看到C、E的击穿电压位于Vceo与Vcbo之间。所以在正常设计三极管电路的时候，需要根据等效的Rbe数值来对三极管的耐压余量进行选择。在不同的Rbe的阻值下，Vce的击穿电压曲线由于三极管的发射区掺杂浓度很高，B、E之间的反向击穿电压往往小于10V。因此，在使用三极管的时候，如果错把集电极和发射极弄混，除了会引起电流放大倍数的下降之外，因为Vebo,Vceo的差异，电路中的三极管的也会被击穿。和二极管一样，半导体器件的参数往往离散型很大。下面是两个不同批次的S8050的Vceb的耐压曲线。反向击穿电压相差30%左右。两个不同批次的S8050Vceo的电压三极管品牌企业
