企业商机
集成电路基本参数
  • 品牌
  • 亚德诺,凌特,SCT芯洲
  • 型号
  • SCT2650STER/SCT2620MRER
  • 类型
  • 化合物半导体材料,元素半导体材料
  • 材质
集成电路企业商机

    本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的,并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且,为便于描述。在此可以使用诸如“且,为便于描述,在此可以使用诸如个实施例和和布置的具体实例等空间相对术语,以描述所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外,空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其它方式定向(旋转度或在其它方位上),而本文使用的空间相对描述符可以同样地做出相应的解释。磁阻式随机存取存储器(mram)单元包括垂直布置在导电电极之间的磁隧道结(mtj)。mtj包括通过隧穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。固定层的磁取向是静态的(即,固定的)。集成电路哪家质量过关?认准深圳美信美科技有限公司。北京模拟集成电路引脚

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    在互连层a的上表面上方形成多个底电极通孔。多个底电极通孔由介电层围绕。在一些实施例中,介电层可以沉积在互连层a上方,并且然后选择性地被图案化以限定底电极通孔开口。然后通过在底电极通孔开口内的沉积工艺形成多个底电极通孔。在各个实施例中,介电层可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一种或多种。在各个实施例中,多个底电极通孔可以包括导电材料,诸如钛、氮化钛、钽等。在多个底电极通孔上方形成多个mtj器件、和。多个mtj器件、和分别包括mtj,mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中,固定层可以形成为接触底电极通孔。在其它实施例中。自由层可以形成为接触底电极通孔。多个mtj器件、和中的一个包括被配置为存储数据状态的工作mtj器件。多个mtj器件、和中的一个或多个包括设置在调节访问装置内的调节mtj器件和,调节访问装置被配置为控制(即,调节)提供给相关的工作mtj器件的电流。在一些实施例中,可以同时形成多个mtj器件、和。例如,在一些实施例中,可以通过在介电层和多个底电极通孔上方沉积磁固定膜。在磁固定膜上方形成介电阻挡膜,并且在介电阻挡膜上方形成磁自由膜来形成多个mtj器件、和。中规模集成电路公司深圳美信美集成电路质量好。

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    内的调节mtj器件。然而,电流i的两倍小于切换电流isw,使得没有将数据状态写入至存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件。图c示出了示出从工作mtj器件读取数据状态的读取操作的示意图的一些实施例。如示意图所示,通过将非零偏置电压v(例如,v)施加至字线wl,对存储单元a,内的工作mtj器件实施读取操作。非零偏置电压v将使得读取电流ir通过存储单元a,内的工作mtj器件。通过工作mtj器件的读取电流ir具有取决于工作mtj器件的电阻状态的值。例如,工作mtj器件处于低电阻状态(例如,存储逻辑“”)时的读取电流ir将大于工作mtj器件处于高电阻状态(例如,存储逻辑“”)的读取电流ir。在一些实施例中,位线解码器可以包括多路复用器,多路复用器被配置为确定存储器阵列的期望输出。多路复用器被配置为将来自存储单元a,内的工作mtj器件的读取电流ir选择性地提供给感测放大器,感测放大器被配置为比较ir与由电流源产生的参考电流iref,以确定存储在存储单元a,内的工作mtj器件中的数据状态。图a示出了对应于图的存储器阵列的集成芯片的一些实施例的截面图。集成芯片包括布置在衬底上方的介电结构。介电结构围绕存储单元a,和存储单元b,,存储单元b,邻近于存储单元a,横向定位。

    在一些这样的实施例中。存储器阵列内的存储单元可以在相同的互连层上彼此横向邻近布置。应当理解,图a至图b所示的集成芯片和可以实现图的存储器阵列的集成芯片的两个非限制性实施例,并且可以在可选实施例中使用其它实施方式。在一些实施例中,调节访问装置内的调节mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它实施例中,调节访问装置内的调节mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或与工作mtj器件不同的尺寸。例如,图a示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图,该调节访问装置包括具有不同尺寸的调节器件。存储器电路包括多个存储单元a。至c,,每个存储单元分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件和被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。调节访问装置包括连接至mtj器件的同一层的调节mtj器件和调节mtj器件。调节mtj器件连接在字线(例如,wl)和工作mtj器件之间,而调节mtj器件连接在字线(例如,wl)和工作mtj器件之间。工作mtj器件进一步连接至位线(例如,bl)。图b示出了对应于图a的存储器电路的集成电路的一些实施例的截面图。如截面图所示,调节mtj器件具有尺寸(例如。宽度w),并且调节mtj器件具有与尺寸不同的尺寸(例如,宽度w)。集成电路产业还甚至延伸至设备、材料市场。

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    凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。mram单元)的尺寸,因为该尺寸不再取决于驱动晶体管的尺寸。出了具有调节访问装置的存储器电路的一些实施例的示意图,该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。存储器电路包括具有多个存储单元a,至b,的存储器阵列。多个存储单元a,至b,以行和/或列布置在存储器阵列内。例如,行存储单元包括存储单元a,和a,,而列存储单元包括存储单元a,和b,。在一些实施例中,多个存储单元a,至b,可以包括多个mram单元。多个存储单元a,至b,(例如,mram单元)分别包括连接至调节访问装置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道结(mtj),磁隧道结(mtj)具有通过介电遂穿阻挡层a与自由层a分隔开的固定层a。固定层a具有固定的磁向,而自由层a具有可以在操作期间(通过隧道磁阻(tmr)效应)改变为相对于固定层a的磁向平行(即,“p”状态)或反向平行(即,“ap”状态)的磁向。靠谱集成电路供应商,美信美科技就是牛。长春扁平形集成电路

我国的集成电路产业起步较晚,因此发展集成电路显得越来越重要。北京模拟集成电路引脚

    深圳市美信美科技有限公司于年月日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本申请涉及一种集成电路封装结构,尤其是集成电路的小型化与高功率密度化的封装结构。背景技术:集成电路在满足摩尔定律的基础上尺寸越做越小。尺寸越小,技术进步越困难。而设备的智能化,小型化,功率密度的程度越来越高,为解决设备小型化,智能化,超高功率密度这些问题,不但需要提升各种功能的管芯的功能,效率,缩小其面积,体积;还需要在封装技术层面上完成小型化,集成化,高功率密度化等技术要求,并解决由此带来的集成电路的散热问题,生产工艺复杂,生产周期长,生产成本高等问题。现有很多集成电路封装结构,有沿用常规的封装方式,采用框架安装各种管芯,采用线材键合作电气联结,在功率较大时,常常采用较粗的键合线和较多的键合线。此类封装方式有比如ipm模组的dip封装,单颗mosfet的to封装等,此类封装体积通常都比较大。不适宜小型化应用。北京模拟集成电路引脚

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