v)施加至字线wl,对存储单元a,内的工作mtj器件实施读取操作。非零偏置电压v将使得读取电流ir通过存储单元a,内的工作mtj器件。通过工作mtj器件的读取电流ir具有取决于工作mtj器件的电阻状态的值。例如,工作mtj器件处于低电阻状态(例如,存储逻辑“”)时的读取电流ir将大于工作mtj器件处于高电阻状态(例如,存储逻辑“”)的读取电流ir。在一些实施例中,位线解码器可以包括多路复用器,多路复用器被配置为确定存储器阵列的期望输出。多路复用器被配置为将来自存储单元a,内的工作mtj器件的读取电流ir选择性地提供给感测放大器。感测放大器被配置为比较ir与由电流源产生的参考电流iref,以确定存储在存储单元a,内的工作mtj器件中的数据状态。图a示出了对应于图的存储器阵列的集成芯片的一些实施例的截面图。集成芯片包括布置在衬底上方的介电结构。介电结构围绕存储单元a,和存储单元b,,存储单元b,邻近于存储单元a,横向定位。介电结构还围绕多个导电互连层a至c。在一些实施例中,介电结构可以包括多个堆叠的ild层。在各个实施例中,多个堆叠的ild层可以包括氧化硅、氟掺杂的氧化硅、碳掺杂的氧化硅等的一种或多种。在各个实施例中。深圳美信美集成电路测试好。成都超大规模集成电路IC
该调节访问装置包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节mtj器件。存储器电路包括存储器阵列,存储器阵列具有以行和列布置的多个存储单元a,至c,(例如,mram单元)。多个存储单元a。至c,分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件和通过调节提供给工作mtj器件的电流而选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。在一些实施例中,调节访问装置包括连接至工作mtj器件的同一层的调节mtj器件和调节mtj器件。例如,调节mtj器件和调节mtj器件可以都连接至工作mtj器件的固定层。在一些实施例中,调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wlx之间(x=,,)。并且调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wly(y=,,)之间。例如,在存储单元a,中,调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wl之间,而调节mtj器件连接在工作mtj器件和字线wl之间。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括mtj,mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中,固定层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)、镍(ni)、钌(ru)、铱(ir)、铂(pt)等。在一些实施例中,介电遂穿阻挡层可以包括氧化镁(mgo)、氧化铝(alo)等。在一些实施例中,自由层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)等。在操作期间。江苏中规模集成电路企业深圳美信美集成电路品质棒棒的。
图至图中公开的结构不限于这种方法,而且可以作为于该方法的结构而单独存在。的截面图所示,在衬底上方形成互连层a。在一些实施例中,通过在衬底上方形成层间介电(ild)层来形成互连层a。在一些实施例中,ild层可以通过一个或多个附加介电层与衬底分隔开。图案化ild层以限定沟槽。在一些实施例中,可以通过在ild层上方形成图案化的掩模层(未示出)并且实施蚀刻工艺来去除ild层的未由图案化的掩模层覆盖的各部分来图案化ild层。在沟槽内形成导电材料,以及随后是平坦化工艺(例如。化学机械平坦化工艺)以形成互连层a。在各个实施例中,衬底可以是任何类型的半导体主体(例如。硅、sige、soi等),诸如半导体晶圆和/或晶圆上的一个或多个管芯,以及任何与其相关的其它类型的半导体和/或外延层。在一些实施例中,ild层可以包括一种或多种介电材料,诸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如,硼磷硅酸盐玻璃)等。在一些实施例中,导电材料可以包括通过沉积工艺(例如,cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金属(例如,钨、铝等)。在各个实施例中,互连层a可以是互连线层、互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。的截面图所示。
mram单元)的尺寸,因为该尺寸不再取决于驱动晶体管的尺寸。出了具有调节访问装置的存储器电路的一些实施例的示意图,该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。存储器电路包括具有多个存储单元a,至b,的存储器阵列。多个存储单元a,至b,以行和/或列布置在存储器阵列内。例如,行存储单元包括存储单元a,和a,,而列存储单元包括存储单元a,和b,。在一些实施例中,多个存储单元a,至b,可以包括多个mram单元。多个存储单元a,至b,(例如,mram单元)分别包括连接至调节访问装置的工作mtj器件。工作mtj器件包括磁隧道结(mtj),磁隧道结(mtj)具有通过介电遂穿阻挡层a与自由层a分隔开的固定层a。固定层a具有固定的磁向,而自由层a具有可以在操作期间(通过隧道磁阻(tmr)效应)改变为相对于固定层a的磁向平行(即,“p”状态)或反向平行(即,“ap”状态)的磁向。固定层a和自由层a的磁向之间的关系限定了mtj的电阻状态,并且从而使得多个存储单元a,至b,能够分别存储数据状态,数据状态具有基于存储单元内的工作mtj器件的电阻的值。例如,如果工作mtj器件a,具有低电阻状态,则存储单元a,将存储位值(例如,逻辑“”),或者如果工作mtj器件a,具有高电阻状态,则存储单元a,将存储位值。靠谱集成电路,找深圳美信美科技帮你解决。
图a至图b示出了包括存储器电路的集成芯片的一些额外实施例,该存储器电路具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。图a示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图,调节访问装置包括调节mtj器件、调节mtj器件和第三调节mtj器件。调节mtj器件连接在字线(例如,wl)和偏置电压线(例如,bvl)之间,调节mtj器件连接在字线(例如,wl)和偏置电压线(例如,bvl)之间,第三调节mtj器件连接在偏置电压线(例如,bvl)和工作mtj器件之间。工作mtj器件连接在第三调节mtj器件和位线(例如,bl)之间。包含第三调节mtj器件在产生不同的电阻来控制相关的工作mtj器件内的电流方面赋予调节访问装置更大的灵活性。图b示出了对应于图a的存储器电路的集成电路的一些实施例的截面图。虽然关于具有调节mtj器件的调节访问装置描述了图至图b中示出的操作和/或装置,但是应该理解,公开的存储单元不限于这样的实施例。而且,在可选实施例中,图至图b的操作和/或装置可以实施和/或包括具有调节薄膜电阻器(例如,包括钽、氮化钽、钛、钨等)的调节访问装置。图至出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的截面图至,该存储器电路包括存储单元(例如。靠谱的深圳市美信美科技有限公司,只做原装进口集成电路。常州专业控制集成电路排名
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该方法包括在衬底上方形成互连层;在互连层正上方形成多个mtj器件,多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件,调节mtj器件被配置为选择性地控制流至工作mtj器件的电流;以及在多个mtj器件上方形成互连层,互连层和互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。在一些实施例中,一个或多个调节mtj器件分别包括固定层、自由层和设置在固定层和自由层之间的介电阻挡层。在一些实施例中,该方法还包括同时形成工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。上面概述了若干实施例的特征。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。成都超大规模集成电路IC