真空镀膜：物理的气相沉积技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术，物理的气相沉积是主要的表面处理技术之一。PVD(物理的气相沉积)镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。物理的气相沉积的主要方法有：真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜和分子束外延等。相应的真空镀膜设备包括真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。浙江真空镀膜仪
真空镀膜：在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。真空镀膜技术初现于20世纪30年代，四五十年代开始出现工业应用，工业化大规模生产开始于20世纪80年代，在电子、宇航、包装、装潢、烫金印刷等工业中取得普遍的应用。真空镀膜是指在真空环境下，将某种金属或金属化合物以气相的形式沉积到材料表面（通常是非金属材料），属于物理的气相沉积工艺。因为镀层常为金属薄膜，故也称真空金属化。温州来料真空镀膜只要镀上一层真空镀膜，就能使材料具有许多新的、良好的物理和化学性能。
真空镀膜：等离子体增强化学气相沉积：在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法。等离子体增强化学气相沉积是：在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。
真空镀膜：技术优点：镀层附着性能好：普通真空镀膜时，在工件表面与镀层之间几乎没有连接的过渡层，好似截然分开。而离子镀时，离子高速轰击工件时，能够穿透工件表面，形成一种注入基体很深的扩散层，离子镀的界面扩散深度可达四至五微米，对离子镀后的试件作拉伸试验表明，一直拉到快要断裂时，镀层仍随基体金属一起塑性延伸，无起皮或剥落现象发生,可见附着多么牢固，膜层均匀，致密。绕镀能力强：离子镀时，蒸发料粒子是以带电离子的形式在电场中沿着电力线方向运动，因而凡是有电场存在的部位，均能获得良好镀层，这比普通真空镀膜只能在直射方向上获得镀层优越得多。因此，这种方法非常适合于镀复零件上的内孔、凹槽和窄缝。等其他方法难镀的部位。用普通真空镀膜只能镀直射表面，蒸发料粒子尤如攀登云梯一样，只能顺梯而上；而离子镀则能均匀地绕镀到零件的背面和内孔中，带电离子则好比坐上了直升飞机，能够沿着规定的航线飞抵其活动半径范围内的任何地方。真空镀膜镀料离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞以及高压电场后，高速冲向工件。
磁控溅射还可用于不同金属合金的共溅射，同时使用多个靶电源和不同靶材，例如TiW合金，通过单独调整Ti、W的溅射速率，同时开始溅射2种材料，则在衬底上可以形成Ti/W合计，对不同材料的速率进行调节，即能满足不同组分的要求.磁控溅射由于其内部电场的存在，还可在衬底端引入一个负偏压，使溅射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控溅射常用来沉积TSV结构的阻挡层和种子层，通过对相关参数的调整和引入负偏压，可以实现高深宽比的薄膜溅射，且深孔内壁薄膜连续和良好的均匀性真空镀膜的操作规程：工作完毕应断电、断水。浙江真空镀膜仪
化学气相沉积是真空镀膜技术的一种。浙江真空镀膜仪
真空镀膜：真空蒸发镀膜法：真空蒸发法的原理是：在真空条件下，用蒸发源加热蒸发材料，使之蒸发或升华进入气相，气相粒子流直接射向基片上沉积或结晶形成固态薄膜；由于环境是真空，因此，无论是金属还是非金属，在这种情况下蒸发要比常压下容易得多。真空蒸发镀膜是发展较早的镀膜技术，其特点是：设备相对简单，沉积速率快，膜层纯度高，制膜材料及被镀件材料范围很广，镀膜过程可以实现连续化，应用相当普遍。按蒸发源的不同，主要分为：电阻加热蒸发、电子束蒸发、电弧蒸发和激光蒸发等。浙江真空镀膜仪
