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    步骤s：热退火使所述若干沟槽变形后相互连通形成一空腔，且所述硅片在空腔上方连接起来，将所述空腔封闭。对开设有沟槽的硅片进行适当的热处理，当硅片被加热到一定温度时，硅原子的振动能较大，导致原子的移动能加强，硅原子会发生迁移。由于硅片上开设有沟槽，且沟槽侧壁的间距较小，当硅原子迁移运动达到一定程度时，硅原子会进入沟槽内，硅片内部的沟槽会发生形变，沟槽上部被硅封闭，若干沟槽中间部位相互连通，形成一空腔(如图b所示)。即空腔处于硅片的中间，空腔的上部和下部均具有硅结构，上下硅结构被空腔隔离开。在一实施例中，热退火的温度可为℃。改变沟槽的间距，可以得到不同形态的空腔，且间距越大，所需的退火温度就越高，但是退火的持续时间不超过min。在本实施例中，沟槽阵列中沟槽之间的间距大于内部沟槽的间距，如此可以避免在空腔边缘处形成缺口。同时，热退火需要在一隔离环境中进行，如真空环境或者惰性气体环境，保证在热退火过程中硅不会与环境中的物质发生化学反应。在本实施例中。热退火在氢气环境中进行。步骤s：氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜。通过热氧化工艺氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜(如图c所示)。在℃～℃的高温环境中。深圳市美信美科技有限公司，你的好的温度传感器供应商。大规模温度传感器哪家公司大

    在所述金属铂层外侧两端各淀积一层第二金属层，用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中，在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为：在所述氧化硅薄膜上淀积一层多晶硅层，所述多晶硅层包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条；在所述多晶硅上淀积第三金属层，所述第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构，所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述金属结构串联，所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层外侧两端的第二金属结构，用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中，所述制备方法还包括：在所述金属层上形成钝化层，并在所述钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。本发明还公开了一种温度传感器，包括：基底，所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜，所述硅片与所述氧化硅薄膜之间形成有空腔；和测温单元，所述测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述测温单元用于感测环境温度。上述温度传感器，由于其基底中氧化硅薄膜与硅之间形成有空腔，空腔下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果，因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉，从而缩短产品制备的时间，且节约了成本。由于基底隔热效果较好。徐州小规模温度传感器封装现货商深圳市美信美科技有限公司，只做原装进口温度传感器。

    如图c所示，基底包括硅片和氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔。测温单元是温度传感器的工作单元，温度传感器通过该测温单元感知温度后形成电信号并输出，在本方案中，测温单元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一实施例中，测温单元为一热电阻传感结构，包括：金属层，金属层为金属铂层，金属铂层呈连续弓字形结构；和第二金属层，位于金属铂层外侧两端，用于引出温度传感器的输出端子。如图和图所示，氧化硅薄膜上淀积有一层金属层，该金属层为金属铂层，即热电阻传感结构选用铂热电阻。在另一实施例中，也可选用其他电阻温度系数较高的材料如镍、铁等。为减小温度传感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大铂热电阻的接触面积，铂热电阻呈连续弓字形结构(如图所示)。金属铂层外侧两端淀积有一层第二金属层。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。该第二金属层可为金属铝层。

    再在高温环境下进行退火，由于高温环境下硅原子会发生迁移，硅原子发生迁移后硅片内部的结构会发生改变，之前的若干沟槽会相互连通以在硅片内部形成一空腔结构。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜上淀积测温材料形成测温单元，测温单元用于感测环境温度，从而得到温度传感器。通过本方案得到的温度传感器，其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅，即氧化硅薄膜和硅通过空腔隔开，基底下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果，因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉，从而缩短产品制备的时间，且节约了成本。在其中一个实施例中，所述沟槽的宽度范围为μm～μm，所述沟槽的深度范围为μm～μm，所述相邻沟槽之间的间隔范围为μm～μm。在其中一个实施例中，所述热退火具体为在氢气环境中热退火，所述热退火的温度为℃。在其中一个实施例中，在得到所述氧化硅薄膜后还包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜。在其中一个实施例中，在所述氧化硅薄膜上形成测温单元具体为：在所述氧化硅薄膜上淀积一层金属层，所述金属层为金属铂层，所述金属铂层呈连续弓字形结构。纯原无拆封的温度传感器，只找深圳美信美科技。

    之前的若干沟槽会相互连通以在硅片内部形成一空腔结构。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构，所述n型多晶硅条和p型多晶硅条通过所述金属结构串联，所述第三金属层还包括位于所述多晶硅层外侧两端的第二金属结构，用于引出所述温度传感器的输出端子。在其中一个实施例中，所述制备方法还包括：在所述金属层上形成钝化层，并在所述钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。还公开了一种温度传感器，包括：基底，所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜。所述硅片与所述氧化硅薄膜之间形成有空腔；和测温单元，所述测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述测温单元用于感测环境温度。上述温度传感器，由于其基底中氧化硅薄膜与硅之间形成有空腔，空腔下部的硅不会影响上部氧化硅的隔热效果，因此无需通过刻蚀工艺将基底下部的硅刻蚀掉，从而缩短产品制备的时间，且节约了成本。由于基底隔热效果较好。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR。温度传感器哪家靠谱？深圳美信美科技有限公司。南京智诚温度传感器哪家公司大

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    利用金属铂在温度变化时自身电阻值也会随着温度改变的特性来测量温度，温度传感器的输出端子与显示仪表连接，显示仪表会显示受温度影响得到的铂电阻对应的温度值。通常，形成测温单元还包括钝化步骤，即，步骤s133：在金属层上形成钝化层，并在钝化层上对应所述温度传感器引出输出端子处设有通孔。因上述热电阻传感器中上层有金属结构如金属铝和金属铂，对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层，其上还形成一层钝化层，可对金属层进行保护。同时，需要在对应温度传感器引出端子处开设通孔，通过通孔可引出输出端子。在本实施例中，是在两端的金属铝上方的钝化层开设通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层，也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。在一实施例中，测温单元为一热电偶传感结构，其具体形成过程为：步骤s134：在所述氧化硅薄膜上淀积一层多晶硅层，所述多晶硅层包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条。如图5和图6所示，在氧化硅薄膜23上淀积一层多晶硅层50，该多晶硅层50包括并排且间隔设置的n型多晶硅条51和p型多晶硅条52。n型多晶硅可为在多晶硅内部掺杂ⅴ族元素形成导电类型为n型的多晶硅，且其内部掺杂均匀。大规模温度传感器哪家公司大