二极管的主要原理是利用PN结的单向导电性。在PN结上加上引线并封装就成为二极管。晶体二极管是由P型半导体和N型半导体形成的PN结。界面两侧形成空间电荷层并建立自建电场。当没有外加电压时，PN结两侧载流子浓度差引起的扩散电流与自建电场引起的漂移电流相等，处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外部电场与自建电场的相互抑制作用使载流子的扩散电流增大，产生正向电流。当外界有反向电压偏压时，外部电场和自建电场进一步加强，在一定的反向电压范围内形成与反向偏压电压值无关的反向饱和电流。当施加的反向电压达到一定水平时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值，引起载流子倍增过程，产生大量电子空穴对，产生很大的反向击穿电流。，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿。变容二极管目前用量不是很大。常州晶导微二极管原装现货
TVS管是一种高效保护元器件，当两端受到瞬间高能量冲击时，TVS管能瞬间将其高阻特性转变为低阻特性，吸收大电流，降低两端电压。 TVS管两端，钳位在一定值（TVS管的耐压值），这样可以保护后续电路免受瞬态高能量冲击，保护电路安全。TVS广泛应用于各种电子设备中，例如 计算机、通讯设备、汽车电子、工业控制等领域，在这些设备中，TVS可以有效保护电路免受雷击、静电放电、电源波动等瞬态电压干扰，从而提高设备的可靠性和稳定性、安全性。徐州国产二极管批发二极管的电流承受能力也有多种选择。
为了保护数据接口电路，还必须注意选择电容c合适的TVS器件。 根据应用选择TVS的极性和封装结构。 交流电路选择双极性TVS比较合理； 选择TVS阵列进行多线保护更有优势。 温度考虑：瞬态电压抑制器可以在-55℃~150℃下工作。如果TVS需要在不同的温度下工作，其反向漏电流ID将会增加。 功耗随着 TVS 结温的升高而降低。 从25到175，线性下降约50%。 随着温度的升高，雨击穿电压VBR以一定的系数增加。 因此，有必要查阅相关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。
晶体二极管： 也称为半导体二极管。 1947年由美国人发明。半导体二极管内部有一个PN结和两个端子。 本征半导体：指不含任何掺杂元素的半导体，如纯硅片、纯锗片等。 P型半导体：掺杂有产生空穴且价态较低的杂质的半导体，如本征半导体中在Si(4)中掺杂Al(3)的半导体。 N型半导体：掺杂有产生空穴且电价较低的杂质的半导体，例如本征半导体中的硅Si(4)中掺杂有磷P(5)的半导体。 当P型半导体和N型半导体接触时，产生独特的PN结界面，界面两侧形成空间电荷层，形成自建电场。二极管的正向压降一般很小。
肖特基二极管，也称为热载流子二极管，是一种具有低正向压降和非常快的开关动作的半导体二极管。 当电流流过肖特基二极管时，肖特基二极管端子上会出现很小的电压降。 普通二极管的压降在0.6V-1.7V之间，而肖特基二极管的压降通常在0.15V-0.45V之间。 较低的压降提供了更好的系统效率和更高的开关速度。 在肖特基二极管中，半导体与金属之间形成半导体-金属结，从而形成肖特基势垒。 N型半导体作为二极管的阴极，金属侧作为二极管的阳极。 这种肖特基势垒导致低正向电压降和非常快的开关。二极管的失效率一般较低。深圳乐山无线电二极管原装现货
二极管的引线长度一般较短。常州晶导微二极管原装现货
整流二极管可以由半导体锗或硅等材料制成。 硅整流二极管击穿电压高、反向漏电流小、高温性能好。 通常高压大功率整流二极管采用高纯度单晶硅制成（掺杂多了容易反向击穿）。 这种器件的结面积较大，可以通过较大的电流（可达数千安培），但其工作频率不高，一般在几十千赫兹以下。 整流二极管主要用于各种低频半波整流电路。 如果需要全波整流，必须将它们连接起来形成整流桥。 整流二极管一般为平面硅二极管，用于各种电源整流电路中。 选择整流二极管时，应考虑其比较大整流电流、比较大反向工作电流、截止频率、反向恢复时间等参数。常州晶导微二极管原装现货
