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激光二极管基本参数
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激光二极管企业商机

同一芯片上集成多波长DFB-LD与外腔电吸收调制器的单芯片光源也在发展中。研制成功的电吸收调制器集成光源,采用有源层与调制器吸收层共用多QW结构。调制器的作用如同一个高速开关,把LD输出变换成二进制的0和1。在一块芯片上形成40种不同的折射光栅,波长1530--1590nm的40路调制器集成光源,信道间隔为200GHz。其开发目标是集成100个发射波长的LD阵列,以进行9.5THz超大容量的通信。VCESLVCESL(垂直腔面发射激光)二极管的特点如下:从其顶部发射出圆柱形射束,射束无需进行不对称矫正或散光矫正,即可调制成用途***的环形光束,易与光纤耦合;转换效率非常高,功耗*为边缘发射LD的几分之一;调制速度快,在1GHz以上;阈值很低,噪声小;重直腔面很小,易于高密度大规模制作和成管前整片检测、封装、组装,成本低。深圳市凯轩业科技有限公司,激光二极管信赖之选。新型激光二极管的用途

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③由于激光二极管温度升高将增大流过它的电流值,因此,必须采用必要的散热措施,保证器件工作在一定的温度范围之内。④为了避免激光二极管因承受过大的反向电压而造成击穿损坏,可在其两端反并联上快速硅二极管。激光二极管的特色之一,是能直接从电流调制其输出光的强弱,因为输出光功率与输入电流之间多为线性关系。实际应用中,通常使用APC(AutoPowerControl自动功率控制)电路来驱动激光二极管,其利用内置在同一封装内部,使之能够接收到来自LD光的光电二极管PD用于反馈和监视LD管的输出,,使该激光管LD的输出达到恒定所需的光功率。辽宁质量激光二极管激光二极管就选凯轩业科技,有想法可以来我司咨询!

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由于激光二极管的谱宽是狭窄单一的波长、相位整齐、指向性高的光,因此具备容易控制能量的特征。激光二极管和LED的区别汇总在了下表中:9、应用领域激光二极管由于具有直进性、微小光斑尺寸(数um~)、单色性、高光密度、相干性(coherent)的这些特点,Laser在计算机上的光盘驱动器、激光打印机中的打印头、条形码扫描仪、激光测距、激光医疗、光纤通信、舞台灯光、激光手术、激光切割焊接和激光武器等设备中也得到了广泛应用。①激光二极管发射的激光有可能对人眼造成伤害。二极管工作时,严禁直接注视其端面,不能透过镜片直视激光,也不能透过反视镜观察激光。②与其他的分立式产品相比,激光二极管的ESD水平非常低,因此如果在正向上加入浪涌,则过量发光,导致端面损坏,激光无法振荡(如下图所示)。因此,在电源通断时,要防止浪涌电流的措施。用示波器测试驱动电路时,要先断开电源再连接示波器探头,若在通电情况下测试探头,可能引用浪涌电流损坏器件。

激光二极管本质上是一个半导体二极管,按照PN结材料是否相同,可以把激光二极管分为同质结、单异质结(SH)、双异质结(DH)和量子阱(QW)激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低,输出功率高的优点,是目前市场应用的主流产品。同激光器相比,激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点,但其输出功率小(一般小于2mW),线性差、单色性不太好,使其在有线电视系统中的应用受到很大限制,不能传输多频道,高性能模拟信号。在双向光接收机的回传模块中,上行发射一般都采用量子阱激光二极管作为光源。当激光二极管注入电流在临界电流密度以下时,发光机制主要是自发放射,光谱分散较广,频宽大约在100到500埃之间。激光二极管,就选深圳市凯轩业科技,让您满意,欢迎您的来电哦!

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DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素组成的三元化合物、四元化合物,在1550nm波段内,**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研发日趋成熟,国际上*少数几家厂商可提供商用产品。优化器件结构,有源区为应变超晶格QW。有源区周边一般为双沟掩埋或脊型波导结构。有源区附近的光波导区为DFB光栅,采用一些特殊的设计,如:波纹坡度可调分布耦合、复耦合、吸收耦合、增益耦合、复合非连续相移等结构,提高器件性能。生产技术中,金属有机化学汽相淀积MOCVD和光栅的刻蚀是其关键工艺。MOCVD可精确控制外延生长层的组分、掺杂浓度、薄到几个原子层的厚度,生长效率高,适合大批量制作,反应离子束刻蚀能保证光栅几何图形的均匀性,电子束产生相位掩膜刻蚀可一步完成阵列光栅的制作。1550nmDFB-LD开始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光传输系统设备,对波长的选择使DFB-LD在大容量、长距离光纤通信中成为主要光源。激光二极管,就选深圳市凯轩业科技,让您满意,欢迎您光临哦!新型激光二极管的用途

激光二极管是上世纪60年代发明的一种光源半导体激光器,又称镭射管。新型激光二极管的用途

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