变频器是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电机的电力控制设备。变频器上需要用到晶体管光耦、高速光耦、栅极驱动光耦、智能栅极驱动光耦、IPM接口光耦、光隔离运算放大器等隔离器件。常用光耦型号：1.晶体管光耦：QX81x、QX101x、QX35x、QX3Hx、QX85x；2.高速光耦：QX6N13x、QXM6xx、QX772x、QX053x、QX063x；3.栅极驱动光耦：QX314、QX34x、QX350、QX31xx；4.智能栅极驱动光耦：QX316J、QX33xJ；5.IPM接口光耦：QX48x、QX450x、QXM48x；6.光隔离运算放大器：QXC790、QXC78、QX7840.随着器件价格的下降，使用线性光耦将是趋势。北京光继电器群芯微代理国产品牌
高压可控硅输出光耦适合用于控制交流负载。这种光耦，既有双向可控硅输出，也有单向可控硅输出。过零型双向可控硅输出光耦，内置过零检测模块，它在收到输入端的控制信号时，并不是马上开启双向可控硅模块，而是等到“过零”后才触发双向可控硅进行导通，这是在零点附近进行启动，能有效地防止对负载和电网的冲击，减少电磁干扰。可控硅具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制。可控硅光耦被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频、可控硅调功器、电机控制与驱动、以及家用电器等产品。福建智能栅极驱动光耦群芯微代理型号光耦合器的主要优点是：信号单向传输，输入端与输出端完全实现了电气隔离，输出信号对输入端无影响。
日本光电耦合器的市场虽不太大，但却以40%的年增长率增大，其主要原因是每一个程序控制器里都要用到20～30个甚至更多的光电耦合器。光电耦合器已显示出一种超大容量和高速度方向发展的明显趋势。美、日两国生产的光电耦合器以红外发光二极管和光敏器件管组成的器件为主，该类器件大约占整个美、日两国生产的全部光电耦合器的60%左右。因为这种类型的器件不仅电流传输效率高（一般为7～30%），而且响应速度比较快（2～5μs），因而能够满足大多数应用场合要求。日本横河电机公司用GaAsP红外发光二极管作输入端，PIN光电二极管作接收端制成的三种高速光电耦合器的绝缘电压都在3000伏以上，其中5082—43610型超高速数字光电耦合器和5082—4361型高共模抑制型光电耦合器的响应速度均可达到10Mb/s，它们的电流传输效率高达60%以上。美国莫托罗拉公司生产的4N25、4N26、4N27型光电耦合器属于三极管输出型光电耦合器[2]，这种光电耦合器具有很高的输入、输出绝缘性能，其频率响应可达300kHz，而开关时间只有几微秒。
在动力电池、集成控制器、驱动电机及VCU上，光耦作为数据隔离传输、信号反馈、信号放大、电机驱动等电路上起着关键的作用。常用光耦型号：1.晶体管光耦：QX81x、QX101x、QX35x、QX3Hx、QX85x、QX8801；2.光继电器：QXV258、QXY258、QX2xx、QX17x；3.高速光耦：QX6N13x、QXM6xx、QX772x、QX053x、QX063x；4.栅极驱动光耦：QX314、QX34x、QX350、QX31xx;5.智能栅极驱动光耦：QX316J、QX33xJ；6.光隔离运算放大器：QXC790、QXC78、QX7840；现场变送器输出模拟量信号，电压频率转换器将变送器送来的电压信号转换成脉冲序列，通过光耦隔离后送出。
随着智能电网的发展，传统电能表由于功能单一，无法体现出智能电网为我们带来的好处，因而使得智能电表得以普及，智能电表功能的扩充使得智能电表除了具有双向计量的基本功能以外，还具有分时分类计量、双向通信、多种控制的功能。为了使智能电表安全可靠的运行，需要采用一定的设计方法将强电电路与电表通讯接口电路等弱电路进行有效的隔离，光耦在电表中主要起着485通讯接口和I/O接口的隔离以及电量检测的功能，从而保证整个电表系统安全和稳定。群芯光耦采用双重隔离设计结构，隔离电压至少5KV以上，具有优异隔离能力。即使电网波动，**恶劣情况下导致光耦的失效也不会影响到整个电表。群芯光耦选用先进的半导体封装材料，具有工作寿命长、稳定性好，耐高温等特点，满足国网寿命要求。群芯高速光耦主要用于485通信接口隔离，满足115200波特率要求，体积较小同时具有很高抗共模信号能力，CMR满足至少20000V/us。受光器接收光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”控制。湖南高电压可控硅光耦群芯微代理价格
当需要对输出功率进行控制时，可以采用光电双向可控硅驱动器。北京光继电器群芯微代理国产品牌
以下为光电耦合器的常用参数：反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。 北京光继电器群芯微代理国产品牌
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