佛山真空镀膜加工厂

真空镀膜：离子镀膜法：离子镀膜技术是在真空条件下，应用气体放电实现镀膜的，即在真空室中使气体或蒸发物质电离，在气体离子或被蒸发物质离子的轰击下、同时将蒸发物或其反应产物蒸镀在基片上。根据不同膜材的气化方式和离化方式可分为不同类型的离子镀膜方式。膜材的气化方式有电阻加热、电子束加热、等离子电子束加热、高频感应加热、阴极弧光放电加热等。气体分子或原子的离化和启动方式有：辉光放电型、电子束型、热电子型、等离子电子束型、多弧型及高真空电弧放电型，以及各种形式的离子源等。不同的蒸发源与不同的电离或激发方式可以有多种不同的组合。目前比较常用的组合方式有：真空溅射镀是真空镀膜技术的一种。佛山真空镀膜加工厂

真空镀膜：反应磁控溅射法：反应磁控溅射沉积过程中基板温度一般不会有很大的升高，而且成膜过程通常也并不要求对基板进行很高温度的加热，因此对基板材料的限制较少。反应磁控溅射适于制备大面积均匀薄膜，并能实现单机年产上百万平方米镀膜的工业化生产。但是反应磁控溅射在20世纪90年代之前，通常使用直流溅射电源，因此带来了一些问题，主要是靶中毒引起的打火和溅射过程不稳定，沉积速率较低，膜的缺陷密度较高，这些都限制了它的应用发展。湖南真空镀膜工艺真空镀膜机类金刚石薄膜通过蒸馏或溅射等方式在塑件表面沉积各种金属和非金属薄膜。

真空镀膜：反应性离子镀：如果采用电子束蒸发源蒸发，在坩埚上方加20V～100V的正偏压。在真空室中导入反应性气体，如氮气、氧气、乙炔、甲烷等反应性气体代替氩气，或在此基础上混入氩气。电子束中的高能电子可以达到几千至几万电子伏特的能量，不仅可以使镀料熔化蒸发，而且能在熔化的镀料表面激励出二次电子。二次电子在上方正偏压作用下加速，与镀料蒸发中性粒子发生碰撞而电离成离子，在工件表面发生离化反应，从而获得氧化物（如TeO2、SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等）。其特点是沉积率高，工艺温度低。

真空镀膜：技术原理：溅射镀膜基本原理：充氩（Ar）气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩（Ar）原子电离成氩离子（Ar），氩离子在电场力的作用下，加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。溅射镀膜中的入射离子，一般采用辉光放电获得，在l0-2Pa～10Pa范围，所以溅射出来的粒子在飞向基体过程中，易和真空室中的气体分子发生碰撞，使运动方向随机，沉积的膜易于均匀。离子镀基本原理：在真空条件下，采用某种等离子体电离技术，使镀料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。真空镀膜机大功率脉冲磁控溅射技术的脉冲峰值功率是普通磁控溅射的100倍，在1000~3000W/cm2范围。

真空镀膜：等离子体增强化学气相沉积：在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法。等离子体增强化学气相沉积是：在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。只要镀上一层真空镀膜，就能使材料具有许多新的、良好的物理和化学性能。江西金属真空镀膜

真空镀膜机在集成电路制造中的应用：晶体管路中的保护层、电极管线等多是采用CVD技术。佛山真空镀膜加工厂

真空镀膜：真空蒸镀基本工艺镀前处理：包括清洗镀件和预处理。具体清洗方法有清洗剂清洗、化学溶剂清洗、超声波清洗和离子轰击清洗等。具体预处理有除静电，涂底漆等。装炉：包括真空室清理及镀件挂具的清洗，蒸发源安装、调试、镀件褂卡。抽真空：一般先粗抽至6。6Pa以上，更早打开扩散泵的前级维持真空泵，加热扩散泵。待预热足够后，打开高阀，用扩散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。烘烤：将镀件烘烤加热到所需温度。离子轰击：真空度一般在10Pa～10-1Pa，离子轰击电压200V～1kV负高压，离击时间为5min～30min,预熔：调整电流使镀料预熔，除气1min～2min。蒸发沉积：根据要求调整蒸发电流，直到所需沉积时间结束。冷却：镀件在真空室内冷却到一定温度。出炉：取件后，关闭真空室，抽真空至1×10-1Pa，扩散泵冷却到允许温度，才可关闭维持泵和冷却水。后处理：涂面漆等。佛山真空镀膜加工厂

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