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霍尔传感器基本参数
  • 产地
  • 江苏
  • 品牌
  • 启东双赢
  • 型号
  • 面议
  • 是否定制
霍尔传感器企业商机

霍尔传感器的分类: 霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。 (1)线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成,它输出模拟量。 (2)开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。 线性型霍尔传感器的特性: 输出电压与外加磁场强度呈线性关系,在B1~B2的磁感应强度范围内有较好的线性度,磁感应强度超出此范围时则呈现饱和状态。 集成霍尔传感器分为线性型、开关型和锁键型等多种,其主要元件均是利用霍尔效应原理制成的.所谓霍尔效应,指的是这样一种物理现象:如果把通有电流I的导体放在垂直于它的磁场中,则在导体的两侧P1、P2会产生一电势差UH,它与电流I及磁感应强度B成正比,与导体厚度d成反比,即:UH=K(IB/d),式中K为霍尔系数.霍尔系数越大,表明霍尔效应越明显。线性霍尔传感器又可分为开环式和闭环式!元星霍尔传感器工作原理

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种。这一现象是霍尔(1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。霍尔传感器是依据霍尔效应制作的。是霍尔1879年在研究金属导电机构时发明的,之后有在导电流体和半导体中均发现此效应。霍尔器件拥有着众多特点,它体积小,重量轻,安装方便,功耗小,频率高还生命长,耐振动不怕油污,水汽,盐雾灰尘等污染。长沙霍尔传感器根据霍尔效应,人们用半导体材料制成的元件叫霍尔传感器。

霍尔传感器(霍尔元件)是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。美国物理学家霍尔(Hall,EdwinHerbert,1855-1938)于1879年在实验中发现,当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。该效应是在研究导体的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

在使用霍尔传感器的电路板布局中,要注意以下因素: 散热:尽量增大一次侧电流导线的覆铜面积,可以提高霍尔电流传感器的散热能力,从而增加传感器的比较大平均电流耐受能力。另外,还可以使用更厚铜箔的PCB,或者在初级走线上放置一些散热过孔,或者把霍尔电流传感器和PCB走线放置在风道内,都可以改善霍尔电流传感器的平均电流耐受能力。 一次侧电流磁场:布局时,应尽量避免大电流的走线靠近霍尔电流传感器。 隔离要求:从系统整体考虑爬电距离和电气间隙,当霍尔电流传感器无法满足所需的PCB爬电距离时,可以在电路板上挖槽以达到系统级的隔离要求。霍尔效应传感器由一块薄的矩形p型半导体材料组成,例如砷化镓,锑化铟或砷化铟,它们通过自身连续的电流。

霍尔传感器普遍应用在变频调速装置、逆变装置、UPS电源、通信电源、电焊机、电力机车、变电站、数控机床、电解电镀、微机监测、电网监测等需要隔离检测电流的设施中以及新兴的太阳能、风能和地铁轨道信号、汽车电子等领域。霍尔传感器元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。它的数值从几欧到儿百欧,视不同型号的元件而定。温度升高,输入电阻变小,从而使输入电流变大,比较终引起霍尔传感器电势变化。为了减少这种影响,比较好采用恒流源作为激励源。两个霍尔传感器电势输出端之间的电阻称为输出电阻,它的数位与输入电阻同一数量级。它也随温度改变顺改变。选择适当的负载电阻易与之匹配,可以使由温度引起的程水电势的漂移减至比较小。按阈值和线性分类,霍尔传感器可分为霍尔开关和线性霍尔传感器两类。长沙霍尔传感器

霍尔开关由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,输出数字信号。元星霍尔传感器工作原理

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。元星霍尔传感器工作原理

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