稳压二极管的负极连接电阻R4的另一端、光耦OC的脚4、NPN三极管T1的集电极、单结晶体管T2的发射极b2、单向可控硅SCR1的A极、单向可控硅SCR2的K极以及电源输出端1，所述光耦OC的脚1连接输入控制端的正极，光耦OC的脚2经由电阻R5连接输入控制端的负极，光耦OC的脚3连接NPN三极管T1的基极，NPN三极管T1的发射极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接电容C4的另一端以及单结晶体管T2的发射极b1，单结晶体管T2的发射极b1连接变压器B1的输入端1，变压器B1的输入端2连接变压器B2输入端1，变压器B1的输出端1连接电源输出端1，变压器B2的输出端2连接电源输出端2，所述单向可控硅SCR1的G极连接变压器B2的输出端1，所述单向可控硅SCR2的G极连接变压器B1的输出端2，所述单向可控硅SCR1的A极和K极分别连接电源输出端1和电源输出端2，所述单向可控硅SCR2的A极和K极分别连接电源输出端2和电源输出端1。作为推荐，所述电源输出端1和电源输出端2分别连接电容C的一端和电阻R的一端，电容C的另一端和电阻R的另一端连接。本实用新型与现有技术相比，具有以下优点和效果：单向可控硅分别通过**的光耦进行隔离，提高了单向可控硅的耐受性能，实现负载电压从零伏到电网全电压的无级可调。在以大功率二极管或晶闸管为基础的两种基本类型的整流器中，电网的高压交流功率通过整流器变换为直流功率。可控硅调功
控制交流负载回路的通断，通常会用到继电器。继电器是机械式触点的电磁元器件，可以实现弱电控制强电的目的。但是在带电流分断负载回路时，会产生电弧腐蚀触点，降低了继电器的使用寿命，并且继电器触点的响应时间在ms级别，不适合用于高速通断的回路中。题目不想用继电器来控制交流回路的通断，那么可以考虑使用可控硅来实现。1什么是可控硅可控硅是具有四层结构的PNPN型半导体器件，可以看作是由两个三极管所构成的元器件，可控硅的半导体结构如下图所示。可控硅从导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。单向可控硅的三个电极分别是阳极A、阴极K和控制极G；双向可控硅的三个电极分别为T1，T2以及控制G。可控硅的在导通后，及时将控制信号去掉，可控硅仍然处于导通状态。在交流负载回路中，一般使用双向可控硅。2可控硅控制回路的设计单片机控制可控硅回路的通断时，比较好使用光耦做隔离。所设计的可控硅控制电路如下图所示。单片机的输出端接三极管的基极，通过三极管来控制光耦的通断，图中以灯泡作为负载。当单片机输出高电平时，光耦导通，此时可控硅的控制极有触发信号，并且T1和T2上的交流电源满足导通条件。单片机输出低电平时，光耦截止。可控硅调功在双变换UPS中，此装置既为逆变器供电，又给蓄电池充电，故称为整流器/充电机。
KY3型电力调整器采用了新设计的KY3-T6S控制板。KY3-T6S控制板是运用数字电路触发可控硅实现调压和调功。调压采用移相控制方式，调功有定周期调功和变周期调功两种方式。该控制板带有控制信号自由输入、同步电路、自动判别相位、缺相保护、上电缓起动、缓关断、散热器超温检测、恒流恒压输出、电流限制、短路保护、过流保护、负载断线检测、LED数码管显示、MODBUS通讯（硬件接口是RS485）、PROFIBUS通讯、以太网CAN通讯等功能。
该电力调整器可与带0~5V、0~10V或4~20mA等的智能PID调节器或PLC配套使用，也可**使用手动功能。KY3-T6S电力调整器的负载类型可以是三相阻性负载、感性负载及变压器负载；负载方式可以是星形中心接地负载、星形中心不接地负载、三角形负载。KY3可广泛应用于工业电炉的加热控制、冶金、化工、纺织机械、电解电镀等领域。
其G、K极问PN结已失去单向导电作用。测量阳极A与门极G之间的正、反向电阻，正常时两个阻值均应为几百千欧姆(kΩ)或无穷大，若出现正、反向电阻值不一样(有类似二极管的单向导电)。则是G、A极之间反向串联的两个PN结中的一个已击穿短路。(3)触发能力检测：对于小功率(工作电流为5A以下)的普通晶闸管，可用万用表R×1档测量。测量时黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，此时表针不动，显示阻值为无穷大(∞)。用镊子或导线将晶闸管的阳极A与门极短路(见图2)，相当于给G极加上正向触发电压，此时若电阻值为几欧姆至几十欧姆(具体阻值根据晶闸管的型号不同会有所差异)，则表明晶闸管因正向触发而导通。再断开A极与G极的连接(A、K极上的表笔不动，只将G极的触发电压断掉)。若表针示值仍保持在几欧姆至几十欧姆的位置不动，则说明此晶闸管的触发性能良好。对于工作电流在5A以上的中、大功率普通晶闸管，因其通态压降VT维持电流IH及门极触发电压Vo均相对较大，万用表R×1kΩ档所提供的电流偏低，晶闸管不能完全导通，故检测时可在黑表笔端串接一只200Ω可调电阻和1～3节1．5V干电池(视被测晶闸管的容量而定，其工作电流大于100A的，应用3节1．5V干电池)，如图3所示。输出触发脉冲具有极高的对称性及稳定性，且不随环境温度变化，使用中不需要对脉冲对称度及限位进行调整。
1．判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。2．判定源极S、漏极D由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。3．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=，大于（典型值）。4．检查跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。注意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块。以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。可控硅调功
整流器/充电机应有蓄电池充电电流限流电路，将蓄电池充电电流限制到UPS额定输出容量（KW）的15%。可控硅调功
KY-ZB3型周波触发器是工业电加热系统中相当有广泛应用的SSR信号处理控制器。具有周期过零式（PWM占空比控制）和周波过零式（CYC变周期控制）两种控制方式。触发器采用锁相环同步电路、自动判别相位。可做为单相调功、三相三控、三相两控过零触发控制。其优越的周波过零控制使负载电流的通断是按正弦波均匀分布的。它提高了调节精度和电源的利用效率以及避免了打表针现象，节电效果也十分明显。主要应用于电阻性负载、温度加热控制单元以及各种工业炉等。可控硅调功
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