晶闸管移相调压模块基本参数
  • 产地
  • 山东淄博
  • 品牌
  • 正高电气
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
晶闸管移相调压模块企业商机

因此负载获得较少的电功率。这个典型的电功率无级调整电路在日常生活中有很多电气产品中都应用它。可控硅主要参数有:额定通态平均电流在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。正向阻断峰值电压在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。反向阴断峰值电压当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。控制极触发电流在规定的环境温度下,阳极---阴极间加一定电压,使可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制极电流和电压。5、维持电流在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的小阳极正向电流。采用可控硅技术对照明系统进行控制具有:电压调节速度快,精度高,可分时段实时调整,有稳压作用,采用电子元件,相对来说体积小、重量轻、成本低。但该调压方式存在一致命缺点,由于斩波,使电压无法实现正弦波输出,还会出现大量谐波,形成对电网系统谐波污染,危害极大,不能用在有电容补偿电路中。。淄博正高电气热忱欢迎新老客户惠顾。枣庄整流晶闸管移相调压模块分类

枣庄整流晶闸管移相调压模块分类,晶闸管移相调压模块

措施:在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容,就可以减小这种过电压。与整流器并联的其它负载切断时,因电源回路电感产生感应电势的过电压。变压器空载且电源电压过零时,初级拉闸,因变压器激磁电流的突变,在次级感生出很高的瞬时电压,这种电压尖峰值可达工作电压的6倍以上。交流电网遭雷击或电网侵入干扰过电压,即偶发性浪涌电压,都必须加阻容吸收路进行保护。直流侧过电压及保护当负载断开时或快熔断时,储存在变压器中的磁场能量会产生过电压,显然在交流侧阻容吸收保护电路可以这种过电压,但由于变压器过载时储存的能量比空载时要大,还不能完全消除。措施:能常采用压敏吸收进行保护。过电流保护一般加快速熔断器进行保护,实际上它不能保护可控硅,而是保护变压器线圈。电压、电流上升率的限制4.均流与晶闸管选择均流不好,很容易烧坏元件。为了解决均流问题,过去加均流电抗器,噪声很大,效果也不好,一只一只进行对比,拧螺丝松紧,很盲目,效果差,噪音大,耗能。我们采用的办法是:用计算机程序软件进行动态参数筛选匹配、编号,装配时按其号码顺序装配,很间单。每一只元件上都刻有字,以便下更换时参考。这样能使均流系数可达到。云南单相晶闸管移相调压模块哪家好淄博正高电气以快的速度提供好的产品质量和好的价格及完善的售后服务。

枣庄整流晶闸管移相调压模块分类,晶闸管移相调压模块

一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括P+和P一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannelregion)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Draininjector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N一层的空穴(少子),对N一层进行电导调制,减小N一层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。IGBT和可控硅区别IGBT与晶闸管:整流元件(晶闸管)简单地说:整流器是把单相或三相正弦交流电流通过整流元件变成平稳的可调的单方向的直流电流。其实现条件主要是依靠整流管。

输出电压与输入电压比值很小,下输出的电流峰值很大,但电流的有效值很小(直流仪表一般显示平均值,交流仪表显示非正弦电流时比实际值小),但是输出电流的有效值很大,半导体器件的发热与有效值的平方成正比,会使模块严重发热甚至烧毁。因此,模块应选择在大导通角的65%以上工作,及控制电压应在5V以上。模块规格的选取方法考虑到晶闸管产品一般都是非正弦电流,存在导通角的问题并且负载电流有一定的波动性和不稳定因素,且晶闸管芯片抗电流冲击能力较差,在选取模块电流规格时必须留出一定余量。推荐选择方法可按照以下公式计算:I>KI负载U大,MU实际K:安全系数,阻性负载K=,感性负载K=2;I负载:负载流过的大电流;U实际:负载上的小电压;U大:模块能输出的大电压;(三相整流模块为输入电压的,单相整流模块为输入电压的,其余规格均为);I:需要选择模块的小电流,模块标称的电流必须大于该值。模块散热条件的好坏直接关系到产品的使用寿命和短时过载能力,温度越低模块的输出电流越大,所以在使用中必须配备散热器和风机,建议采用带有过热保护功能的产品,有水冷散热条件的优先选择水冷散热。淄博正高电气多方位满足不同层次的消费需求。

枣庄整流晶闸管移相调压模块分类,晶闸管移相调压模块

模块散热条件的好坏直接关系到产品的使用寿命和短时过载能力,温度越低模块的输出电流越大,所以在使用中必须配备散热器和风机,建议采用带有过热保护功能的产品,有水冷散热条件的优先选择水冷散热。我们经过严格测算,确定了不同型号的产品所应该配备的散热器型号,推荐采用厂家配套的散热器和风机,用户自备时按以下原则选取:1、轴流风机的风速应大于6m/s;2、必须能保证模块正常工作时散热底板温度不大于80℃;3、模块负载较轻时,可减小散热器的大小或采用自然冷却;4、采用自然方式冷却时散热器周围的空气能实现对流并适当增大散热器面积;5、所有紧固模块的螺钉必须拧紧,压线端子连接牢固,以减少次生热量的产生,模块底板和散热器之间必须要涂敷一层导热硅脂或垫上一片底板大小的导热垫,以达到佳散热效果。8、模块的安装与维护。(1)在模块导热底板表面与散热器表面各均匀涂覆一层导热硅脂,然后用四个螺钉把模块固定于散热器上,固定螺钉不要一次拧紧,几个螺钉要依次固定,用力要均匀,反复几次,直至牢固,使模块底板与散热器表面紧密接触。(2)把散热器和风机按要求装配好后,垂直固定于机箱合适位置。(3)用接线端头环带将铜线扎紧,好浸锡。淄博正高电气拥有先进的产品生产设备,雄厚的技术力量。湖南整流晶闸管移相调压模块

淄博正高电气设备的引进更加丰富了公司的设备品种,为用户提供了更多的选择空间。枣庄整流晶闸管移相调压模块分类

晶闸管的正向漏电流比一般硅二极管反向漏电流大,且随着管子正向阳极电压升高而增大。当阳极电压升到足够大时,会使晶闸管导通,称为正向转折或“硬开通”。多次硬开通会损坏管子。晶闸管加上正向阳极电压后,还必须加上触发电压,并产生足够的触发电流,才能使晶闸管从阻断转为导通。触发电流不够时,管子不会导通,但此时正向漏电流随着增大而增大。晶闸管只能稳定工作在关断和导通两个状态,没有中间状态,具有双稳开关特性。是一种理想的无触点功率开关元件。晶闸管一旦触发导通,门极完全失去控制作用。要关断晶闸管,必须使阳极电流《维持电流,对于电阻负载,只要使管子阳极电压降为零即可。为了保证晶闸管可靠迅速关断,通常在管子阳极电压互降为零后,加上一定时间的反向电压。晶闸管主要特性参数:1.正反向重复峰值电压——额定电压(VDRM、VRRM取其小者)。2.额定通态平均电流IT(AV)——额定电流(正弦半波平均值)。3.门极触发电流IGT,门极触发电压UGT,(受温度变化)。4.通态平均电压UT(AV)即管压降。5.维持电流IH与掣住电流IL。6.开通与关断时间晶闸管合格证基本参数IT(AV)=A。枣庄整流晶闸管移相调压模块分类

淄博正高电气有限公司坐落于交通便利、经济发达、文化底蕴深厚的淄博市临淄区,是专业从事电力电子产品、及其相关产品的开发、生产、销售及服务为一体的高科技企业。主要生产各类规格型号的晶闸管智能模块、固态继电器模块、桥臂模块、整流桥模块、各类控制柜和配套模块使用的触发板、控制板等产品,并可根据用户需求进行产品设计加工。近年来,本公司坚持以人为本,始终立足于科技的前沿,狠抓产品质量,产品销往全国各地,深受用户的好评。 淄博正高电气有限公司伴随着发展的脚步,在社会各界及客户的大力支持下,生机勃发,春意盎然。面向未来,前程似锦,豪情满怀。今后,我们将进一步优化产品品质,坚持科技创新,一切为用户着想,以前列的服务为社会奉献高、精、尖的优良产品,不断改进、不断提高是我们不变的追求,用户满意是我们追求的方向。正高电气全体员工恭候各界朋友前来我公司参观指导,恰谈业务!

与晶闸管移相调压模块相关的**
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责