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霍尔传感器基本参数
  • 产地
  • 江苏
  • 品牌
  • 启东双赢
  • 型号
  • 面议
  • 是否定制
霍尔传感器企业商机

作为一种流行的磁传感器技术,霍尔传感器的原理是在向导体施加垂直磁场时,在载流导体(通常称为霍尔元件)中会产生差分电压。电压是由施加的磁场引起的洛伦兹力的结果,其导致电流电子集中在导体的一端,并在两端之间产生电势差。具体来说,霍尔效应传感器由一块薄的矩形p型半导体材料组成,例如砷化镓,锑化铟或砷化铟,它们通过自身连续的电流。当器件放置在磁场中时,磁通线在半导体材料上施加力,该力使电荷载流子,电子和空穴偏转到半导体板的任一侧。电荷载流子的这种运动是它们经过半导体材料所经受的磁力的结果。当这些电子和空穴移动侧边时,通过这些电荷载流子的积累在半导体材料的两侧之间产生差分电压即电位差。霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压。合肥霍尔传感器定制公司

霍尔效应传感器也称霍尔传感器,是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。由于霍尔元件产生的电势差很小,故通常将霍尔元件与放大器电路、温度补偿电路及稳压电源电路等集成在一个芯片上,称之为霍尔传感器。 1、原边导线应放置于传感器内孔中心,尽可能不要放偏; 2、原边导线尽可能完全放满传感器内孔,不要留有空隙; 3、需要测量的电流应接近于传感器的标准额定值IPN,不要相差太大。如条件所限,手头*有一个额定值很高的传感器,而欲测量的电流值又低于额定值很多,为了提高测量精度,可以把原边导线多绕几圈,使之接近额定值。例如当用额定值100A的传感器去测量10A的电流时,为提高精度可将原边导线在传感器的内孔中心绕十圈(一般情况,NP=1;在内孔中绕一圈,NP=2;……;绕九圈,NP=10,则NP×10A=100A与传感器的额定值相等,从而可提高精度); 4、当欲测量的电流值为IPN/10的时,在25℃仍然可以有较高的精度。青浦区霍尔传感器代理商靠谱吗霍尔效应传感器由于具备低成本、低功耗、占地面积小、距离感应、可靠性高、寿命长等诸多优点。

许多人都知道,轿车的自动化程度越高,微电子电路越多,就越怕电磁干扰。而在汽车上有许多灯具和电器件,尤其是功率较大的前照灯、空调电机和雨刮器电机在开关时会产生浪涌电流,使机械式开关触点产生电弧,产生较大的电磁干扰信号。采用功率霍尔开关电路可以减小这些现象。霍尔器件通过检测磁场变化,转变为电信号输出,可用于监视和测量汽车各部件运行参数的变化。例如位置、位移、角度、角速度、转速等等,并可将这些变量进行二次变换;可测量压力、质量、液位、流速、流量等。霍尔器件输出量直接与电控单元接口,可实现自动检测。

霍尔传感器(霍尔元件)是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。美国物理学家霍尔(Hall,EdwinHerbert,1855-1938)于1879年在实验中发现,当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。该效应是在研究导体的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。霍尔效应传感器由一块薄的矩形p型半导体材料组成,例如砷化镓,锑化铟或砷化铟,它们通过自身连续的电流。

开环式电流传感器:由于通电螺线管内部存在磁场,其大小与导线中的电流成正比,故可以利用霍尔传感器测量出磁场,从而确定导线中电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触,不影响被测电路,不消耗被测电源的功率,特别适合于大电流传感。霍尔电流传感器工作原理如图6所示,标准圆环铁芯有一个缺口,将霍尔传感器插入缺口中,圆环上绕有线圈,当电流通过线圈时产生磁场,则霍尔传感器有信号输出。线性霍尔传感器还可用于测量位置和位移,如液位探测、水流探测等。长沙精密霍尔传感器

霍尔传感器拥有体积小,重量轻,安装方便,功耗小,频率高、寿命长、适用范围广等优点。合肥霍尔传感器定制公司

霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。对于图2所示的半导体试样,若在X方向通以电流Is,在Z方向加磁场B,则在Y方向即试样A,A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决定于测试样品的电类型。显然,该电场是阻止载流子继续向侧面偏移, 当载流子所受的横向电场力eEH与洛仑兹力相等时,样品两侧电荷的积累就达到平衡,故有⑴其中EH为霍尔电场,V是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽为b,厚度为d,载流子浓度为n,则⑵由⑴、⑵两式可得⑶即霍尔电压VH(A、A′电极之间的电压)与ISB乘积正比与试样厚度d成反比。比例系数 称为霍尔系数,它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数,只要测出 VH(伏)以及知道IIs(安)、B(高斯)和d(厘 米)可按下式计算RH(厘米3/库仑)合肥霍尔传感器定制公司

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