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霍尔传感器基本参数
  • 产地
  • 江苏
  • 品牌
  • 启东双赢
  • 型号
  • 面议
  • 是否定制
霍尔传感器企业商机

线性霍尔效应传感器,又称为零磁通霍尔传感器,因为输出是比例信号,即模拟量,线性霍尔传感器又可分为开环式和闭环式。闭环式霍尔传感器又称零磁通霍尔传感器。线性霍尔传感器主要用于交直流电流和电压测量。线性霍尔效应传感器可响应磁极或一极,以提高器件灵敏度。此外,输出可以是未调制的线性模拟电压信号,或调制的具有变化的占空比的脉冲宽度调制PWM(脉宽宽度调制式)信号,以便在嘈杂环境中使用。由于有着很宽的磁场量测范围,且能够识别磁极,目前,线性霍尔传感器主要用于电力机车、地下铁道、无轨电车、铁路等,还可用于变频器中用于监控电量、光伏直流柜监测光伏汇流箱实时输出电流的作用、电动机保护等。另外,线性霍尔传感器还可用于测量位置和位移,如液位探测、水流探测等。霍尔器件与被测物连动,而霍尔器件又在一个稳定的磁场中转动,于是霍尔电势就反应了转角的变化。成都霍尔传感器报价

在变频器中,霍尔电流传感器的主要作用是保护昂贵的大功率晶体管。由于霍尔电流传感器的响应时间短于1μs,因此,出现过载短路时,在晶体管未达到极限温度之前即可切断电源,使晶体管得到可靠的保护。霍尔电流传感器按其工作模式可分为直接测量式和零磁通式,在变频器中由于需要精细的控制及计算,因此选用了零磁通方式。将霍尔器件的输出电压进行放大,再经电流放大后,让这个电流通过补偿线圈,并令补偿线圈产生的磁场和被测电流产生的磁场方向相反,若满足条件IoN1=IsN2,则磁芯中的磁通为0,这时下式成立:Io=Is(N2/N1)式中,Io为被测电流,即磁芯中初级绕组中的电流,N1为初级绕组的匝数,Is为补偿绕组中的电流,N2为补偿绕组的匝数。由上式可知,达到磁平衡时,即可由Is及匝数比N2/N1得到Io。霍尔电流传感器的特点是可以实现电流的“无电位”检测。即测量电路不必接入被测电路即可实现电流检测,它们靠磁场进行耦合。因此,检测电路的输入、输出电路是完全电隔离的。检测过程中,检测电路与被检电路互不影响。泽明霍尔传感器厂家线性霍尔传感器还可用于测量位置和位移,如液位探测、水流探测等。

磁平衡式电流传感器的具体工作过程为:当主回路有一电流通过时,在导线上产生的磁场被聚磁环聚集并感应到霍尔器件上, 所产生的信号输出用于驱动相应的功率管并使其导通,从而获得一个补偿电流Is。这一电流再通过多匝绕组产生磁场 ,该磁场与被测电流产生的磁场正好相反,因而补偿了原来的磁场, 使霍尔器件的输   出逐渐减小。当与Ip与匝数相乘 所产生的磁场相等时,Is不再增加,这时的霍尔器件起指示零磁通的作用 ,此时可以通过Is来平衡。被测电流的任何变化都会破坏这一平衡。一旦磁场失去平衡,霍尔器件就有信号输出。经功率放大后,立即就有相应的电流流过次级绕组以对失衡的磁场进行补偿。从磁场失衡到再次平衡,所需的时间理论上不到1μs,这是一个动态平衡的过程。

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。其工作原理为如图半导体薄片置于磁场中,当它的电流方向与磁场方向不一致时,半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势,这种现象称霍尔效应。产生的电动势称霍尔电势半导体薄片称霍尔元件。采购霍尔传感器,需要选择在霍尔领域设计能力强和运用经验丰富的供应商。

 霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压,如:直流、交流、脉冲波形等,甚至对瞬态峰值的测量。副边电流忠实地反应原边电流的波形。而普通互感器则是无法与其比拟的,它一般只适用于测量50Hz正弦波; 原边电路与副边电路之间有良好的电气隔离,隔离电压可达9600Vrms;精度高:在工作温度区内精度优于1%,该精度适合于任何波形的测量;线性度好:优于0.1%;宽带宽:高带宽的电流传感器上升时间可小于1μs;但是,电压传感器带宽较窄,一般在15kHz以内,6400Vrms的高压电压传感器上升时间约500uS,带宽约700Hz。测量范围:霍尔传感器为系列产品,电流测量可达50KA,电压测量可达6400V。霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压。长沙霍尔传感器代理商

开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。成都霍尔传感器报价

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。霍尔传感器是依据霍尔效应制作的。是霍尔1879年在研究金属导电机构时发明的,之后有在导电流体和半导体中均发现此效应。霍尔器件拥有着众多特点,它体积小,重量轻,安装方便,功耗小,频率高还生命长,耐振动不怕油污,水汽,盐雾灰尘等污染。成都霍尔传感器报价

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