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在电子时代，磁传感器在电机、汽车工业、工业自动控制、机器人、楼宇办公自动化、家用电器等诸多方面都有着普遍的应用，如用于感测速度、运动和方向等。其中，霍尔效应传感器的历史较为悠久，也是目前较受欢迎的磁传感器之一。由于具备低成本、低功耗、占地面积小、距离感应、可靠性高、寿命长等诸多优点，霍尔传感器被应用于电机旋转编码计数、开关位置检测、防篡改检测等多功能性应用中。霍尔效应原理是Edwin Hall于1879年，在研究金属的导电机构时发现的。后来，还发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，被应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等领域。用霍尔传感器可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。广东霍尔传感器代理商价格哪家便宜

霍尔传感器有什么用？霍尔效应传感器也称霍尔传感器，是一个换能器，将变化的磁场转化为输出电压的变化。霍尔传感器首先是实用于测量磁场，此外还可测量产生和影响磁场的物理量，例如被用于接近开关、霍尔、位置测量、转速测量和电流测量设备。其简单的形式是，传感器作为一个模拟换能器，直接返回一个电压。在已知磁场下，其距霍尔盘的距离可被设定。使用多组传感器，磁铁的相关位置可被推断出。通过导体的电流会产生一个随电流变化的磁场，并且霍尔效应传感器可以在不干扰电流情况下而测量电流，典型的构造为将其和绕组磁芯或在被测导体旁的永磁体合成一体。广东霍尔传感器哪家便宜磁平衡式电流传感器也叫霍尔闭环电流传感器，也称补偿式传感器。

霍尔效应传感器也称霍尔传感器，是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器，普遍地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。由于霍尔元件产生的电势差很小，故通常将霍尔元件与放大器电路、温度补偿电路及稳压电源电路等集成在一个芯片上，称之为霍尔传感器。 1、原边导线应放置于传感器内孔中心，尽可能不要放偏； 2、原边导线尽可能完全放满传感器内孔，不要留有空隙； 3、需要测量的电流应接近于传感器的标准额定值IPN，不要相差太大。如条件所限，手头*有一个额定值很高的传感器，而欲测量的电流值又低于额定值很多，为了提高测量精度，可以把原边导线多绕几圈，使之接近额定值。例如当用额定值100A的传感器去测量10A的电流时，为提高精度可将原边导线在传感器的内孔中心绕十圈(一般情况，NP=1；在内孔中绕一圈，NP=2；……；绕九圈，NP=10，则NP×10A=100A与传感器的额定值相等，从而可提高精度)； 4、当欲测量的电流值为IPN/10的时，在25℃仍然可以有较高的精度。

霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压，如：直流、交流、脉冲波形等，甚至对瞬态峰值的测量。副边电流忠实地反应原边电流的波形。而普通互感器则是无法与其比拟的，它一般只适用于测量50Hz正弦波原边电路与副边电路之间有良好的电气隔离，隔离电压可达9600Vrms。精度高：在工作温度区内精度优于1%，该精度适合于任何波形的测量；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。宽带宽：高带宽的电流传感器上升时间可小于1μs；但是，电压传感器带宽较窄，一般在15kHz以内，6400Vrms的高压电压传感器上升时间约500uS，带宽约700Hz。测量范围普遍：电流测量可达50KA，电压测量可达6400V。结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。磁场中有一个霍尔半导体片，恒定电流I从A到B通过该片。

霍尔传感器的分类： 霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。 （1）线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成，它输出模拟量。 （2）开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器，斯密特触发器和输出级组成，它输出数字量。 线性型霍尔传感器的特性： 输出电压与外加磁场强度呈线性关系，在B1～B2的磁感应强度范围内有较好的线性度，磁感应强度超出此范围时则呈现饱和状态。 集成霍尔传感器分为线性型、开关型和锁键型等多种,其主要元件均是利用霍尔效应原理制成的.所谓霍尔效应,指的是这样一种物理现象:如果把通有电流I的导体放在垂直于它的磁场中,则在导体的两侧P1、P2会产生一电势差UH,它与电流I及磁感应强度B成正比,与导体厚度d成反比,即:UH=K(IB/d),式中K为霍尔系数.霍尔系数越大,表明霍尔效应越明显。霍尔传感器是霍尔类元件的总称，而大多数用户是将其作为电子固态开关来使用，又简称其为霍尔开关。霍尔传感器批发市场

开关型霍尔传感器还有一种特殊的形式，称为锁键型霍尔传感器。广东霍尔传感器代理商价格哪家便宜

霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。对于图2所示的半导体试样，若在X方向通以电流Is，在Z方向加磁场B，则在Y方向即试样A，A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决定于测试样品的电类型。显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移， 当载流子所受的横向电场力eEH与洛仑兹力相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有⑴其中EH为霍尔电场，V是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽为b，厚度为d，载流子浓度为n，则⑵由⑴、⑵两式可得⑶即霍尔电压VH（A、A′电极之间的电压）与ISB乘积正比与试样厚度d成反比。比例系数 称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，只要测出 VH（伏）以及知道IIs（安）、B（高斯）和d（厘 米）可按下式计算RH（厘米3/库仑）广东霍尔传感器代理商价格哪家便宜

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