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霍尔传感器基本参数
  • 产地
  • 江苏
  • 品牌
  • 启东双赢
  • 型号
  • 面议
  • 是否定制
霍尔传感器企业商机

霍尔传感器是一种磁传感器。用它可以检测磁场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔传感器以霍尔效应为其工作基础,是由霍尔元件和它的附属电路组成的集成传感器。霍尔传感器在工业生产、交通运输和日常生活中有着普遍的应用。 开关型霍尔传感器尺寸小、工作电压范围宽,工作可靠,价格便宜,因此获得极为普遍的应用。因为霍尔传感器IC内置一个霍尔效应感应单元,叫做霍尔单元Hall Plate,该单元在周围磁感应强度变化时,其左右两端将产生微弱的电压变化,再经过霍尔IC内部的比较器、斩波器、运放器以及输出电路的处理,霍尔传感器的输出端子便产生了可以被后端电路方便利用的明显的电压变化。霍尔传感器模块这种优异的动态性能为提高现代控制系统的性能提供了关键的基础。深圳霍尔传感器品牌哪家好

与开环霍尔电流传感器相比,闭环霍尔电流传感器多了一个补偿线圈,该线圈缠绕在铁芯上。当电流传感器通过铁芯时,铁芯感应出磁场,霍尔元器件将磁场转化成电压,该电压被运放处理后驱动电路产生一个补偿电流,该补偿电流流过线圈产生一个磁场,该磁场与原边电流产生的磁场大小相等方向相反,从而抵消原边磁场,处于磁平衡状态。所以该补偿电流就是原边电流缩放后的,缩放比例与补偿线圈的圈数呈线性关系。闭环式霍尔电流传感器又叫间接测量法。在霍尔电流传感器中,霍尔元器件是关键元器件,其性能影响着产品的性能。霍尔元器件的作用是将一定范围内的磁通量转化成电压信号,霍尔元器件将50mT内的磁通密度转化成电压信号。所以选用该芯片时,一定不要让铁芯产生的磁通密度超过50mT。杭州霍尔传感器排行榜霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起的偏转。

由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关;I为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。对于一个给定的霍尔器件,当偏置电流 I 固定时,UH将完全取决于被测的磁场强度B。霍尔效应一个霍尔元件一般有四个引出端子,其中两根是霍尔元件的偏置电流 I 的输入端,另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路,就会产生霍尔电流。一般地说,偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出;若精度要求高,则基准电压源均用恒流源取代。为了达到高的灵敏度,有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的镀膜合金;这类传感器的霍尔电势较大,但在0.05T左右出现饱和,适用在低量限、小量程下使用。在半导体薄片两端通以控制电流I,并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场,则在垂直于电流和磁场的方向上,将产生电势差为UH的霍尔电压。

霍尔传感器技术应用于汽车工业霍尔传感器技术在汽车工业中有着的应用,包括动力、车身控制、牵引力控制以及防抱死制动系统。为了满足不同系统的需要,霍尔传感器有开关式、模拟式和数字式传感器三种形式。霍尔传感器可以采用金属和半导体等制成,效应质量的改变取决于导体的材料,材料会直接影响流过传感器的正离子和电子。制造霍尔元件时,汽车工业通常使用三种半导体材料,即砷化镓、锑化铟以及砷化铟。常用的半导体材料当属砷化铟。霍尔传感器的形式决定了放大电路的不同,其输出要适应所控制的装置。这个输出可能是模拟式,如加速位置传感器或节气门位置传感器,也可能是数字式。如曲轴或凸轮轴位置传感器。线性霍尔传感器是一种模拟信号输出的磁传感器,输出电压随输入的磁力密度线性变化。

霍尔器件具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,重量轻,寿命长,安装方便,功耗小,频率高(可达1MHZ),耐震动,不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。霍尔线性器件的精度高、线性度好;霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高(可达μm级)。取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽,可达-55℃~150℃。按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。前者是直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性,后者是检测受检对象上人为设置的磁场,用这个磁场来作被检测的信息的载体,通过它,将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等,转变成电量来进行检测和控制。霍尔传感器被普遍应用到工业、汽车业、电脑、手机以及新兴消费电子领域。霍尔传感器工厂

开关型霍尔传感器还有一种特殊的形式,称为锁键型霍尔传感器。深圳霍尔传感器品牌哪家好

作为一种流行的磁传感器技术,霍尔传感器的原理是在向导体施加垂直磁场时,在载流导体(通常称为霍尔元件)中会产生差分电压。电压是由施加的磁场引起的洛伦兹力的结果,其导致电流电子集中在导体的一端,并在两端之间产生电势差。具体来说,霍尔效应传感器由一块薄的矩形p型半导体材料组成,例如砷化镓,锑化铟或砷化铟,它们通过自身连续的电流。当器件放置在磁场中时,磁通线在半导体材料上施加力,该力使电荷载流子,电子和空穴偏转到半导体板的任一侧。电荷载流子的这种运动是它们经过半导体材料所经受的磁力的结果。当这些电子和空穴移动侧边时,通过这些电荷载流子的积累在半导体材料的两侧之间产生差分电压即电位差。深圳霍尔传感器品牌哪家好

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