氮化硅陶瓷制备方法——热压烧结法（ HPS)：是将Si3N4 粉末和少量添加剂（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3 等），在1916 MPa以上的压强和1600 ℃以上的温度进行热压成型烧结。英国和美国的一些公司采用的热压烧结Si3N4 陶瓷，其强度高达981MPa以上。烧结时添加物和物相组成对产品性能有很大的影响。由于严格控制晶界相的组成，以及在Si3N4 陶瓷烧结后进行适当的热处理，所以可以获得即使温度高达1300 ℃时强度（可达490MPa以上）也不会明显下降的Si3N4系陶瓷材料，而且抗蠕变性可提高三个数量级。若对Si3N4 陶瓷材料进行1400———1500 ℃高温预氧化处理，则在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能明显提高Si3N4 陶瓷的耐氧化性和高温强度。热压烧结法生产的Si3N4 陶瓷的机械性能比反应烧结的Si3N4 要优异，强度高、密度大。但制造成本高、烧结设备复杂，由于烧结体收缩大，使产品的尺寸精度受到一定的限制，难以制造复杂零件，只能制造形状简单的零件制品，工件的机械加工也较困难。碳化硅喷嘴(黑色、绿色)的优点是硬度高，延展性好，螺旋喷嘴和涡流喷嘴都可以。青岛耐磨绝缘陶瓷价格
氧化铝陶瓷精加工与封装工序：有些氧化铝陶瓷材料在完成烧结后，尚需进行精加工。如可用作人工骨的制品要求表面有很高的光洁度、如镜面一样，以增加润滑性。由于氧化铝陶瓷材料硬度较高，需用更硬的研磨抛光砖材料对其作精加工。如SIC、B4C或金刚钻等。通常采用由粗到细磨料逐级磨削，较终表面抛光。一般可采用<1μm微米的Al2O3微粉或金刚钻膏进行研磨抛光。此外激光加工及超声波加工研磨及抛光的方法亦可采用。 氧化铝陶瓷强化工艺：为了增强氧化铝陶瓷，明显提高其力学强度，国外新推一种氧化铝陶瓷强化工艺。该工艺新颖简单，所采取的技术手段是在氧化铝陶瓷表面，采用电子射线真空镀膜、溅射真空镀膜或化学气相蒸镀方法，镀上一层硅化合物薄膜，在1200℃～1580℃的加热处理，使氧化铝陶瓷钢化。经强化的氧化铝陶瓷的力学强度可在原基础上大幅度增长，获得具有超高强度的氧化铝陶瓷。沈阳真空绝缘陶瓷厂家推荐氮化硼瓷特别适于制作在较高温度下使用的电子器件的散热陶瓷组件和绝缘瓷件。
氮化硅陶瓷工艺方法：它是用硅粉作原料，先用通常成型的方法做成所需的形状，在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化，使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅，这时整个坯体已经具有一定的强度。然后在1350℃～1450℃的高温炉中进行第二次氮化，反应成氮化硅。用热压烧结法可制得达到理论密度99%的氮化硅。对于Si3N4以及Sialon陶瓷烧结体，现已提供了一种不用形成复合材料而保持单一状态的、利用超塑性进行成型的工艺，并提供了一种根据该工艺成型出的烧结体。把相对密度在95%以上、线密度对于烧结体的二维横截面上的50μm的长度在120～250范围内的氮化硅及Sialon烧结体；在1300～1700℃的温度下通过拉伸或压缩作用使其在小于10-1/秒的应变速率下发生塑性形变从而进行成型。成型后的烧结体特别在常温下具有优异的机械性能。
氧化铝瓷 ：以氧化铝为主要原料,加入6～30%的粘土、氧化镁、氧化钙、氧化钛等烧结促进剂，混合后在1450～1800℃温度下烧结制成。氧化铝含量越多，越能发挥氧化铝的固有特性，性能愈好，但制造上也随氧化铝含量增加而变得困难。氧化铝瓷的特点是高温下仍具有良好的绝缘性能,纯氧化铝瓷可在800℃的温度下使用，其机械强度在所有氧化物系陶瓷中较高,其热导率大,耐热冲击能力强，可用于制造火花塞绝缘子、超高频大功率电真空器件的绝缘零件、电子管及整流器外壳、集成电路基片和雷达窗口等。由于氧化铍粉剧毒，在生产和使用上受到一定程度的限制。
莫来石陶瓷与氧化铝陶瓷有什么区别：莫来石陶瓷(mullite Ceramic)，指主晶相为莫来石的陶瓷。莫来石是A12O3一SiO2系中较少稳定的二元化合物，组成可在3 A12O3·SiO2至2 A12O3·SiO2间变化， 即A1203含量可在71 .8一77.3wt%范围内波动。A12O·2SiO2是莫来石的化学计量成分和含量。莫来石陶瓷主要有普通莫来石瓷和高纯莫来石瓷。氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料，用于厚膜集成电路。氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。主要区别在于： 硬度：氧化铝要比莫来石硬，不过二者都足够硬了，都不容易坏。 耐腐蚀性：莫来石耐酸不耐碱。氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。杭州耐热绝缘陶瓷
氧化铝瓷的特点是高温下仍具有良好的绝缘性能。青岛耐磨绝缘陶瓷价格
氮化铝陶瓷应用：1、氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。2、氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。3、氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位.4、利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。5、氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。 利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化铍瓷在电子工业中普遍应用。青岛耐磨绝缘陶瓷价格
