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氮化硅陶瓷基本参数
  • 品牌
  • 威特
  • 型号
  • WT
  • 形状
  • 可定制
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  • 宜兴市威特陶瓷有限公司
氮化硅陶瓷企业商机

氮化硅是一种非氧化物高温陶瓷结构材料,具有高硬度、强度高、耐腐蚀等特性,其较强的拉弯强度达到8× 10 4 ~10×10 4 N·cm -2 ,并且在1200℃高温下不会下降。用氮化硅陶瓷制成的内燃机不需冷却装置, 可节约燃料30%左右,热转换率提高到40%~ 50%。粉末状的氮化硅可以由SiCl 4 的蒸气和氨气的混合物反应制取。粉末状的氮化硅在空气和水中都不稳定,但若将粉末状的氮化硅和适量的MgO在230×1.01×10 5 Pa和185℃的密闭容器中热处理,可以制得结构十分紧密而且在空气和水中都十分稳定的高温结构材料。氮化硅陶瓷抗腐蚀能力强,除氢氟酸以外,它不与其他无机酸反应。氮化硅陶瓷选哪家,宜兴威特陶瓷为您服务!欢迎有需求的朋友们联系我司!岳阳焊接氮化硅陶瓷

多孔氮化硅陶瓷材料综合了氮化硅陶瓷和多孔陶瓷两者的优异性能,是一种体内具有相通或闭合气孔的陶瓷材料。多孔氮化硅陶瓷因其特殊的结构与性能,如低密度、高孔隙率、适中的介电性能、高比表面积、高硬度、高的断裂韧性等,已经被广泛应用于航空航天、环境化工、生物医药、**等重要领域。多孔氮化硅陶瓷的制备方法挤压烧结法;等静压成型烧结;添加造孔剂法;流延成型法;碳热还原法;凝胶注模法;冷冻干燥法;仿生法。多孔氮化硅陶瓷材料具有质量轻、耐高温、耐应变性、耐损伤性和耐热冲击性能等优异的性能,在工业上有较广的应用。但多孔氮化硅的陶瓷的制备工艺要求较高,且氮化硅原料价格较高,因此,需要不断进行研究,寻找出更好的制备方法来降低生产成本、提高产量。


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氮化硅陶瓷是一种超硬物质,本身具有润滑性,并且耐磨损;除氢氟酸外,它不与其他无机酸反应(反应方程式Si3N4+4HF+9H2O=====3H2SiO3(沉淀)+4NH4F),抗腐蚀能力强,高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击,在空气中加热到1 000℃以上,急剧冷却再急剧加热,也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性,人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、长久性模具等机械构件。如果用耐高温而且不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面,不仅可以提高柴油机质量,节省燃料,而且能够提高热效率。氮化硅陶瓷可做燃气轮机的燃烧室、氮化硅机械密封环(氮化硅环)、输送铝液的电磁泵的管道(氮化硅管)及阀门、长久性模具、钢水分离环等。

Si3N4 陶瓷是一种共价键化合物,基本结构单元为[ SiN4 ]四面体,硅原子位于四面体的中心,在其周围有四个氮原子,分别位于四面体的四个顶点,然后以每三个四面体共用一个原子的形式,在三维空间形成连续而又坚固的网络结构。氮化硅的很多性能都归结于此结构。纯Si3N4为3119,有α和β两种晶体结构,均为六角晶形,其分解温度在空气中为1800℃,在011MPa氮中为1850℃。Si3N4 热膨胀系数低、导热率高,故其耐热冲击性较好。热压烧结的氮化硅加热到l000℃后投入冷水中也不会破裂。在不太高的温度下,Si3N4 具有较高的强度和抗冲击性,但在1200℃以上会随使用时间的增长而出现破损,使其强度降低,在1450℃以上更易出现疲劳损坏,所以Si3N4 的使用温度一般不超过1300℃。由于Si3N4 的理论密度低,比钢和工程超耐热合金钢轻得多,所以,在那些要求材料具有强度高、低密度、耐高温等性质的地方用Si3N4 陶瓷去代替合金钢是再合适不过。氮化硅陶瓷选哪家,宜兴威特陶瓷为您服务!欢迎您的光临!

现代微电子技术发展异常迅速,电子系统及设备向大规模集成化、微型化、高效率、高可靠性等方向发展。电子系统集成度的提高将导致功率密度升高,以及电子元件和系统整体工作产生的热量增加,因此,有效的电子封装必须解决电子系统的散热问题,电子封装内基板材料的导热性能则是影响整个电子系统散热的关键。氮化硅陶瓷是综合性能比较好的结构陶瓷材料,单晶氮化硅的理论热导率可达400W/(m·k),具有成为高导热基片的潜力。此外Si3N4的热膨胀系数为3.0×10-6/℃左右,与Si、SiC和GaAs等材料匹配良好,这使Si3N4成为一种极具吸引力的较强的导热的电子器件基板材料。氮化硅陶瓷推荐,宜兴威特陶瓷值得信赖。甘肃氮化硅陶瓷基片

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氧化物类烧结助剂是氮化硅陶瓷**常用的烧结助剂体系,较为常见的为金属氧化物和稀土氧化物的组合。研究表明,氮化硅陶瓷的热导率随着烧结助剂稀土元素阳离子半径的增大有减小的趋势;与添加MgO助烧结相比,添加CaO助烧结不利于氮化硅柱状晶的生长,热导率及强度普遍较低,但硬度较高。事实上Y2O3-MgO体系的烧结助剂是高导热氮化硅材料应用比较广的烧结助剂体系。除稀土氧化物被稀土非氧化物替代作为烧结助剂的研究外,还有一些研究采用Mg的非氧化物替代MgO作为烧结助剂,以达到降低晶格氧含量,提高热导率的目的。总之,非氧化物烧结助剂的使用可以降低氮化硅晶格氧,达到净化晶格,提高热导率的目的。然而非氧化物烧结助剂也存在着原料难得,成本较高,烧结难度大、条件高等问题。因此目前非氧化物烧结助剂在高导热氮化硅材料批量化制备方面还没有较广的应用。


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