钛合金电池片磨

    市场份额仍将稳居转化效率从单晶和多晶电池角度来看，PERC单晶电池效率始终高于PERC多晶电池从量产效率来看，PERC电池量产效率呈现逐年增长趋势，PERC单晶电池量产效率由2016年的，据CPIA预计，2022年PERC单晶电池量产效率将达，截至目前，单晶双面PERC电池高效率记录由隆基绿能于2019年1月创造，高效率达(CPVT认证)从理论极限效率来看，根据测试机构德国哈梅林太阳能研究所(ISFH)测算，P型单晶硅PERC电池理论转换效率极限为，P型PERC电池量产效率已十分逼近理论极限效率，效率提升空间有限二Con电池TOPCon是(TunnelOxidePassivatedContact)的缩写，TOPCon电池属于一种钝化接触型电池由于PERC电池金属电极仍与硅衬底直接接触，金属与半导体的接触界面由于功函数失配会产生能带弯曲，并产生大量的少子复合中心，对太阳电池的效率产生负面影响若采用薄膜将金属与硅衬底隔离，则可以减少少子复合。在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，即是TOPCon技术超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层，同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，极大地降低复合速率，提升了电池的开路电压和短路电流。

    二氧化钛通常都用在油漆、防晒霜和食用色素中，成本低廉，适合大量生产。钛合金电池片磨

    可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。4PECVD等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率高达35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收，有助于提高光生电流，进而提高转换效率：另一方面，薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小暗电流，提升开路电压，提高光电转换效率。H能与硅中的缺陷或杂质进行反应,从而将禁带中的能带转入价带或者导带。在真空环境下及480摄氏度的温度下，通过对石墨舟的导电，使硅片的表面镀上一层SixNy薄膜。5丝网印刷通俗的说就是为太阳能电池收集电流并制造电极，道背面银电极，第二道背面铝背场的印刷和烘干；第三道正面银电极的印刷，主要监控印刷后的湿重和次栅线的宽度。第二道道湿重如果过大，既浪费浆料，同时还可能导致不能在进高温区之前充分干燥，甚至不能将其中的所有有机物赶出从而不能将整个铝浆层转变为金属铝，另外湿重过大可能造成烧结后电池片弓片。湿重过小，所有铝浆均会在后续的烧结过程中与硅形成熔融区域而被消耗，而该合金区域无论从横向电导率还是从可焊性方面均不适合于作为背面金属接触，另外还有可能出现鼓包等外观不良。第三道道栅线宽度过大，会使电池片受光面积较少。 钛合金电池片磨以往制作太阳能电池主要是以硅晶为主要原料，而这种新型太阳能电池的发明是受到植物光合作用的启发。

    P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅和磷原子，生成的P2O5淀积在硅片表面与硅继续反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中扩散,制得N型半导体。3刻蚀在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出。

    电池片的生产流程一次清洗制绒工序1清洗抛光片配方1清洗步骤置样品入舟——浸入I号液——漂洗——浸入II号液——漂洗2溶液配方I号液NH4OH:H2O2:H2O=1:1:675oC(70-80)II号液HCL:H2O2:H2O=1:1:675oC(70-80)3实验过程主要是利用两种溶液进行去金属离子；2白斑问题1不出绒面（主要因素）；采取的方法是：①增加时间；②提高温度；③加大NaOH浓度；2绒面较好，只是表面有白斑可能是溶液不均匀，或者Na2SiO3太多，需排液；3硅片因为本身的切割或其他原因出现的表面有规则的白斑，那是无法去掉；解决办法：①粗抛控制；②整体发白或发灰，归结为NaOH浓度不够；适当增加NaOH或延长制绒时间；③测试反射率，太高表示沒有金字塔，因为片子表面有一層較厚的SiO2；④超声清洗；；2NaOH浓度过高（主要因素）；解决办法：①增大IPA量②降低NaOH浓度；4绒面大小均匀性控制分析1与IPA量、温度、时间和溶液的浓度有关；2溶液的均匀性；3槽子里温度场均匀性；4用NaOH控制，绒面大时，少补加NaOH或干脆就不补加；IPA的量保证硅片表面没有小雨点就可以；5液体在硅片表面必须有径向流动；5水纹问题1是粗抛造成的2是在制绒槽提篮时溶液和硅片不亲润造成水纹就是在做成品后用我们眼睛看到的"水印"。

    未来10年晶体硅太阳能电池所占份额尽管会因薄膜太阳能电池的发展等原因而下降，其主导地位仍不会根本改变。

    使Si氧化为SiO2，然后HF溶解SiO2，并生成络合物H2SiF6。从而导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，形成粗糙的多孔硅层，有利于减少光发射，增强光吸收表面，为了控制化学反应的剧烈程度，有时加入一些其他的化学品。3Si+4HNO3＝3SiO2+2H2O+4NOSiO2+6HF＝H2[SiF6]+2H2OSi+HNO3+6HF＝H2SiF6+HNO2+H2O+H213绒面为什么是球形在硅与硝酸的反应中，除了生成SiO2，还生成NO气体，在硅片表面形成气泡，导致硅片表面产生球形腐蚀坑的只要原因。14为什么去除多孔硅膜酸腐蚀易在多晶硅表面形成一层彩色均匀的多孔硅膜，这个多孔硅膜具有极低的发射系数，但是，它不利于p－n结的形成和印刷电极，使用稀释的NaOH溶液来去除多孔硅膜。15多晶硅绒面形貌随着反应时间的增加，表面形貌从微裂纹状到气泡状，发射率是一个先降后升的过程，其中微裂纹状织构的发射率比气泡状的低，但综合后续工艺要求表面织构的形貌应介于微裂纹状和气泡状之间。16硅片清洗中的超声波技术超声波清洗是半导体工业中广泛应用的一种清洗方法,该方法的优点是:清洗效果好,操作简单,对于复杂的器件和容器也能,但该法也具有噪音较大、换能器易坏的缺点。该法的清理原理如下：在强烈的超声波作用下。

   原始的解决方法是用强碱来粗剥一下，但随着原材料变薄也可用低一些的浓度与IPA混合溶液处理，5~6分钟即可。电池片磨

参照叶绿素可以把光原子转换成能量的原理，利用比较稳定的人工染料捕捉光谱中几乎所有的可见光。钛合金电池片磨

    常用的超声波频率为20kHz到40kHz左右),液体介质内部会产生疏部和密部，疏部产生近乎真空的空腔泡，当空腔泡消失的瞬间,其附近便产生强大的局部压力，使分子内的化学键断裂，因此使硅片表面的杂质解吸。当超声波的频率和空腔泡的振动频率共振时，机械作用力达到比较大，泡内积聚的大量热能，使温度升高，促进了化学反应的发生。超声波清洗的效果与超声条件（如温度、压力、超声频率、功率等）有关，而且提高超声波功率往往有利于清洗效果的提高，但对于小于1μm的颗粒的去除效果并不太好。该法多用于硅片表面附着的大块污染和颗粒。17硅片清洗中的兆声波技术兆声波清洗不但保存了超声波清洗的优点，而且克服了它的不足。兆声波清洗的机理是由高能(850kHz)频振效应并结合化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗的。在清洗时，由换能器发出波长为1μm频率为。溶液分子在这种声波的推动下作加速运动，比较大瞬时速度可达到30cm/s。因此，形成不了超声波清洗那样的气泡,而只能以高速的流体波连续冲击晶片表面，使硅片表面附着的污染物的细小微粒被强制除去并进入到清洗液中。兆声波清洗抛光片可去掉晶片表面上小于μm的粒子。 钛合金电池片磨