此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程。值得注意的是太阳能电池片在现实当中,是不能够实现P型和N型两种类型电池接触而形成PN结的,因为没办法做到分子级别拼接,实际生产过程中多为在P型硅的基础上单面扩散制得N型。图中兰色小圆为多子电子;红色小圆为多子空穴。N型半导体中的多子电子的浓度远大于P型半导体中少子电子的浓度;P型半导体中多子空穴的浓度远大于N型半导体中少子空穴的浓度。于是在两种半导体的界面上会因载流子的浓度差发生了扩散运动,见上图。随着扩散运动的进行,在界面N区的一侧,随着电子向P区的扩散,杂质变成正离子;在界面P区的一侧,随着空穴向N区的扩散,杂质变成负离子。杂质在晶格中是不能移动的,所以在N型和P型半导体界面的N型区一侧会形成正离子薄层;在P型区一侧会形成负离子薄层。这种离子薄层会形成一个电场,方向是从N区指向P区,称为内电场,见下图。内电场的出现及内电场的方向会对扩散运动产生阻碍作用,限制了扩散运动的进一步发展。在半导体中还存在少子,内电场的电场力会对少子产生作用,促使少数载流子产生漂移运动。我们称从N区指向P区的内电场为PN结,简单的描述为:N型半导体中含有较多的空穴。 测试反射率,太高表示沒有金字塔,因为片子表面有一層較厚的SiO2。海南电池片定制
三洋开启HJT技术垄断期1997年开始三洋开始向市场提供HJT系统。其电池片和组件效率分别达到。此后HJT技术一直被三洋垄断,期间各国也在积极开展对HJT技术的研究,多厂商步入HJT工业化进程2010年松下(收购三洋)的HJT到期后,国内外诸多厂商纷纷开启了HJT的工业化进程,期间松下于2011年达到,于2014年转换效率比较高已达,KANEKA于2015年突破记录达到,国内厂商加快HJT产业化步伐2017年晋能科技成为了国内早试生产HJT电池的厂商,此后越来越多的企业开始进入中试生产阶段,到201年已有多家国内厂商宣布GW级HJT产能规划。2021年隆基绿能的研究团队更新HJT电池的理论极限效率至,并刷新纪录达到,并且外层的TCO薄膜是透光膜,整体结构形成天然的双面电池,双面电池的发电量要超出单面电池10%+,目前HJT电池双面率已经达到95%(比较高达到98%),双面PERC电池的双面率为75%+2.温度系数值低,HJT每W发电量高出双面PERC电池约。从温度系数角度来看,HJT电池能更好地减少太阳光带来的热损失3.低衰减,HJT电池首年衰减1%~2%,此后每年衰减,远低于PERC电池首年衰减2%,此后每年衰减。HJT低衰减特征使得其全生命周期每W发电量高出双面PERC电池约,全套工艺流程共计6个环节。
宁夏电池片按需定制绒面较好,只是表面有白斑 可能是溶液不均匀,或者Na2SiO3太多,需排液。
多应用于对硅片要求较高的半导体领域直拉法(Cz-czochralski),光伏领域主要使用Cz法抽真空→检漏→压力化→熔料→稳定化→熔接→引晶→放肩→转肩→等径→收尾→停炉,以及两个重要辅助工艺——煅烧、副室隔离净化1.装料在高纯度石英坩埚中按层次装入多晶硅块料、粉料、颗粒料、掺杂剂,然后放入石墨坩埚并合炉。掺杂剂类型决定得到P型还是N型硅片2.抽空检漏合炉后,主泵对炉体内部进行抽空,为单晶生长提供洁净的环境。抽空至一定压力后,充入高纯度氩气,然后关闭,再抽,再充,反复几次,带走炉内杂质。此后要进行检漏3.压力化检漏完成,开启氩气阀,炉内压力逐渐升至晶体生长压力范围4.化料驱动石墨加热器电源,加热至大于硅的融化温度,使多晶硅和掺杂物熔化5.引晶熔液温度稳定到引晶范围后,降下籽晶接近液面,籽晶固体接触液面后,籽晶端头熔化,由于表面张力,籽晶与硅融体的固液交接面之间的硅融体冷却形成固态的硅单晶6.缩颈籽晶接触到硅液瞬间,其温度差产生的热应力引发位错,消除位错的方法是“缩颈”。在提拉过程中,逐渐缩小籽晶,将位错的排列挤压出去,并拉制细颈长度约晶棒直径大小7.放肩引晶至目标长度,减慢晶体提拉速度,降低温度,直径快速增大。
当电子-空穴对扩散达到PN结界限时,会在内建电场的作用下被拆分,空穴、电子受力从而被推向P区和N区,如果此时电路正处于开路的状态,那么这些光生电子和空穴就会分别集聚在P区和N区周围,P区便会得到附加正电荷,同理N区便会得到附加负电荷,P区与N区累积的正负电荷就会在PN结上产生光生电动势,若此时接通太阳能电池片的正负极就会形成电流。此时PN结的内部就会形成了由N区指向P区的光生电流产生。一、P型半导体的形成如图,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子,当硅晶体中掺入硼时(如下图),负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子,因为硼原子周围只有三个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴,这个空穴因为没有电子而变得很不稳定容易吸收电子而中和,形成P型半导体。二、N型半导体的形成,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。掺入磷原子以后(如上图),因为磷原子有五个电子,所以就会有一个电子变得非常活跃,形成N型半导体。黄色掺入的磷原子,红色多出来的电子。三、P-N结的形成将一块P型半导体和N型半导体紧密连接在一起,这种紧密连接不能有缝隙,是一种原子半径尺度上的紧密连接。
这只要我们在制绒后及时进行酸洗,也可提高HF的浓度.
从非硅成本上来看。可以通过使用多主栅技术或使用银铝浆替代银浆来降低成本TOPCon电池的非硅成本已经有能力低于,对比PERC电池仍然有,主要原因系银浆单耗高TOPCon的双面率高,正反面都需要使用银浆,M6型TOPCon电池使用的银浆约130mg,较M6型PERC电池高出约60mg,预计未来可以通过多主栅或背面使用银铝浆来降低非硅成本产品良率TOPCon电池的良率整体低于PERCTOPCon电池的整体良率在93%-95%左右,而PERC电池的整体良率在97%-98%之间良率劣势原因1.隧穿氧化层和多晶硅层的制备工艺路线不统一,且加工步骤较多,TOPCon生产流程共12~13步,PERC为10步左右,HJT为6步左右、脏污的情况仍有待改善产能梳理1.隆基绿能,N/P型TOPCon实验室转换效率达到,实验室单晶双面TOPCon电池效率达到,预计三季度投产2.晶科能源,N型TOPCon实验室转换效率达到,量产效率达到,合肥、海宁合计16GW的N型电池项目已投产3.中来股份,N型TOPCon电池实验室转换效率达到,量产效率达到24%以上,山西16GW产线,其中一期8GW正处于设备安装阶段,预计2022年实现6GW产能4.天合光能,N型i-TOPCon实验室转换效率达到,量产效率可达,宿迁8GW项目预计2022年下半年投产5.晶澳科技,量产效率可达。
而薄膜电池如果能够解决转换效率不高、制备薄膜电池所用设备价格昂贵等问题,会有巨大的发展空间。宁夏电池片按需定制
用石英坩埚装好多晶硅料,加入适量硼硅,放人浇铸炉,在真空状态中加热熔化。海南电池片定制
电池片的生产流程一次清洗制绒工序1清洗抛光片配方1清洗步骤置样品入舟——浸入I号液——漂洗——浸入II号液——漂洗2溶液配方I号液NH4OH:H2O2:H2O=1:1:675oC(70-80)II号液HCL:H2O2:H2O=1:1:675oC(70-80)3实验过程主要是利用两种溶液进行去金属离子;2白斑问题1不出绒面(主要因素);采取的方法是:①增加时间;②提高温度;③加大NaOH浓度;2绒面较好,只是表面有白斑可能是溶液不均匀,或者Na2SiO3太多,需排液;3硅片因为本身的切割或其他原因出现的表面有规则的白斑,那是无法去掉;解决办法:①粗抛控制;②整体发白或发灰,归结为NaOH浓度不够;适当增加NaOH或延长制绒时间;③测试反射率,太高表示沒有金字塔,因为片子表面有一層較厚的SiO2;④超声清洗;;2NaOH浓度过高(主要因素);解决办法:①增大IPA量②降低NaOH浓度;4绒面大小均匀性控制分析1与IPA量、温度、时间和溶液的浓度有关;2溶液的均匀性;3槽子里温度场均匀性;4用NaOH控制,绒面大时,少补加NaOH或干脆就不补加;IPA的量保证硅片表面没有小雨点就可以;5液体在硅片表面必须有径向流动;5水纹问题1是粗抛造成的2是在制绒槽提篮时溶液和硅片不亲润造成水纹就是在做成品后用我们眼睛看到的"水印"。
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