海南新款电池片

    未来的电池技术，现在看到我们刚才讲的是P型PERC，未来的我们大家都在探讨，有TOPN型的还有异质结，还有钙钛矿技术。从我个人或者公司内部认为钙钛矿单独的大量利用可能还需要时间，终还是要钙钛矿和硅电池结合起来，这样可能是为了光伏电池技术的发展。如果是把钙钛矿和硅做成叠层的结构电池能够量产，未来我相信电池的转换效率超过30%甚至35%都是完全有可能。组件的封装技术方面，各方面从提高光学利用率包括减少电耗损失以及增加电池密度各方面的技术，由于时间关系就跳过去了。事实上，从30年前开始，未来双面电池将逐渐普及，因为它可以在不同的场景中增加发电能力，降低度电成本，未来双面组件将逐渐成为主流，至少35年后，双面组件将成为主流，因为双面组件可以充分利用散色光。 在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉。海南新款电池片

    整个硅片加工流程中为重要的一环切片环节切片环节所需的设备主要有截断机、开方机、磨倒机、粘棒机、脱胶机、切片机、脱胶机、清洗机、分选仪以及其他自动化辅助设备等，其中切片机是切片环节设备切片机是一种使用高速运动的金刚石线对单晶硅棒进行切片加工的精密生产设备在设备工作过程中，一根高速往复运转的金刚石线分布成切割线网，通过由放线轮、张力轮、导轮、切割轮等组成的运动机构及自动检测控制系统对单晶硅棒料进行加工研磨，将硅棒切割为硅片目前国内提供多线切割机厂商包括高测股份、宇晶股份、连城数控、上机数控及晶盛机电等电池片主流分类从衬底类型来看，可将电池片分为P型电池片和N型电池片两类P型电池片P型电池原材料为P型硅片(掺杂硼)P型电池主要包括BSF(常规铝背场电池)和PERC(钝化发射极和背面电池)P型单晶硅PERC电池理论转换效率极限为，PERC电池量产效率已逼近理论极限效率，很难再有大幅度的提升，并且未能彻底解决以P型硅片为基底的电池富有硼氧对所产生的光至衰减现象N型电池片在晶体生长过程中，若掺入微量III族元素(如硼、镓等)可制得空穴导电的P(positive)型硅单晶若掺入微量V族元素(如磷、砷等)可制得电子导电的N。

   海南新款电池片二氧化钛通常都用在油漆、防晒霜和食用色素中，成本低廉，适合大量生产。

    此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程。值得注意的是太阳能电池片在现实当中，是不能够实现P型和N型两种类型电池接触而形成PN结的，因为没办法做到分子级别拼接，实际生产过程中多为在P型硅的基础上单面扩散制得N型。图中兰色小圆为多子电子；红色小圆为多子空穴。N型半导体中的多子电子的浓度远大于P型半导体中少子电子的浓度；P型半导体中多子空穴的浓度远大于N型半导体中少子空穴的浓度。于是在两种半导体的界面上会因载流子的浓度差发生了扩散运动，见上图。随着扩散运动的进行，在界面N区的一侧，随着电子向P区的扩散，杂质变成正离子；在界面P区的一侧，随着空穴向N区的扩散，杂质变成负离子。杂质在晶格中是不能移动的，所以在N型和P型半导体界面的N型区一侧会形成正离子薄层；在P型区一侧会形成负离子薄层。这种离子薄层会形成一个电场，方向是从N区指向P区，称为内电场，见下图。内电场的出现及内电场的方向会对扩散运动产生阻碍作用，限制了扩散运动的进一步发展。在半导体中还存在少子，内电场的电场力会对少子产生作用，促使少数载流子产生漂移运动。我们称从N区指向P区的内电场为PN结，简单的描述为：N型半导体中含有较多的空穴。

    PECVD等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率高达35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收，有助于提高光生电流，进而提高转换效率：另一方面，薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小暗电流，提升开路电压，提高光电转换效率。H能与硅中的缺陷或杂质进行反应,从而将禁带中的能带转入价带或者导带。在真空环境下及480摄氏度的温度下，通过对石墨舟的导电，使硅片的表面镀上一层SixNy薄膜。丝网印刷通俗的说就是为太阳能电池收集电流并制造电极，道背面银电极，第二道背面铝背场的印刷和烘干；第三道正面银电极的印刷，主要监控印刷后的湿重和次栅线的宽度。第二道道湿重如果过大，既浪费浆料，同时还可能导致不能在进高温区之前充分干燥，甚至不能将其中的所有有机物赶出从而不能将整个铝浆层转变为金属铝，另外湿重过大可能造成烧结后电池片弓片。湿重过小，所有铝浆均会在后续的烧结过程中与硅形成熔融区域而被消耗，而该合金区域无论从横向电导率还是从可焊性方面均不适合于作为背面金属接触，另外还有可能出现鼓包等外观不良。 经破碎，用1：5的氢氟酸和硝酸混合液进行适当的腐蚀，然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干。

    太阳能光伏发电一般指能利用半导体直接将光能转换为电能的一种能源形式。晶硅类太阳能电池是普遍的一种形式，太阳能电池起源于1839年，法国贝克勒尔是个发现了液态电解质的光生伏特现象的科学家。其一般构造如图所示，在基体硅中渗入棚原子以后，便会产生空穴。同理，在基体硅中掺入磷原子以后，由于磷原子相比于硅原子，其外层是具有五个电子的特殊结构，相比于硅原子的四电子结构就会有多出来的一个电子变得非常活跃，叫做N型半导体。晶体硅太阳能电池片主要是用硅半导体材料作为基体制成较大面积的平面PN结，即在规格大约为15cm×15cm的P型硅片上经扩散炉扩散磷原子，扩散出一层很薄的经过重掺杂的N型层。然后经刻蚀到达PECVD在整个N型层表面上镀上一层减反射膜用来减少太阳光的反射损失，达到丝网在扩散面印刷上金属栅线作为太阳能电池片的正面接触电极。在刻蚀面印刷金属膜，作为太阳能电池片的背面欧姆接触电极，并烧结封装。当有具定能量的光子照射到太阳能电池片上时，会生成许多新的电子-空穴对。因为电池材料的不断吸收导致入射光强不断减小，因此沿着入射方向，电池片内部电子-空穴对的密度逐渐减小，在浓度差的作用下电子-空穴对向着电池片内部做扩散运动。

   这种太阳能电池以高纯的单晶硅棒为原料。海南新款电池片

未来10年晶体硅太阳能电池所占份额尽管会因薄膜太阳能电池的发展等原因而下降，其主导地位仍不会根本改变。海南新款电池片

    电池片工艺流程:制绒(INTEX)→扩散(DIFF)→后清洗(刻边/去PSG)→镀减反射膜(PECVD)→丝网、烧结(PRINTER)→测试、分选(TESTER+SORTER)→包装(PACKING)。一、制绒制绒的目的是在硅片表面形成绒面面，以减少电池片的反射率，绒面凹凸不平可以增加二次反射，改变光程及入射方式。通常情况下用碱处理单晶，可以得到金字塔状绒面；用酸处理多晶，可以得到虫孔状无规则绒面。处理方式区别主要在与单多晶性质的区别。工艺流程：制绒槽→水洗→碱洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。一般情况下，硅与HF、HNO3（硅表面会被钝化）认为是不反应的。当存在于两种混合酸的体系中，硅与混合溶液的反应是持续性的。二、扩散扩散是为电池片制造心脏，是为电池片制造P-N结，POCl3是当前磷扩散用较多的选择。POCl3为液态磷源，液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好、制得PN结均匀平整及扩散层表面良好等优点。POCl3在大于600℃的条件下分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），PCl5对硅片表面有腐蚀作用，当有氧气O2存在时，PCl5会分解成P2O5且释放出氯气，所以扩散通氮气的同时通入一定流量的氧气。 海南新款电池片