F54自动化薄膜测绘FilmetricsF54系列的产品能以一个电动R-Theta平台自动移动到选定的测量点以每秒测绘两个点的速度快速的测绘薄膜厚度,样品直径达450毫米可选择数十种内建之同心圆,矩形,或线性图案模式,或自行建立无数量限制之测量点.瑾需具备基本电脑技能的任何人可在数分钟内自行建立配方F54自动化薄膜测绘只需联结设备到您运行Windows™系统计算机的USB端口,可在几分钟轻松设置不同的型号主要是由厚度和波长范围作为区别。通常较薄的膜需要较短波长作测量(如F54-UV)用来测量较薄的膜,而较长的波长可以用来测量更厚，更粗糙，或更不透明的薄膜厚度变化 (TTV) ；沟槽深度；过孔尺寸、深度、侧壁角度。Filmetrics膜厚仪美元价格
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业,而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。测量范例氮化硅薄膜作为电介质，钝化层，或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中，我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系数。有趣的事，氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型，F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质，不管他们是富硅，贫硅，还是分子当量。反射率膜厚仪研发可以用吗F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度，即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。
集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度
F30系列监控薄膜沉积，蕞强有力的工具F30光谱反射率系统能实时测量沉积率、沉积层厚度、光学常数(n和k值)和半导体以及电介质层的均匀性。样品层分子束外延和金属有机化学气相沉积:可以测量平滑和半透明的，或轻度吸收的薄膜。这实际上包括从氮化镓铝到镓铟磷砷的任何半导体材料。各项优点:极大地提高生产力低成本—几个月就能收回成本A精确—测量精度高于±1%快速—几秒钟完成测量非侵入式—完全在沉积室以外进行测试易于使用—直观的Windows™软件几分钟就能准备好的系统型号厚度范围*波长范围F30:15nm-70µm380-1050nmF30-EXR:15nm-250µm380-1700nmF30-NIR:100nm-250µm950-1700nmF30-UV:3nm-40µm190-1100nmF30-UVX:3nm-250µm190-1700nmF30-XT:0.2µm-450µm1440-1690nmF10-AR在用户定义的任何波长范围内都能进行比较低、比较高和平均反射测试。
F10-HC轻而易举而且经济有效地分析单层和多层硬涂层F10-HC以FilmetricsF20平台为基础，根据光谱反射数据分析快速提供薄膜测量结果。
F10-HC先进的模拟算法是为测量聚碳酸酯和其它单层和多层硬涂层(例如，底涂/硬涂层)专门设计的。全世界共有数百台F10-HC仪器在工作，几乎所有主要汽车硬涂层公司都在使用它们。像我们所有的台式仪器一样，F10-HC可以连接到您装有Windows计算机的USB端口并在几分钟内完成设定。
包含的内容：
集成光谱仪/光源装置FILMeasure8
软件FILMeasure读立软件(用于远程数据分析)CP-1-1.3探头BK7
参考材料TS-Hardcoat-4um厚度标准备用灯
额外的好处：应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）
网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划。 以真空镀膜为设计目标，F10-RT 只要单击鼠标即可获得反射和透射光谱。工艺薄膜膜厚仪推荐厂家
测量厚度: 15 — 780 μm (单探头) ； 3 mm (双探头总厚度测量)。Filmetrics膜厚仪美元价格
非晶态多晶硅硅元素以非晶和晶体两种形式存在,在两级之间是部分结晶硅。部分结晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光学常数(n和k)对不同沉积条件是独特的，必须有精确的厚度测量。测量厚度时还必须考虑粗糙度和硅薄膜结晶可能的风化。Filmetrics设备提供的复杂的测量程序同时测量和输出每个要求的硅薄膜参数，并且“一键”出结果。测量范例多晶硅被广范用于以硅为基础的电子设备中。这些设备的效率取决于薄膜的光学和结构特性。随着沉积和退火条件的改变，这些特性随之改变，所以准确地测量这些参数非常重要。监控晶圆硅基底和多晶硅之间，加入二氧化硅层，以增加光学对比，其薄膜厚度和光学特性均可测得。F20可以很容易地测量多晶硅薄膜的厚度和光学常数，以及二氧化硅夹层厚度。Bruggeman光学模型被用来测量多晶硅薄膜光学特性。Filmetrics膜厚仪美元价格
