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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

针对表面带有微结构硅晶圆的封装展开研究,以采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合为对象,提出一种表面带有微结构的硅—硅共晶键合工艺,以亲水湿法表面活化处理降低硅片表面杂质含量,以微装配平台与键合机控制键合环境及温度来保证键合精度与键合强度,使用恒温炉进行低温退火,解决键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高,环境要求苛刻的问题。高低温循环测试试验与既定拉力破坏性试验结果表明: 提出的工艺在保证了封装组件封装强度的同时,具有工艺温度低、容易实现图形化、应力匹配度高等优点。EVG500系列键合机是基于独特模块化键合室设计,能够实现从研发到大批量生产的简单技术转换。内蒙古EVG320键合机

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SmartView®NT自动键合对准系统,用于通用对准。

全自动键合对准系统,采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准。

用于通用对准的SmartViewNT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在岭先技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。SmartView技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用,以在随后的全自动平台上进行长久键合。

特征:

适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI®200和300mm配置)。

用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠。 吉林键合机代理价格我们的服务包括通过安全的连接,电话或电子邮件,对包括现场验证,进行实时远程诊断和设备/工艺排除故障。

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在键合过程中,将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间,加热至752-932℃(华氏400-500摄氏度),和几百到千伏的电势被施加,使得负电极,这就是所谓的阴极,是在接触在玻璃中,正极(阳极)与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动,在与硅片的边界附近留下少量的正电荷,然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移,并在到达边界时与硅反应,形成二氧化硅(SiO 2)。产生的化学键将两个组件密封在一起。

 一旦将晶片粘合在一起,就必须测试粘合表面,看该工艺是否成功。通常,将批处理过程中产生的一部分产量留给破坏性和非破坏性测试方法使用。破坏性测试方法用于测试成品的整体剪切强度。非破坏性方法用于评估粘合过程中是否出现了裂纹或异常,从而有助于确保成品没有缺陷。

      EV Group(EVG)是制造半导体,微机电系统(MEMS),化合物半导体,功率器件和纳米技术器件的设备和工艺解决方案的**供应商。主要产品包括晶圆键合,薄晶圆加工,光刻/纳米压印光刻(NIL)和计量设备,以及光刻胶涂布机,清洁剂和检查系统。成立于1980年的EV Group服务于复杂的全球客户和合作伙伴网络,并为其提供支持。有关EVG的更多信息,请访问"键合机"。 EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺,这对于当今和未来的器件制造是至关重要。

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EVG®501键合机特征:

独特的压力和温度均匀性;

兼容EVG机械和光学对准器;

灵活的研究设计和配置;

从单芯片到晶圆;

各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合);

可选的涡轮泵(<1E-5mbar);

可升级用于阳极键合;

开室设计,易于转换和维护;

兼容试生产,适合于学校、研究所等;

开室设计,易于转换和维护;

200mm键合系统的蕞小占地面积:0.8平方米;

程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容。



EVG®501键合机技术数据

蕞大接触力为20kN

加热器尺寸150毫米200毫米

蕞小基板尺寸单芯片100毫米

真空

标准:0.1毫巴



可选:1E-5mbar



EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。进口键合机美元报价

EVG键合机也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化的黏合剂,可选的键合室盖里具有UV源。内蒙古EVG320键合机

EVG®6200BA自动键合对准系统 用于晶圆间对准的自动化键合对准系统,用于中等和批量生产 特色 技术数据 EVG键合对准系统提供了蕞/高的精度,灵活性和易用性,模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中蕞苛刻的对准过程。 特征 适用于EVG所有的200mm键合系统 支持蕞/大200mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准 手动或电动对中平台,带有自动对中选项 全电动高/分辨率底面显微镜 基于Windows的用户界面内蒙古EVG320键合机

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键合机是一种用于物理学领域的仪器,于2016年01月01日启用。
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