对准晶圆键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬**造，晶圆级3D集成和晶圆减薄方面很有用的技术。反过来，这些工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。这些工艺也能用于制造工程衬底，例如SOI（绝缘体上硅）。 主流键合工艺为：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。采用哪种键合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。 键合机厂家EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验，拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。同时，EVG的GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。业内主流键合机使用工艺：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。江苏键合机美元价
EVG®610BA键对准系统
适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统。
EVG610键合对准系统设计用于蕞大200mm晶圆尺寸的晶圆间对准。EVGroup的键合对准系统可通过底侧显微镜提供手动高精度对准平台。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中蕞苛刻的对准过程。
特征：
蕞适合EVG®501和EVG®510键合系统。
晶圆和基板尺寸蕞大为150/200mm。
手动高精度对准台。
手动底面显微镜。
基于Windows的用户界面。
研发和试生产的蕞佳总拥有成本（TCO）。 安徽EVG820键合机根据键合机型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。
Ziptronix Inc. 与 EV Group（简称“EVG ”）***宣布已成功地在客户提供的300毫米DRAM晶圆实现亚微米键合后对准精度。方法是在 EVG Gemini FB 产品融合键合机和 SmartView NT 键合对准机上采用 Ziptronix 的DBI混合键合技术。这种方法可用于制造各种应用的微间距3D集成电路，包括堆栈存储器、上等图像传感器和堆栈式系统芯片 (SoC)。
Ziptronix 的首席技术官兼工程副总裁 Paul Enquist 表示：“DBI 混合键合技术的性能不受连接间距的限制，只需要可进行测量的适当的对准和布局工具，而这是之前一直未能解决的难题。EVG 的融合键合设备经过优化后实现了一致的亚微米键合后对准精度，此对准精度上的改进为我们的技术的大批量生产 (HVM) 铺平了道路。”
该技术用于封装敏感的电子组件，以保护它们免受损坏，污染，湿气和氧化或其他不良化学反应。阳极键合尤其与微机电系统（MEMS）行业相关联，在该行业中，阳极键合用于保护诸如微传感器的设备。阳极键合的主要优点是，它可以产生牢固而持久的键合，而无需粘合剂或过高的温度，而这是将组件融合在一起所需要的。阳极键合的主要缺点是可以键合的材料范围有限，并且材料组合还存在其他限制，因为它们需要具有类似的热膨胀率系数-也就是说，它们在加热时需要以相似的速率膨胀，否则差异膨胀可能会导致应变和翘曲。
而EVG的键合机所提供的技术能够比较有效地解决阳极键合的问题，如果需要了解，请点击：键合机。 EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺，这对于当今和未来的器件制造是至关重要。
目前关于晶片键合的研究很多，工艺日渐成熟，但是对于表面带有微结构的硅片键合研究很少，键合效果很差。
本文针对表面带有微结构硅晶圆的封装问题，提出一种基于采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合的键合工艺，实现表面带有微结构硅晶圆之间的键合，解决键合对硅晶圆表面要求极高，环境要求苛刻的问题。
在对金层施加一定的压力和温度时，金层发生流动、互 融，从而形成键合。该过程对金的纯度要求较高，即当金层 发生氧化就会影响键合质量。 EVG键合机键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，用来执行随后的键合过程。EVG805键合机国内代理
我们的服务包括通过安全的连接，电话或电子邮件，对包括现场验证，进行实时远程诊断和设备/工艺排除故障。江苏键合机美元价
1) 由既定拉力测试高低温循环测试结果可以看出，该键合工艺在满足实际应用所需键合强度的同时，解决了键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高、对环境要求苛刻的问题。
2) 由高低温循环测试结果可以看出，该键合工艺可以适应复杂的实际应用环境，且具有工艺温度低，容易实现图 形化，应力匹配度高等优点。
3) 由破坏性试验结果可以看出，该键合工艺在图形边沿的键合率并不高，键合效果不太理想，还需对工艺流程进 一步优化，对工艺参数进行改进，以期达到更高的键合强度与键合率。 江苏键合机美元价
