F3-CS：
快速厚度测量可选配FILMeasure厚度测量软件使厚度测量就像在平台上放置你的样品一樣容易, 软件內建所有常见的电介质和半导体层（包括C，N和HT型聚对二甲苯）的光学常数(n和k）,厚度结果會及時的以直覺的测量结果显示对于進階使用者，可以進一步以F3-CS测量折射率, F3-CS可在任何运行Windows XP到 Windows8 64位作業系統的计算机上运行, USB电缆則提供电源和通信功能.
包含的内容：USB供电之光谱仪/光源装置FILMeasure 8 软件內置样品平台BK7 参考材料四万小时光源寿命
额外的好处：应用工程师可立刻提供帮助（周一 - 周五）网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网) F40-EXR范围：20nm-120µm；波长：400-1700nm。重庆研究所膜厚仪
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。
测量范例氮化硅薄膜作为电介质，钝化层，或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中，我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系数。有趣的事，氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型，F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质，不管他们是富硅，贫硅，还是分子当量。 重庆研究所膜厚仪只需按下一个按钮，您在不到一秒钟的同时测量厚度和折射率。
参考材料
备用 BK7 和二氧化硅参考材料。
BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜
BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜
REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准
REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准
REF-BK71½" x 1½" BK7 反射基准。
REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英，用于双界面基准。
REF-Si-22" 单晶硅晶圆
REF-Si-44" 单晶硅晶圆
REF-Si-66" 单晶硅晶圆
REF-Si-88" 单晶硅晶圆
REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片
REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片
REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片
F50 系列
包含的内容：集成光谱仪/光源装置光纤电缆4", 6" and 200mm 参考晶圆TS-SiO2-4-7200 厚度标准BK7 参考材料整平滤波器 (用于高反射基板)真空泵备用灯
型号 厚度范围*波长范围
F50：20nm-70µm 380-1050nm
F50-UV：5nm-40µm 190-1100nm
F50-NIR：100nm-250µm 950-1700nm
F50-EXR：20nm-250µm 380-1700nm
F50-UVX：5nm-250µm 190-1700nm
F50-XT：0.2µm-450µm 1440-1690nm
F50-s980：4µm-1mm 960-1000nm
F50-s1310：7µm-2mm 1280-1340nm
F50-s1550：10µm-3mm 1520-1580nm
额外的好处：每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一 - 周五）网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划 采用Michaelson干涉方法，红外波段的激光能更好的穿透被测物体，准确得到测试结果。
FSM 8018 VITE测试系列设备
VITE技术介绍：
VITE是傅里叶频域技术，利用近红外光源的相位剪切技术（Phase shear technology）
设备介绍
适用于所有可让近红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物…………
应用:
衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)
平整度
厚度变化 (TTV)
沟槽深度
过孔尺寸、深度、侧壁角度
粗糙度
薄膜厚度
不同半导体材料的厚度
环氧树脂厚度
衬底翘曲度
晶圆凸点高度(bump height)
MEMS 薄膜测量
TSV 深度、侧壁角度...
F50-UV测厚范围：5nm-40µm；波长：190-1100nm。重庆研究所膜厚仪
基板材料: 如果薄膜位于粗糙基板 (大多数金属) 上的话，一般不能测量薄膜的折射率。重庆研究所膜厚仪
集成电路故障分析故障分析 (FA) 技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。
故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装) 和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。 Filmetrics F3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。 厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸**小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。
测量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度 重庆研究所膜厚仪
