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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG®501是晶圆键合机系统 应用:适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合系统 EVG501技术数据: EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从单个芯片(碎片)到150mm(200mm键合室为200mm)的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性是大学,研发机构或小批量生产的理想选择。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。EVG的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。中国香港键合机国内代理

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EVG®810LT技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子活化室

工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)

通用质量流量控制器:自校准(高达20.000sccm)

真空系统:9x10-2mbar

腔室的打开/关闭:自动化

腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)



可选功能:

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统:9x10-3mbar基本压力



符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统

Si:Si/Si,Si/Si(热氧化,Si(热氧化)/

Si(热氧化)

TEOS/TEOS(热氧化)

绝缘体锗(GeOI)的Si/Ge

Si/Si3N4

玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

化合物半导体:GaAs,GaP,InP

聚合物:PMMA,环烯烃聚合物

用户可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)



MEMS键合机联系电话业内主流键合机使用工艺:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。

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晶圆级封装在封装方式上与传统制造不同。该技术不是将电路分开然后在继续进行测试之前应用封装和引线,而是用于集成多个步骤。在晶片切割之前,将封装的顶部和底部以及焊锡引线应用于每个集成电路。测试通常也发生在晶片切割之前。

      像许多其他常见的组件封装类型一样,用晶圆级封装制造的集成电路是一种表面安装技术。通过熔化附着在元件上的焊球,将表面安装器件直接应用于电路板的表面。晶圆级组件通常可以与其他表面贴装设备类似地使用。例如,它们通常可以在卷带机上购买,以用于称为拾取和放置机器的自动化组件放置系统。

EVG®850TB临时键合机特征:

开放式胶粘剂平台;

各种载体(硅,玻璃,蓝宝石等);

适用于不同基板尺寸的桥接工具功能;

提供多种装载端口选项和组合;

程序控制系统;

实时监控和记录所有相关过程参数;

完全集成的SECS/GEM接口;

可选的集成在线计量模块,用于自动反馈回路;



技术数据:

晶圆直径(基板尺寸):蕞长300毫米,可能有超大的托架

不同的基材/载体组合

组态

外套模块

带有多个热板的烘烤模块

通过光学或机械对准来对准模块

键合模块:

选件

在线计量

ID阅读

高形貌的晶圆处理

翘曲的晶圆处理 我们的服务包括通过安全的连接,电话或电子邮件,对包括现场验证,进行实时远程诊断和设备/工艺排除故障。

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共晶键合[8,9]是利用某些共晶合金熔融温度较低的特点,以其作为中间键合介质层,通过加热熔融产生金属—半导体共晶相来实现。因此,中间介质层的选取可以很大程度影响共晶键合的工艺以及键合质量。中间金属键合介质层种类很多,通常有铝、金、钛、铬、铅—锡等。虽然金—硅共熔温度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶体的一种成分即为预键合材料硅本身,可以降低键合工艺难度,且其液相粘结性好,故本文采用金—硅合金共晶相作为中间键合介质层进 行表面有微结构的硅—硅共晶键合技术的研究。而金层与 硅衬底的结合力较弱,故还要加入钛金属作为黏结层增强金层与硅衬底的结合力,同时钛也具有阻挡扩散层的作用, 可以阻止金向硅中扩散[10,11]。EVG键合机软件,支持多语言,集成错误记录/报告和恢复和单个用户帐户设置,可以简化用户常规操作。云南美元价键合机

EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。中国香港键合机国内代理

EVG®820层压系统 将任何类型的干胶膜(胶带)自动无应力层压到晶圆上 特色 技术数据 EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动,无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔,然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术,可以自由选择胶带的尺寸和尺寸,并且与基材无关。 特征 将任何类型的干胶膜自动,无应力和无空隙地层压到载体晶片上 在载体晶片上精确对准的层压 保护套剥离 干膜层压站可被集成到一个EVG®850TB临时键合系统 技术数据 晶圆直径(基板尺寸) 高达300毫米 组态 1个打孔单元 底侧保护衬套剥离 层压 选件 顶侧保护膜剥离 光学对准 加热层压 中国香港键合机国内代理

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键合机是一种用于物理学领域的仪器,于2016年01月01日启用。
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