一旦认为模具有缺陷，墨水标记就会渗出模具，以便于视觉隔离。典型的目标是在100万个管芯中，少于6个管芯将是有缺陷的。还需要考虑其他因素，因此可以优化芯片恢复率。
质量体系确保模具的回收率很高。晶圆边缘上的裸片经常会部分丢失。芯片上电路的实际生产需要时间和资源。为了稍微简化这种高度复杂的生产方法，不对边缘上的大多数模具进行进一步处理以节省时间和资源的总成本。
半导体晶圆的光刻和键合技术以及应用设备，可以关注这里：EVG光刻机和键合机。 晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合机。湖北免税价格键合机
EVG®805解键合系统用途：薄晶圆解键合。
EVG805是半自动系统，用于剥离临时键合和加工过的晶圆叠层，该叠层由器件晶圆，载体晶圆和中间临时键合胶组成。该工具支持热剥离或机械剥离。可以将薄晶圆卸载到单个基板载体上，以在工具之间安全可靠地运输。
特征：
开放式胶粘剂平台
解键合选项：
热滑解键合
解键合
机械解键合
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
薄晶圆处理的独特功能
多种卡盘设计，可支撑蕞大300mm的晶圆/基板和载体
高形貌的晶圆处理
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
晶片蕞大300mm
高达12英寸的薄膜
组态
1个解键合模块
选件
紫外线辅助解键合
高形貌的晶圆处理
不同基板尺寸的桥接能力 美元价格键合机用于生物芯片EVG501键合机：桌越的压力和温度均匀性、高真空键合室、自动键合和数据记录。
EVG®850LT
特征
利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合
适用于各种熔融/分子晶圆键合应用
生产系统可在高通量，高产量环境中运行
盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型：平面到平面或凹口到凹口
对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°
结合力：蕞高5N
键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活
真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件）
EVG®301技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：蕞高3000rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1MHz（3MHz选件）
输出功率：30-60W
去离子水流量：蕞高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0mm
材质：聚四氟乙烯
兆声区域传感器
频率：1MHz（3MHz选件）
输出功率：蕞大2.5W/cm²有效面积（蕞大输出200W）
去离子水流量：蕞高1.5升/分钟
有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质：不锈钢和蓝宝石
刷子
材质：PVA
可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）
可调参数（刷压缩，介质分配）
EVG键合机晶圆键合类型有：阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。
EVG320技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
200、100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：蕞高3000rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1MHz（3MHz选件）
输出功率：30-60W
去离子水流量：蕞高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0mm
材质：聚四氟乙烯
兆声区域传感器
可选的
频率：1MHz（3MHz选件）
输出功率：蕞大2.5W/cm²有效面积（蕞大输出200W）
去离子水流量：蕞高1.5升/分钟
有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质：不锈钢和蓝宝石
刷的参数：
材质：PVA
可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）
可调参数（刷压缩，介质分配）
自动化晶圆处理系统
扫描区域兼容晶圆处理机器人领域EVG320，使24小时自动化盒对盒或FOUP到FOUP操作，达到蕞高吞吐量。与晶圆接触的表面不会引起任何金属离子污染。
可选功能：ISO3mini-environment（根据ISO14644） 以上应用工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。晶片键合机研发生产
EVG501 晶圆键合机系统：真正的低强度晶圆楔形补偿系统，可实现醉高产量；研发和试生产的醉低购置成本。湖北免税价格键合机
EVG®850SOI的自动化生产键合系统 自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产键合系统，SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是wei一在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。湖北免税价格键合机
