Plessey工程副总裁John Whiteman解释说：“ GEMINI系统的模块化设计非常适合我们的需求。在一个系统中启用预处理，清洁，对齐（对准）和键合，这意味着拥有更高的产量和生产量。EVG提供的质量服务对于快 速有 效地使系统联机至关重要。”
EVG的执行技术总监Paul Lindner表示：“我们很荣幸Plessey选择了我们蕞先进的GEMINI系统来支持其雄心勃勃的技术开发路线图和大批量生产计划。”
该公告标志着Plessey在生产级设备投 资上的另一个重要里程碑，该设备将GaN-on-Si硅基氮化镓单片microLED产品推向市场。 EVG键合机晶圆加工服务包含如下： ComBond® - 硅和化合物半导体的导电键合、等离子活化直接键合。实际价格键合机国内用户
熔融和混合键合系统：
熔融或直接晶圆键合可通过每个晶圆表面上的介电层长久连接，该介电层用于工程衬底或层转移应用，例如背面照明的CMOS图像传感器。
混合键合扩展了与键合界面中嵌入的金属焊盘的熔融键合，从而允许晶片面对面连接。混合绑定的主要应用是高级3D设备堆叠。
EVG的熔融和混合键合设备包含：EVG301单晶圆清洗系统；EVG320自动化单晶圆清洗系统；EVG810LT低温等离子基活系统；EVG850LTSOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统；EVG850SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统；GEMINIFB自动化生产晶圆键合系统；BONDSCALE自动化熔融键合生产系统。 美元报价键合机可以试用吗EVG500系列键合机是基于独特模块化键合室设计，能够实现从研发到大批量生产的简单技术转换。
EVG®301特征
使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁
单面清洁刷（选件）
用于晶圆清洗的稀释化学品
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程
选件
带有红外检查的预键合台
非SEMI标准基材的工具
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：蕞高3000rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1MHz（3MHz选件）
输出功率：30-60W
去离子水流量：蕞高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0mm
材质：聚四氟乙烯
该技术用于封装敏感的电子组件，以保护它们免受损坏，污染，湿气和氧化或其他不良化学反应。阳极键合尤其与微机电系统（MEMS）行业相关联，在该行业中，阳极键合用于保护诸如微传感器的设备。阳极键合的主要优点是，它可以产生牢固而持久的键合，而无需粘合剂或过高的温度，而这是将组件融合在一起所需要的。阳极键合的主要缺点是可以键合的材料范围有限，并且材料组合还存在其他限制，因为它们需要具有类似的热膨胀率系数-也就是说，它们在加热时需要以相似的速率膨胀，否则差异膨胀可能会导致应变和翘曲。
而EVG的键合机所提供的技术能够比较有效地解决阳极键合的问题，如果需要了解，请点击：键合机。 以上应用工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。
用晶圆级封装制造的组件被***用于手机等消费电子产品中。这主要是由于市场对更小，更轻的电子设备的需求，这些电子设备可以以越来越复杂的方式使用。例如，除了简单的通话外，许多手机还具有多种功能，例如拍照或录制视频。晶圆级封装也已用于多种其他应用中。例如，它们用于汽车轮胎压力监测系统，可植入医疗设备，***数据传输系统等。
晶圆级封装还可以减小封装尺寸，从而节省材料并进一步降低生产成本。然而，更重要的是，减小的封装尺寸允许组件用于更***的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸，尤其是减小封装高度。 EVG键合机的特征有：压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。四川键合机研发生产
EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺，这对于当今和未来的器件制造是至关重要。实际价格键合机国内用户
EVG®810LT技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
50-200、100-300毫米
LowTemp™等离子活化室
工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）
通用质量流量控制器：自校准（高达20.000sccm）
真空系统：9x10-2mbar
腔室的打开/关闭：自动化
腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）
可选功能：
卡盘适用于不同的晶圆尺寸
无金属离子活化
混合气体的其他工艺气体
带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3mbar基本压力
符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统
Si：Si/Si，Si/Si（热氧化，Si（热氧化）/
Si（热氧化）
TEOS/TEOS（热氧化）
绝缘体锗（GeOI）的Si/Ge
Si/Si3N4
玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃
化合物半导体：GaAs，GaP，InP
聚合物：PMMA，环烯烃聚合物
用户可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）
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