共晶键合［8，9］是利用某些共晶合金熔融温度较低的特点，以其作为中间键合介质层，通过加热熔融产生金属—半导体共晶相来实现。因此，中间介质层的选取可以很大程度影响共晶键合的工艺以及键合质量。中间金属键合介质层种类很多，通常有铝、金、钛、铬、铅—锡等。虽然金—硅共熔温度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶体的一种成分即为预键合材料硅本身，可以降低键合工艺难度，且其液相粘结性好，故本文采用金—硅合金共晶相作为中间键合介质层进 行表面有微结构的硅—硅共晶键合技术的研究。而金层与 硅衬底的结合力较弱，故还要加入钛金属作为黏结层增强金层与硅衬底的结合力，同时钛也具有阻挡扩散层的作用， 可以阻止金向硅中扩散［10，11］。键合机供应商EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验，拥有累计2000多年晶圆键合经验的员工。吉林解键合键合机
EVG®301特征
使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁
单面清洁刷（选件）
用于晶圆清洗的稀释化学品
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程
选件
带有红外检查的预键合台
非SEMI标准基材的工具
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：蕞高3000rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1MHz（3MHz选件）
输出功率：30-60W
去离子水流量：蕞高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0mm
材质：聚四氟乙烯 广东键合机免税价格旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。
晶圆级封装的实现可以带来许多经济利益。它允许晶圆制造，封装和测试的集成，从而简化制造过程。缩短的制造周期时间可提高生产量并降低每单位制造成本。
晶圆级封装还可以减小封装尺寸，从而节省材料并进一步降低生产成本。然而，更重要的是，减小的封装尺寸允许组件用于更***的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸，尤其是减小封装高度。
岱美仪器提供的EVG的晶圆键合机，可以实现晶圆级封装的功能。
在键合过程中，将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间，加热至752-932℃（华氏400-500摄氏度），和几百到千伏的电势被施加，使得负电极，这就是所谓的阴极，是在接触在玻璃中，正极（阳极）与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动，在与硅片的边界附近留下少量的正电荷，然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移，并在到达边界时与硅反应，形成二氧化硅（SiO 2）。产生的化学键将两个组件密封在一起。EVG的 GEMINI系列，在醉小占地面积上，一样利用EVG 醉高精度的Smart View NT对准技术。
EVG®820层压系统 将任何类型的干胶膜（胶带）自动无应力层压到晶圆上 特色 技术数据 EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动，无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔，然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术，可以自由选择胶带的尺寸和尺寸，并且与基材无关。 特征 将任何类型的干胶膜自动，无应力和无空隙地层压到载体晶片上 在载体晶片上精确对准的层压 保护套剥离 干膜层压站可被集成到一个EVG®850TB临时键合系统 技术数据 晶圆直径（基板尺寸） 高达300毫米 组态 1个打孔单元 底侧保护衬套剥离 层压 选件 顶侧保护膜剥离 光学对准 加热层压 EVG键合机提供的加工服务。进口键合机微流控应用
EVG的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。吉林解键合键合机
完美的多用户概念（无限数量的用户帐户，各种访问权限，不同的用户界面语言） 桌面系统设计，占用空间蕞小 支持红外对准过程 EVG®610BA键合机技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架：可选 隔振：被动 对准方法 背面对准：±2µm3σ 透明对准：±1µm3σ 红外校准：选件 对准阶段 精密千分尺：手动 可选：电动千分尺 楔形补偿：自动 基板/晶圆参数 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆叠高度：10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准：2个卡带站 可选：蕞多5个站吉林解键合键合机
