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半桥式变压器开关电源大的优点是,对两个开关器件的耐压要求比推挽式变压器开关电源对两个开关器件的耐压要求可以降低一半。因为,半桥式变压器开关电源两个开关器件的工作电压只有输入电源Ui的一半,其高耐压等于工作电压与反电动势之和,大约是电源电压的两倍,这个结果正好是推挽式变压器开关电源两个开关器件耐压的一半。因此,半桥式变压器开关电源主要用于输入电压比较高的场合,一般电网电压为交流220伏供电的大功率开关电源大部分都是用半桥式变压器开关电源。半桥式开关电源的变压器初级线圈只需要一个绕组,这也是它的优点,这对小功率开关电源变压器的线圈绕制多少带来一些方便。但对于大功率开关电源变压器的线圈绕制没有优势,因为,大功率开关电源变压器的线圈需要用多股线来绕制。半桥式变压器开关电源的缺点主要是电源利用率比较低,因此,半桥式变压器开关电源不适宜用于工作电压较低的场合。另外,半桥式变压器开关电源中的两个开关器件连接没有公共地,与驱动信号连接比较麻烦。半桥式开关电源大的缺点是,当两个控制开关K1和K2处于交替转换工作状态的时候,两个开关器件会同时出现一个很短时间的半导通区域,即两个控制开关同时处于接通状态。首先是有些医务人员(设备拥有者或使用者),没有合理正确地理解和评估技术与时间的价值性。湖北L10冷光源更换灯泡
连载26)双激式变压器开关电源part1(连载27)双激式变压器开关电源part2(连载28)整流输出推挽式变压器开关电源(连载29)推挽式变压器开关电源储能滤波电感、电容参数的计算(连载30)推挽式变压器开关电源储能滤波电容参数的计算(连载31)推挽式开关电源变压器参数的计算(连载32)推挽式开关电源的优缺点(连载33)半桥式变压器开关电源(连载34)交流输出半桥式变压器开关电源part1(连载35)交流输出半桥式变压器开关电源part2(连载36)交流输出单电容半桥式变压器开关电源part1(连载37)交流输出单电容半桥式变压器开关电源part2(连载38)单电容半桥式变压器开关电源输出电压(连载39)整流输出半桥式变压器开关电源(连载40)半桥式开关电源储能滤波电感、电容参数的计算(连载41)半桥式开关电源变压器参数的计算(连载42)半桥式变压器开关电源的优缺点(连载43)全桥式变压器开关电源(连载44)整流输出全桥式变压器开关电源(连载45)全桥式开关电源变压器参数的计算(连载46)全桥式变压器开关电源的优缺点(连载47)开关电源主要器件之开关电源变压器(连载48)开关变压器的工作原理(连载49)脉冲序列对单激式开关电源变压器铁芯的磁化part1(连载50)脉冲序列对单激式开关电源变压器铁芯的磁化part2。湖北L10冷光源更换灯泡使得医疗设备管理人员缺乏工作积极性,影响了医疗设备的保养和维修工作的开展。
而是由于这类肖特基二极管具有较高的结电容所致。所谓高电压肖特基二极管就是它的反向击穿电压大于60V。与滤波电容有关的损耗输入输出滤波电容并不是开关电源的主要损耗源,尽管它们对电源的工作寿命影响很大。如果输入电容选择不正确的话,会使得电源工作时达不到它实际应有的高效率。每个电容器都有与电容相串联的小电阻和电感。等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)是由电容器的结构所导致的寄生元件,它们都会阻碍外部信号加在内部电容上。因此电容器在直流工作时性能好,但在电源的开关频率下性能会差很多。输入输出电容是功率开关或输出整流器产生的高频电流的一个来源(或储存处),所以通过观察这些电流波形可以合理地确定流过这些电容ESR的电流。这个电流不可避免地在电容内产生热量。设计滤波电容的主要任务就是确保电容内部发热足够低,以保证产品的寿命。式(4)给出了电容的ESR所产生的功率损耗的计算式。不但电容模型中的电阻部分会引起问题,而且如果并联的电容器引出线不对称,引线电感会使电容内部发热不均衡,从而缩短温度高的电容的寿命。附加损耗附加损耗与所有运行功率电路所需的功能器件有关,这些器件包括与控制IC相关的电路以及反馈电路。
这种感应电动势是励磁电流存储于关变压器铁心中的磁能量产生的;这种感应电动势对于变压器次级线圈电压输出绕组来说,属于反激式输出。即:全桥式变压器开关电源同时存在正、反激电压输出。反激式电压产生的原因是因为K1和K4或K2和K3接通瞬间变压器初级或次级线圈中的电流初始值不等于零,或磁通的初始值不等于零。实际上,全桥式变压器开关电源的反激式输出电压部分是不能忽略的。全桥式变压器开关电源变压器次级线圈的输出电压应该同时包括两部分,正激输出电压和反激输出电压。因此,图1-47中,当控制开关K1和K4关断,K2和K3接通瞬间,开关变压器次级线圈输出电压应该等于正激电压与反激电压之和。正激电压的计算可由(1-182)式和(1-183)式给出,反激电压的计算可由(1-67)或(1-68)式给出。关于纯电阻负载反激式输出电压的计算,请参考前面《1-5-1.单激式变压器开关电源的工作原理》章节中的相关内容分析,这里不再赘述。根据(1-67)式上式中,[uo]表示开关变压器次级线圈N2绕组输出的反激式电压,[i2]表示开关变压器次级线圈N2绕组输出反激式电压对负载R产生的电流。另外根据(1-183)式求得的结果,开关变压器次级线圈N2绕组产生的正激式输出电压为:。但这对于我们医疗设备维修管理人员来说,是否意味着减轻了担子,从此可以“放马南山”。
当等效的多数载流子MOSFET关断时,在IGBT少数载流子BJT中仍存在存储时间延迟td(off)I。不过,降低Eoff驱动阻抗将会减少米勒电容(Millercapacitance)CRES和关断VCE的dv/dt造成的电流注到栅极驱动回路中的风险,避免使器件重新偏置为传导状态,从而导致多个产生Eoff的开关动作。ZVS和ZCS拓扑在降低MOSFET和IGBT的关断损耗方面很有优势。不过ZVS的工作优点在IGBT中没有那么大,因为当集电极电压上升到允许多余存储电荷进行耗散的电势值时,会引发拖尾冲击电流Eoff。ZCS拓扑可以提升大的IGBTEoff性能。正确的栅极驱动顺序可使IGBT栅极信号在第二个集电极电流过零点以前不被清理,从而明显降低IGBTZCSEoff。MOSFET的Eoff能耗是其米勒电容Crss、栅极驱动速度、栅极驱动关断源阻抗及源极功率电路路径中寄生电感的函数。该电路寄生电感Lx(如图8所示)产生一个电势,通过限制电流速度下降而增加关断损耗。在关断时,电流下降速度di/dt由Lx和VGS(th)决定。如果Lx=5nH,VGS(th)=4V,则大电流下降速度为VGS(th)/Lx=800A/μs。总结:在选用功率开关器件时,并没有万全的解决方案,电路拓扑、工作频率、环境温度和物理尺寸,所有这些约束都会在做出佳选择时起着作用。如不及时做好清洁工作极易造成轨迹球失灵故障,严重的会发生电源供电单元部分故障。湖北L10冷光源更换灯泡
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半桥式变压器开关电源根据电磁感应定律可以对变压器初级线圈N1绕组回路列出方程:e1=N1*dΦ/dt=UabK1接通期间(1-156)上式中,e1为变压器初级线圈产生的电动势,Uab为电源加于变压器初级线圈N1绕组两端的电压,Uab=Ui/2,dΦ/dt为变压器铁心中磁通的变化率。这里我们假定电容器C1或C2两端的电压在K1接通期间基本保持不变,其两端电压正好等于输入电压Ui的二分之一。同样,可以对变压器次级线圈N2绕组回路列出方程:e2=N2*dΦ/dt=(Up)K1接通期间(1-157)上式中,(Up)为开关变压器次级线圈N2绕组正激输出电压的幅值,用括弧匡住来表示。由于流过开关变压器初级线圈N1绕组的励磁电流或开关变压器铁心中的磁通是线性变化的,所以我们可认为开关变压器次级线圈N2绕组正激输出电压是一个方波。方波的幅值Up与半波平均值Upa以及有效值Uo三者完全相等。根据(1-156)式和(1-157)式可以求得:(Up)=e2=ne1=nUi/2K1接通期间(1-158)(1-158)式就是半桥式变压器开关电源正激输出时的电压关系式。上式中,(Up)为开关变压器次级线圈N2绕组正激输出电压的幅值;Ui为开关电源变压器初级线圈N1绕组的输入电压;n为变压器次、初级线圈的变压比。湖北L10冷光源更换灯泡
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