深圳史赛克L10光源主机芯片级维修

    区别浪涌电流与冲击电流浪涌电流是surgecurrent；而冲击电流是inrushcurrent。surgecurrent是EMS的一个测试项目，即雷击试验，通过特定的装置通过感容打入一个超大的电流脉冲，电源需要经受得起这个脉冲而不损坏；而inrushcurrent是一入市电，特别是90/-90度输入电压**时的电流首先个脉冲值，不能超过规定值。浪涌电流的规定为：IEC61000-4-5；国标里面为：GB/T电磁兼容试验和测量浪涌（冲击）坑扰度试验。请问一下关于冲击电流的标准是什么样的呢？对于电流的限值是怎么规定的呢？浪涌电流指电源接通瞬间，流入电源设备的峰值电流。由于输入滤波电容迅速充电，所以该峰值电流远远大于稳态输入电流。电源应该限制AC开关、整流桥、保险丝、EMI滤波器件能承受的浪涌水**复开关环路，AC输入电压不应损坏电源或者导致保险丝烧断。浪涌电流同样也是指电网中出现的短时间象“浪”一样的高电压引起的大电流。当某些大容量的电气设备接通或断开时间，由于电网中存在电感，将在电网产生“浪涌电压”，从而引**涌电流。一般不管设备容量大小，都会存在浪涌电压，问题是小容量的设备产生的浪涌电压较小，不会产生多大的危害，因此常常被人们所忽略。上门维修，要求医院先付多少多少的工时差旅费，检查后，技术服务费（维修费）或配件费另计；深圳史赛克L10光源主机芯片级维修

    讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外，IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNPBJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（voltagetail）出现。这种延迟引起了类饱和(Quasi-saturation)效应，使集电极/发射极电压不能立即下降到其VCE(sat)值。这种效应也导致了在ZVS情况下，在负载电流从组合封装的反向并联二极管转换到IGBT的集电极的瞬间，VCE电压会上升。IGBT产品规格书中列出的Eon能耗是每一转换周期Icollector与VCE乘积的时间积分，单位为焦耳，包含了与类饱和相关的其他损耗。其又分为两个Eon能量参数，Eon1和Eon2。Eon1是没有包括与硬开关二极管恢复损耗相关能耗的功率损耗；Eon2则包括了与二极管恢复相关的硬开关导通能耗，可通过恢复与IGBT组合封装的二极管相同的二极管来测量，典型的Eon2测试电路如图2所示。IGBT通过两个脉冲进行开关转换来测量Eon。首先个脉冲将增大电感电流以达致所需的测试电流，然后第二个脉冲会测量测试电流在二极管上恢复的Eon损耗。在硬开关导通的情况下，栅极驱动电压和阻抗以及整流二极管的恢复特性决定了Eon开关损耗。深圳史赛克L10光源主机芯片级维修导致了医疗设备预防性维护保养（PM）。

    MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同.1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3,就其应用,根据其特点:MOSFET应用于开关电源,镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机,通信电源等等高频电源领域;IGBT集中应用于焊机,逆变器,变频器,电镀电解电源,超音频感应加热等领域开关电源(SwitchModePowerSupply；SMPS)的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT和MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换)拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或IGBT导通开关损耗的主要因素。

    试图确定那些没有明确定义的寄生参数的值是非常困难的，通常用一个经验值确定，换句话说，在进行软开关设计时，元器件的选择以能得到佳结果为原则来进行。在线路图中，合适的地方放置寄生元件非常重要，因为电气支路只在变换器工作的一部分时间内起作用。例如，整流器的结电容只有在整流器反向偏置时会很大，而当二极管正向偏置时就消失了。表l列出了一些容易确定的寄生参数和产生这些参数的元器件，以及这些值的大致范围。某些特殊的寄生参数值可以从特定元器件的数据资料中获得。印制电路板(PCB)对寄生参数的影响无处不在，好的PCB布局规则可以尽量减少这些影响。流过尖峰电流的印制线对由任一印制线所产生的电感和电容很敏感，所以这些线必须短而粗。存在交流高电压的PCB焊点，如功率开关的漏极或集电极或者整流管的阳极，极易与临近印制线产生耦合电容，使交流噪声耦合到邻近的印制线中。通过“过孔”连接可以使交流信号印制线的上下层都流过同样的信号。其余寄生参数的影响一般可归到相邻的寄生元件中。搞清楚构成一个典型变换器的每个元器件上的寄生参数的性质，将有助于确定磁性元件参数、设计PCB、设计EMI滤波器等。这是所有开关电源设计中难的一部分。极大影响了医疗设备的运行效率，更影响设备的使用寿命。

    导体的边缘效应对磁性元件的损耗和漏感等有较大的影响。绕组的边缘效应会造成由上述假定所限定的一维绕组损耗计算方法所不能计算的额外损耗。在不同的工作频率下，绕组之间距离不同，造成的交流电阻和漏感不同，对于一个指定的频率，存在一个佳的距离使得绕组交流电阻小;绕组在磁芯窗口中的位置对绕组参数也有一定的影响;对于高频变压器，原副边绕组的宽度与绕组损耗和能量的存储也有很大关系:原副边绕组宽度相同时高频变压器可以获得小的交流电阻和漏感。有关学者对这种边缘效应进行了详细的研究，使用二维有限元仿真软件，通过对磁场分布和电流分布进行分析证明了绕组边缘效应对绕组损耗和漏感的影响。因为有限元分析方法对每个设计方案都要单独求解，因此不能提供一般的结论，SoftSwitchingTechnologiesCorporation的Nasser，通过在Dowell方法分析结果上添加一些修正因数，则可以将二维的边缘效应考虑进去。使用二维有限元的方法分析绕组的边缘效应损耗，通过研究几何因素如绕组间距、位置等对磁场分布和电流分布的影响，进而得出几何因素对绕组损耗的影响，得出了一系列的绕组优化原则。在大电流时，铜带的使用是比较常见的。维修概论大凡仪器系统均由三个部分组成，即操作者、环境和仪器本身。深圳史赛克L10光源主机芯片级维修

这是维修中必不可少的一种基本检修方法。通常有断电测量和通电测量两种方式。深圳史赛克L10光源主机芯片级维修

    相比于电源的其他损耗，这些损耗一般较小，但是可以作些分析看看是否有改进的可能。首先是启动电路。启动电路从输入电压获得直流电流，使控制IC和驱动电路有足够的能量启动电源。如果这个启动电路不能在电源启动后切断电流，那么电路会有高达3W的持续的损耗，损耗大小取决于输入电压。第二个主要方面是功率开关驱动电路。如果功率开关用双极型功率晶体管，则基极驱动电流必须大于晶体管集电极e峰值电流除以增益(hFE)。功率晶体管的典型增益在5-15之间，这意味着如果是10A的峰值电流，就要求～2A的基极电流。基射极之间有，如果基极电流不是从非常接近，则会产生很大的损耗。功率MOSFET驱动效率比双极型功率晶体管高。MOSFET栅极有两个与漏源极相连的等效电容，即栅源电容Ciss和漏源电容Crss。MOSFET栅极驱动的损耗来自于开通MOSFET时辅助电压对栅极电容的充电，关断MOSFET时又对地放电。栅极驱动损耗计算由式(5)给出。对这个损耗，除了选择Ciss和Crss值较低的MOSFET，从而有可能略微降低大栅极驱动电压以外，没有太多的办法。与磁性元件有关的损耗对一般设计工程师而言，这部分非常复杂。因为磁性元件术语的特殊性，以下所述的损耗主要由磁心生产厂家以图表的形式表示。深圳史赛克L10光源主机芯片级维修

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