铟锡氧化物与透明导电氧化物液晶显示器,有机发光二极管变异体,以及绝大多数平面显示器技术都依靠透明导电氧化物 (TCO) 来传输电流,并作每个发光元素的阳极。 和任何薄膜工艺一样,了解组成显示器各层物质的厚度至关重要。 对于液晶显示器而言,就需要有测量聚酰亚胺和液晶层厚度的方法,对有机发光二极管而言,则需要测量发光、电注入和封装层的厚度。
在测量任何多个层次的时候,诸如光谱反射率和椭偏仪之类的光学技术需要测量或建模估算每一个层次的厚度和光学常数 (反射率和 k 值)。
不幸的是,使得氧化铟锡和其他透明导电氧化物在显示器有用的特性,同样使这些薄膜层难以测量和建模,从而使测量在它们之上的任何物质变得困难。Filmetrics 的氧化铟锡解决方案Filmetrics 已经开发出简便易行而经济有效的方法,利用光谱反射率精确测量氧化铟锡。 将新型的氧化铟锡模式和 F20-EXR, 很宽的 400-1700nm 波长相结合,从而实现氧化铟锡可靠的“一键”分析。 氧化铟锡层的特性一旦得到确定,剩余显示层分析的关键就解决了。
测量有机发光显示器有机发光显示器 (OLEDs)有机发光显示器正迅速从实验室转向大规模生产。明亮,超薄,动态的特性使它们成为从手机到电视显示屏的优先。组成显示屏的多层薄膜的精密测量非常重要,但不能用传统接触型的轮廓仪,因为它会破坏显示屏表面。我们的F20-UV,F40-UV,和F10-RT-UV将提供廉价,可靠,非侵入测量原型装置和全像素化显示屏。我们的光谱仪还可以测量大气敏感材料的化学变化。
测量透明导电氧化膜不论是铟锡氧化物,氧化锌,还是聚合物(3,4-乙烯基),我们独有的ITO光学模型,加上可见/近红外仪器,可以测得厚度和光学常数,费用和操作难度*是光谱椭偏仪的一小部分。 透明导电氧化物膜厚仪推荐型号F50-UV测厚范围:5nm-40µm;波长:190-1100nm。
FSM 413 红外干涉测量设备
关键词:厚度测量,光学测厚,非接触式厚度测量,硅片厚度,氮化硅厚度,激光测厚,近红外光测厚,TSV, CD, Trench,砷化镓厚度,磷化铟厚度,玻璃厚度测量,石英厚度,聚合物厚度, 背磨厚度,上下两个测试头。Michaelson干涉法,翘曲变形。
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产品名称:红外干涉厚度测量设备
· 产品型号:FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP,FSM413C2C, FSM 8108 VITE C2C
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电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学,半导体,以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – **简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0), 而且非常接近化学计量 (就是说,硅:氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范,通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难,因为硅:氮比率通常不是3:4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是,氧常常渗入薄膜,生成一定程度的氮氧化硅,增大测量难度。 但是幸运的是,我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!适用于所有可让红外线通过的材料 硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物等。
F54自动化薄膜测绘Filmetrics F54 系列的产品能以一个电动R-Theta 平台自动移动到选定的测量点以每秒测绘两个点的速度快速的测绘薄膜厚度, 样品直径达450毫米
可选择数十种内建之同心圆,矩形,或线性图案模式,或自行建立无数量限制之测量点.*需具备基本电脑技能的任何人可在数分钟内自行建立配方
F54 自动化薄膜测绘只需联结设备到您运行Windows™系统计算机的USB端口, 可在几分钟轻松设置
不同的型号主要是由厚度和波长范围作为区别。通常较薄的膜需要较短波长作测量(如F54-UV) 用来测量较薄的膜,而较长的波长可以用来测量更厚,更粗糙,或更不透明的薄膜 应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响),平整度。液晶显示器膜厚仪美元价格
可选的厚度和折射率模块让您能够充分利用 Filmetrics F10 的分析能力。穿透率膜厚仪中芯在用吗
技术介绍:
红外干涉测量技术, 非接触式测量。采用Michaelson干涉方法,红外波段的激光能更好的穿透被测物体,准确的得到测试结果。
产品简介:FSM 413EC 红外干涉测量设备
适用于所有可让红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物…………
应用:
衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)
平整度
沟槽深度
过孔尺寸、深度、侧壁角度
粗糙度
薄膜厚度
硅片厚度
环氧树脂厚度
衬底翘曲度
晶圆凸点高度(bump height)
MEMS 薄膜测量
TSV 深度、侧壁角度...
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