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膜厚仪基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • Frontier Semiconductor (FSM)
  • 型号
  • FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM
  • 是否定制
膜厚仪企业商机

集成电路故障分析故障分析 (FA) 技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。

故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装) 和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。 Filmetrics F3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。 厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸**小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。

测量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度 F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度,即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。铟锡氧化物膜厚仪研发生产

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Filmetrics 的技术Filmetrics 提供了范围***的测量生物医疗涂层的方案:支架: 支架上很小的涂层区域通常需要显微镜类的仪器。 我们的 F40 在几十个实验室内得到使用,测量钝化和/或药 物输送涂层。我们有独特的测量系统对整個支架表面的自動厚度测绘,只需在测量时旋轉支架。植入件: 在测量植入器件的涂层时,不规则的表面形状通常是***挑战。 Filmetrics 提供这一用途的全系列探头。导丝和导引针: 和支架一样,这些器械常常可以用象 F40 这样的显微镜仪器。导液管和血管成型球囊的厚度:大于 100 微米的厚度和可见光谱不透明性决定了 F20-NIR 是这一用途方面全世界众多实验室内很受欢迎的仪器。反射率膜厚仪服务为先F50-s980测厚范围:4µm-1mm;波长:960-1000nm。

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备用光源:

LAMP-TH1-5PAK:F10、F20、F30、F40、F50、和 F60 系统的非紫外光源。 5个/盒。1200 小时平均无故障。

LAMP-TH:F42F42 系统的光源。 1000 小时平均无故障。

LAMP-THF60:F60 系统的光源。 1000 小时平均无故障。

LAMP-THF80:F80 系统的光源。 1000 小时平均无故障。

LAMP-D2-L10290:L10290 氘光源。 2007年到2014年F20-UV的使用者。

LAMP-TH-L10290:L10290 钨卤素光源。 2007年到2014年F20-UV的使用者。

LAMP-D2-***T2:***T2光源需更换氘灯, 而卤素灯光源需更换使用LAMP-TH1-5PAK.

FSM 413SP

AND FSM 413C2C 红外干涉测量设备

适用于所有可让红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………


应用:

   衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)

   平整度

   厚度变化 (TTV)

   沟槽深度

   过孔尺寸、深度、侧壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

不同半导体材料的厚度

   环氧树脂厚度

   衬底翘曲度

   晶圆凸点高度(bump height)

MEMS 薄膜测量

TSV 深度、侧壁角度...

FSM413SP半自动机台人工取放芯片

Wafer 厚度3D图形

FSM413C2C Fully

automatic 全自动机台人工取放芯片

可适配Cassette、SMIF POD、FOUP.

产品名称:红外干涉厚度测量设备。

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技术介绍:

红外干涉测量技术, 非接触式测量。采用Michaelson干涉方法,红外波段的激光能更好的穿透被测物体,准确的得到测试结果。


产品简介:FSM 413EC 红外干涉测量设备

适用于所有可让红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………

应用:

   衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)

   平整度   

沟槽深度

   过孔尺寸、深度、侧壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

硅片厚度

   环氧树脂厚度

   衬底翘曲度

   晶圆凸点高度(bump height)

MEMS 薄膜测量

TSV 深度、侧壁角度...


F50-XT测厚范围:0.2µm-450µm;波长:1440-1690nm。薄膜测厚仪膜厚仪芯片行业

F50-UV测厚范围:5nm-40µm;波长:190-1100nm。铟锡氧化物膜厚仪研发生产

F60 系列

包含的内容:集成平台/光谱仪/光源装置(不含平台)4", 6" and 200mm 参考晶圆TS-SiO2-4-7200 厚度标准真空泵备用灯

型号厚度范围*波长范围

F60-t:20nm-70µm 380-1050nm

F60-t-UV:5nm-40µm 190-1100nm

F60-t-NIR:100nm-250µm 950-1700nm

F60-t-EXR:20nm-250µm 380-1700nm

F60-t-UVX:5nm-250µm 190-1700nm

F60-t-XT0:2µm-450µm 1440-1690nm

F60-t-s980:4µm-1mm 960-1000nm

F60-t-s1310:7µm-2mm 1280-1340nm

F60-t-s1550:10µm-3mm 1520-1580nm

额外的好处:每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助(周一 - 周五)网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划 铟锡氧化物膜厚仪研发生产

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