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    功率半导体才改称为电源管理半导体。也正是因为这么多的集成电路(IC)进入电源领域，人们才更多地以电源管理来称呼现阶段的电源技术。电源管理半导体本中的主导部分是电源管理IC，大致可归纳为下述8种：1AC/DC调制IC。内含低电压控制电路及高压开关晶体管。2DC/DC调制IC。包括升压/降压调节器，以及电荷泵。3功率因数控制PFC预调制IC。提供具有功率因数校正功能的电源输入电路。4脉冲调制或脉幅调制PWM/PFM控制IC。为脉冲频率调制和/或脉冲宽度调制控制器，用于驱动外部开关。5线性调制IC(如线性低压降稳压器LDO等)。包括正向和负向调节器，以及低压降LDO调制管。6电池充电和管理IC。包括电池充电、保护及电量显示IC，以及可进行电池数据通讯“智能”电池IC。7热插板控制IC(免除从工作系统中插入或拔除另一接口的影响)。8MOSFET或IGBT的开关功能IC。在这些电源管理IC中，电压调节IC是发展快、产量大的一部分。各种电源管理IC基本上和一些相关的应用相联系，所以针对不同应用，还可以列出更多类型的器件。电源管理的技术趋势是高效能、低功耗、智能化。提高效能涉及两个不同方面的内容：一方面想要保持能量转换的综合效率，同时还希望减小设备的尺寸;另一方面是保护尺寸不变。仪器使用初由工程技术人员指导仪器操作人员进行。三沙史赛克STRYKERX8000冷光源更换高压包

    串联等效电阻ESR同容抗1/ωC之比称之为Tanδ，这里的ESR是在120Hz下计算获得的值。显然，Tanδ随着测量频率的增加而变大，随测量温度的下降而增大。3阻抗Z在特定的频率下，阻碍交流电流通过的电阻即为所谓的阻抗（Z）。它与电容等效电路中的电容值、电感值密切相关，且与ESR也有关系。Z=√[ESR2+(XL-XC)2]式中，XC=1/ωC=1/2πfCXL=ωL=2πfL电容的容抗（XC）在低频率范围内随着频率的增加逐步减小，频率继续增加达到中频范围时电抗（XL）降至ESR的值。当频率达到高频范围时感抗（XL）变为主导，所以阻抗是随着频率的增加而增加。4漏电流电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。5纹波电流和纹波电压在一些资料中将此二者称做“涟波电流”和“涟波电压”，其实就是ripplecurrent，ripplevoltage。含义即为电容器所能耐受纹波电流/电压值。它们和ESR之间的关系密切。三沙史赛克STRYKERX8000冷光源更换高压包或是电源电路维修时，若多路负载中有一路短路，用分离法可快速找出故障负载。

    PWM和转换器的延迟■PWM和转换器合力完成如下工作：在周期的起始，PWM接收占空比信号D，输出持续一个周期的PWM波形，在这个周期的结束点，输出电压反映了上一个周期的电压+当前周期占空比的影响。■由此可见，如果在周期的末尾采样输出电压的话，PWM和转换器合起来有1个周期的延迟。有些资料上将PWM直接等效为一个ZOH，这样是存在问题的，因为ZOH只有半个周期的延迟，这样处理的前提是要求ADC在Ts/2的位置采样，并假设Ts/2处采样的值等于周期平均值。这个问题的根源是没有考虑开关电源的特殊性，而是将开关电源的等效模型当成真实模型来用了，认为PWM+转换器是一个输入模拟量d，输出稳定电压V的装置。环路延迟的处理■前面讨论过，转换器的输出电压在一个周期内是变换的，因此，ADC在何时采样就很关键了，假设电压在一个周期内是逐渐稳定的，那么理想的采样点是上一个占空比D刚刚结束，下一个占空比还未更新时。■按照这个思路，环路延迟（包括PWM的ZOH’等）=2Ts理想无延迟状况是采样V[k-]，产生D[k]，决定V[k+]，现在是采样V[k-2]，决定V[k]。提高输出电压采样精度■前面是假设输出电压在周期结束时精确，因而在周期末尾进行采样，这并不是好的方式。

    话说电容之三：电容的分类电容的分类方式及种类很多，基于电容的材料特性，其可分为以下几大类：1铝电解电容电容容量范围为μF～22000μF，高脉动电流、长寿命、大容量的****，广大应用于电源滤波、解藕等场合。2薄膜电容电容容量范围为～10μF，具有较小公差、较高容量稳定性及极低的压电效应，因此是X、Y安全电容、EMI/EMC的优先。3钽电容电容容量范围为μF～560μF，低等效串联电阻（ESR）、低等效串联电感（ESL）。脉动吸收、瞬态响应及噪声控制都优于铝电解电容，是高稳定电源的理想选择。4陶瓷电容电容容量范围为～100μF，独特的材料和薄膜技术的结晶，迎合了当今“更轻、更薄、更节能“的设计理念。5超级电容电容容量范围为～70F，极高的容值，因此又称做“金电容”或者“法拉电容”。主要特点是：超高容值、良好的充/放电特性，适合于电能存储和电源备份。缺点是耐压较低，工作温度范围较窄。话说电容之四：多层陶瓷电容（MLCC）对于电容而言，小型化和高容量是永恒不变的发展趋势。其中，要数多层陶瓷电容（MLCC）的发展快。多层陶瓷电容在便携产品中广大应用极为广大，但近年来数字产品的技术进步对其提出了新要求。例如。一定要遵循医疗设备维修保养制度有一定的了解。

    为进一步减小变压器的体积，可以采用平面变压器和压电变压器，可使高频功率变换器实现轻、小、薄和高功率密度。平面磁芯开发成功，可实现平面化的变压器设计。由于平面变压器要求磁芯、绕组是平面结构，所以应该采用多层PCB绕组。平面变压器的特点是高频，低造型，高度很小而工作频率很高。压电变压器利用压电陶瓷材料特有的“电压-振动”变换和“振动-电压”变换的性质传送能量，其等效电路如同一个串并联谐振电路，是功率变换领域的研究和应用的热点之一。3、模块化和集成化大量的无源器件增加了电源的体积，如果我们能将这些无源器件集成在一起，不仅可以减小电源的体积也可以降低电源的成本，从而扩大利润。将电源系统集成在一个芯片上，就可以使电源产品更为紧凑，体积更小，同时也减小了引线长度，从而减小了寄生参数。低温共烧陶瓷(LTCC)集成技术已成为无源集成的主流技术。应用LTCC技术将电源电路中的无源器件内埋，并集成在一起，又由于在LTCC技术的基础上，可以进行三维的电路设计，从而降低电源电路的体积，同时无源器件的集成内埋，使得安装成本也相应的减少，一举两得。此外，还可以在元件选型和PCB布局上考虑，简化电路，选用小封装的元器件。在学习阶段，接受的知识，一般都落后于设备的发展，而且实践太少。三沙史赛克STRYKERX8000冷光源更换高压包

这给我们又提出了许多新的问题。三沙史赛克STRYKERX8000冷光源更换高压包

    通常不希望在额定电压值以下有较大的漏电流，因此：实现可使用的超级电容器电压均衡电路的基本要求为：端电压达到设定值（稳压值）后，端电压的微小变化将导致很大的端电流变化，即稳压二极管的反向击穿特性，如图3，能承受较大的电流，稳压值应是稳定的，不随时间温度及其他因素变化。按照上述基本要求，简要原理如图4基本原理为：超级电容器电压经R5、R6分压送到U1的R端，这个分压值在，U1的K端相当于开路（有约400uA的漏电流）在R1上基本不产生附加压降，这样，由R1、R2、R3在Q1基极上的分压不是以使Q1导通，因此Q2不导通，电路处于静止（高阻）状态；当R5，R6分压点等于。使Q1的K端电压下降（可拉电流100mA以上）将在R1上产生大值为Uc-2V的压差，通常这时对应的Uc为，使Q1导通进入放大状态。并驱动Q2导通进入放大状态；即，由于该电路的UR端电压Q2集电极电流的跨导非常大，当U1的R端的所接的分压网络与Q2集电极所接的电阻R9连于同一点时，电路的特性类似稳压二极管特性，在一定程度上将端电压限制在“稳压值”以下，保证了超级电容器在充电时不会过电压，随着Q2集电极电流的上升，使R9电压达到后在Q2能维持在饱和状态下，该段的外特性是R9的电阻特性，并加一饱和压降。三沙史赛克STRYKERX8000冷光源更换高压包

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