自动厚度测量系统几乎任何形状的样品厚度和折射率的自动测绘。人工加载或机器人加载均可。
在线厚度测量系统监测控制生产过程中移动薄膜厚度。高达100 Hz的采样率可以在多个测量位置得到。
附件Filmetrics 提供各种附件以满足您的应用需要。
F20 系列世界上****的台式薄膜厚度测量系统只需按下一个按钮，您在不到一秒钟的同时测量厚度和折射率。设置同样简单, 只需插上设备到您运行Windows™系统计算机的USB端口, 并连接样品平台 , F20已在世界各地有成千上万的应用被使用. 事实上，我们每天从我们的客户学习更多的应用.
选择您的F20主要取决於您需要测量的薄膜的厚度（确定所需的波长范围）
红外干涉测量技术, 非接触式测量。氮化镓膜厚仪美元报价
F50 和 F60 的晶圆平台提供不同尺寸晶圆平台。
F50晶圆平台- 100mm用于 2"、3" 和 4" 晶圆的 F50 平台组件。
F50晶圆平台- 200mm用于 4"、5"、 6" 和 200mm 晶圆的 F50 平台组件。
F50晶圆平台- 300mm用于 4"、5"、6"、200mm 和 300mm 晶圆的 F50 平台组件。
F50晶圆平台- 450mmF50 夹盘组件实用于 4", 5", 6", 200mm, 300mm, 以及450mm毫米晶片。
F50晶圆平台- 订制预订 F50 的晶圆平台，通常在四星期内交货。
F60晶圆平台- 200mm用于 4"、5"、6" 和 200mm 晶圆的 F60 平台组件。
F60晶圆平台- 300mm用于 4"、5"、6"、200mm 和 300mm 晶圆的 F60 平台组件。 湖北晶圆片膜厚仪F20测厚范围：15nm - 70µm；波长：380-1050nm。
F50 系列
包含的内容：集成光谱仪/光源装置光纤电缆4", 6" and 200mm 参考晶圆TS-SiO2-4-7200 厚度标准BK7 参考材料整平滤波器 (用于高反射基板)真空泵备用灯
型号 厚度范围*波长范围
F50：20nm-70µm 380-1050nm
F50-UV：5nm-40µm 190-1100nm
F50-NIR：100nm-250µm 950-1700nm
F50-EXR：20nm-250µm 380-1700nm
F50-UVX：5nm-250µm 190-1700nm
F50-XT：0.2µm-450µm 1440-1690nm
F50-s980：4µm-1mm 960-1000nm
F50-s1310：7µm-2mm 1280-1340nm
F50-s1550：10µm-3mm 1520-1580nm
额外的好处：每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一 - 周五）网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划
厚度标准：
所有 Filmetrics 厚度标准都是得到验证可追溯的 NIST 标准。
S-Custom-NIST：在客户提供的样品上定制可追溯的 NIST 厚度校准。
TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si ：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约 3100A，4" 晶圆。
TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si ：厚度标准，外加调焦区和单晶硅基准，厚度大约 10000A，4" 晶圆。
TS-Hardcoat-4µm：丙烯酸塑料硬涂层厚度标准，厚度大约 4um，直径 2"。
TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂层，可用于透射测量。
TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约 4um ，直径2"。
TS-Parylene-8um：硅基上的聚对二甲苯厚度标准，厚度大约 8um，23mm x 23mm。
TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度标准，厚度大约 7200A，4" 晶圆。
TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的 NIST SiO2-4-7200 厚度标准。
TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅标准: 125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和 10000埃米 (+/-10%误差)，6英寸晶圆。TS-SS3-SiO2-8000：專為SS-3样品平台設計之二氧化硅厚度标准片,厚度大约為 8000A。 F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度，即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。
测量范例氮化硅薄膜作为电介质，钝化层，或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中，我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系数。有趣的事，氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型，F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质，不管他们是富硅，贫硅，还是分子当量。 F30测厚范围：15nm-70µm；波长：380-1050nm。半导体膜厚仪代理商
F50测厚范围：20nm-70µm；波长：380-1050nm。氮化镓膜厚仪美元报价
参考材料
备用 BK7 和二氧化硅参考材料。
BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜
BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜
REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准
REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准
REF-BK71½" x 1½" BK7 反射基准。
REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英，用于双界面基准。
REF-Si-22" 单晶硅晶圆
REF-Si-44" 单晶硅晶圆
REF-Si-66" 单晶硅晶圆
REF-Si-88" 单晶硅晶圆
REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片
REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片
REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片 氮化镓膜厚仪美元报价
岱美仪器技术服务（上海）有限公司拥有磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理（拍卖除外）及其相关配套服务，国际贸易、转口贸易，商务信息咨询服务 等多项业务，主营业务涵盖半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪。公司目前拥有较多的高技术人才，以不断增强企业重点竞争力，加快企业技术创新，实现稳健生产经营。公司以诚信为本，业务领域涵盖半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪，我们本着对客户负责，对员工负责，更是对公司发展负责的态度，争取做到让每位客户满意。公司凭着雄厚的技术力量、饱满的工作态度、扎实的工作作风、良好的职业道德，树立了良好的半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪形象，赢得了社会各界的信任和认可。
