膜厚仪相关图片
  • 掩模对准膜厚仪干涉测量应用,膜厚仪
  • 掩模对准膜厚仪干涉测量应用,膜厚仪
  • 掩模对准膜厚仪干涉测量应用,膜厚仪
膜厚仪基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • Frontier Semiconductor (FSM)
  • 型号
  • FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM
  • 是否定制
膜厚仪企业商机

F10-AR

无须处理涂层背面我们探头设计能抑 制 1.5mm 厚基板 98% 的背面反射,使用更厚的镜头抑 制的更多。

就像我们所有的台式仪器一样,F10-AR 需要连接到您装有 Windows 计算机的 USB 端口上并在数分钟内即可完成设定。

包含的内容:集成光谱仪/光源装置FILMeasure 8 软件FILMeasure **软件 (用于远程数据分析)CP-1-1.3 探头BK7 参考材料整平滤波器 (用于高反射基板)备用灯


额外的好处:每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助(周一 - 周五)网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划 测量SU-8 其它厚光刻胶的厚度有特别重要的应用。掩模对准膜厚仪干涉测量应用

掩模对准膜厚仪干涉测量应用,膜厚仪

F60 系列生产环境的自动测绘Filmetrics F60-t 系列就像我们的 F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率,但它增加了许多用于生产环境的功能。 这些功能包括凹槽自动检测、自动基准确定、全封闭测量平台、预装软件的工业计算机,以及升级到全自動化晶圆传输的机型。

不同的 F60-t 仪器根据波长范围加以区分。 较短的波长 (例如, F60-t-UV) 一般用于测量较薄的薄膜,而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。 

包含的内容:集成平台/光谱仪/光源装置(不含平台)4", 6" and 200mm 参考晶圆TS-SiO2-4-7200 厚度标准真空泵备用灯 山东膜厚仪国内用户采用Michaelson干涉方法,红外波段的激光能更好的穿透被测物体,准确得到测试结果。

掩模对准膜厚仪干涉测量应用,膜厚仪

F10-ARc

获得**精确的测量.自动基准功能**增加基准间隔时间, 量测准确性优於其他光纤探头反射测量系统5倍可选择UPG - F10-AR - HC软件升级 测量0.25-15μm硬涂层的厚度. 即使在防反射涂层存在时仍可测量硬涂层厚度我们***探头设计可排除98%背面反射,当镜片比1.5mm 更厚时, 可排除比例更高修正了硬膜层造成的局部反射扭曲现象。

F10-ARc:200nm - 15µm** 380-1050nm

当您需要技术支援致电我们的应用工程师,提供即时的24小时援助(週一至週五)网上的 “手把手” 

支持 (需要连接互联网)硬件升级计划

厚度标准:

所有 Filmetrics 厚度标准都是得到验证可追溯的 NIST 标准。

S-Custom-NIST:在客户提供的样品上定制可追溯的 NIST 厚度校准。 

TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si :厚度标准,外加调焦区和单晶硅基准,厚度大约 3100A,4" 晶圆。

TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si :厚度标准,外加调焦区和单晶硅基准,厚度大约 10000A,4" 晶圆。

TS-Hardcoat-4µm:丙烯酸塑料硬涂层厚度标准,厚度大约 4um,直径 2"。

TS-Hardcoat-Trans:背面透明的硬涂层,可用于透射测量。

TS-Parylene-4um:丙烯酸塑料上的聚对二甲苯厚度标准,厚度大约 4um ,直径2"。

TS-Parylene-8um:硅基上的聚对二甲苯厚度标准,厚度大约 8um,23mm x 23mm。

TS-SiO2-4-7200:硅基上的二氧化硅厚度标准,厚度大约 7200A,4" 晶圆。

TS-SiO2-4-7200-NIST:可追溯的 NIST SiO2-4-7200 厚度标准。

TS-SiO2-6-Multi:多厚度硅基上的二氧化硅标准: 125埃米,250埃米,500埃米,1000埃米,5000埃米,和 10000埃米 (+/-10%误差),6英寸晶圆。TS-SS3-SiO2-8000:專為SS-3样品平台設計之二氧化硅厚度标准片,厚度大约為 8000A。 Filmetrics 提供一系列的和测绘系统来测量 3nm 到 1mm 的单层、 多层、 以及单独的光刻胶薄膜。

掩模对准膜厚仪干涉测量应用,膜厚仪

集成电路故障分析故障分析 (FA) 技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。

故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装) 和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。 Filmetrics F3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。 厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸**小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。

测量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度 F30-UV测厚范围:3nm-40µm;波长:190-1100nm。江苏膜厚仪售后服务

应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响),平整度。掩模对准膜厚仪干涉测量应用

F50 系列

包含的内容:集成光谱仪/光源装置光纤电缆4", 6" and 200mm 参考晶圆TS-SiO2-4-7200 厚度标准BK7 参考材料整平滤波器 (用于高反射基板)真空泵备用灯

型号 厚度范围*波长范围

F50:20nm-70µm 380-1050nm

F50-UV:5nm-40µm 190-1100nm

F50-NIR:100nm-250µm 950-1700nm

F50-EXR:20nm-250µm 380-1700nm

F50-UVX:5nm-250µm 190-1700nm

F50-XT:0.2µm-450µm 1440-1690nm

F50-s980:4µm-1mm 960-1000nm

F50-s1310:7µm-2mm 1280-1340nm

F50-s1550:10µm-3mm 1520-1580nm

额外的好处:每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助(周一 - 周五)网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划 掩模对准膜厚仪干涉测量应用

岱美仪器技术服务(上海)有限公司发展规模团队不断壮大,现有一支专业技术团队,各种专业设备齐全。致力于创造***的产品与服务,以诚信、敬业、进取为宗旨,以建EVG,Filmetrics,MicroSense,Herz,Herzan,Film Sense,Polyteknik,4D,Nanotronics,Subnano,Bruker,FSM,SHB产品为目标,努力打造成为同行业中具有影响力的企业。我公司拥有强大的技术实力,多年来一直专注于磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理(拍卖除外)及其相关配套服务,国际贸易、转口贸易,商务信息咨询服务 的发展和创新,打造高指标产品和服务。岱美中国始终以质量为发展,把顾客的满意作为公司发展的动力,致力于为顾客带来***的半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪。

与膜厚仪相关的**
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责