非晶态多晶硅硅元素以非晶和晶体两种形式存在, 在两级之间是部分结晶硅。部分结晶硅又被叫做多晶硅。
非晶硅和多晶硅的光学常数(n和k)对不同沉积条件是独特的，必须有精确的厚度测量。 测量厚度时还必须考虑粗糙度和硅薄膜结晶可能的风化。
Filmetrics 设备提供的复杂的测量程序同时测量和输出每个要求的硅薄膜参数， 并且“一键”出结果。
测量范例多晶硅被***用于以硅为基础的电子设备中。这些设备的效率取决于薄膜的光学和结构特性。随着沉积和退火条件的改变，这些特性随之改变，所以准确地测量这些参数非常重要。监控晶圆硅基底和多晶硅之间，加入二氧化硅层，以增加光学对比，其薄膜厚度和光学特性均可测得。F20可以很容易地测量多晶硅薄膜的厚度和光学常数，以及二氧化硅夹层厚度。Bruggeman光学模型被用来测量多晶硅薄膜光学特性。
利用可选的 UPG-F10-AR-HC 软件升级能测量 0.25-15um 的硬涂层厚度。半导体薄膜膜厚仪竞争力怎么样
集成电路故障分析故障分析 (FA) 技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。
故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装) 和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。 Filmetrics F3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。 厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸**小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。
测量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度 导电氧化物膜厚仪镀膜行业F40测量范围；20nm-40µm;波长：400-850nm。
厚度测量产品：我们的膜厚测量产品可适用于各种应用。我们大部分的产品皆備有库存以便快速交货。请浏览本公司网页产品资讯或联系我们的应用工程师针对您的厚度测量需求提供立即协助。
单点厚度测量：
一键搞定的薄膜厚度和折射率台式测量系统。 测量 1nm 到 13mm 的单层薄膜或多层薄膜堆。
大多数产品都有库存而且可立即出货。
F20全世界销量**hao的薄膜测量系统。有各种不同附件和波长覆盖范围。
微米(显微)级别光斑尺寸厚度测量当测量斑点只有1微米（µm）时，需要用您自己的显微镜或者用我们提供的整个系统。
滤光片整平光谱响应。
ND#0.5 衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度 + ND#0.5 衰减整平滤波器.
ND#1 衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度 + ND#1 衰减整平滤波器.
ND#2 衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度 + ND#2 衰减整平滤波器.
420nm 高通滤波器.420nm 高通滤波器於滤波器架.
515nm 高通滤波器.515nm 高通滤波器於滤波器架.
520nm 高通滤波器 +ND1.520nm 高通滤波器 + ND#1 十倍衰减整平滤波器.
520nm 高通滤波器 + ND#2520nm 高通滤波器 + ND#2 一百倍衰减整平滤波器.
550nm 高通滤波器550nm 高通滤波器於滤波器架. Filmetrics 提供一系列的和测绘系统来测量 3nm 到 1mm 的单层、 多层、 以及单独的光刻胶薄膜。
F54包含的内容：
集成光谱仪/光源装置
MA-Cmount 安装转接器
显微镜转接器光纤连接线BK7
参考材料TS-Focus-SiO2-4-10000
厚度标准 聚焦/厚度标准4", 6" and 200mm
参考晶圆真空泵备用灯
型号厚度范围*波长范围
F54:20nm-40µm 380-850nm
F54-UV:4nm-30µm 190-1100nm
F54-NIR:40nm-100µm 950-1700nm
F54-EXR:20nm-100µm 380-1700nm
F54-UVX:4nm-100µm190-1700nm
*取决于材料与显微镜
额外的好处：每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一 - 周五）网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划 监测控制生产过程中移动薄膜厚度。高达100 Hz的采样率可以在多个测量位置得到。导电氧化物膜厚仪镀膜行业
F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度，即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。半导体薄膜膜厚仪竞争力怎么样
F30 系列监控薄膜沉积，**强有力的工具F30 光谱反射率系统能实时测量沉积率、沉积层厚度、光学常数 (n 和 k 值) 和半导体以及电介质层的均匀性。
样品层分子束外延和金属有机化学气相沉积: 可以测量平滑和半透明的，或轻度吸收的薄膜。 这实际上包括从氮化镓铝到镓铟磷砷的任何半导体材料。
各项优点:极大地提高生产力低成本 —几个月就能收回成本A精确 — 测量精度高于 ±1%快速 — 几秒钟完成测量非侵入式 — 完全在沉积室以外进行测试易于使用 — 直观的 Windows™ 软件几分钟就能准备好的系统
型号厚度范围*波长范围
F30:15nm-70µm 380-1050nm
F30-EXR:15nm - 250µm 380-1700nm
F30-NIR:100nm - 250µm 950-1700nm
F30-UV:3nm-40µm 190-1100nm
F30-UVX:3nm - 250µm 190-1700nm
F30-XT:0.2µm - 450µm1440-1690nm 半导体薄膜膜厚仪竞争力怎么样
岱美仪器技术服务（上海）有限公司主要经营范围是仪器仪表，拥有一支专业技术团队和良好的市场口碑。公司自成立以来，以质量为发展，让匠心弥散在每个细节，公司旗下半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪深受客户的喜爱。公司从事仪器仪表多年，有着创新的设计、强大的技术，还有一批**的专业化的队伍，确保为客户提供良好的产品及服务。在社会各界的鼎力支持下，持续创新，不断铸造***服务体验，为客户成功提供坚实有力的支持。
