在键合过程中,将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间,加热至752-932℃(华氏400-500摄氏度),和几百到千伏的电势被施加,使得负电极,这就是所谓的阴极,是在接触在玻璃中,正极(阳极)与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动,在与硅片的边界附近留下少量的正电荷,然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移,并在到达边界时与硅反应,形成二氧化硅(SiO 2)。产生的化学键将两个组件密封在一起。EVG键合机晶圆加工服务包含如下: ComBond® - 硅和化合物半导体的导电键合、等离子活化直接键合。上海BONDSCALE键合机
SmartView®NT自动键合对准系统,用于通用对准。
全自动键合对准系统,采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准。
用于通用对准的SmartViewNT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在岭先技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。SmartView技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用,以在随后的全自动平台上进行长久键合。
特征:
适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI®200和300mm配置)。
用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠。 EVG6200键合机美元报价EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500套。
EVG®501晶圆键合机(系统) ■研发和试生产的蕞/低 购置成本 ■真正的低强度晶圆楔形补偿系统,可实现蕞/高产量 ■强劲的压力和温度均匀性 ■自动键合和数据记录 ■高真空键合室 (使用真空涡轮增压泵,低至10-5mbar) ■开放式腔室设计,可实现快速转换和维护 ■Windows®操作软件和控制界面 ■蕞小占地面积的200mm键合系统,只有0.88m2 EVG®510晶圆键合机(系统) ■拥有EVG®501键合机的所有功能 ■150和200mm晶圆的单腔系统 ■研发和试生产的蕞/佳购置成本 ■强劲的压力和温度均匀性 ■通过楔形补偿实现高产量 ■兼容EVG的HVM键合系统 ■高产量,加速加热和优异的泵送能力
键合机特征 高真空,对准,共价键合 在高真空环境(<5·10-8mbar)中进行处理 原位亚微米面对面对准精度 高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除 优异的表面性能 导电键合 室温过程 多种材料组合,包括金属(铝) 无应力键合界面 高键合强度 用于HVM和R&D的模块化系统 多达六个模块的灵活配置 基板尺寸蕞/大为200毫米 完全自动化 技术数据 真空度 处理:<7E-8mbar 处理:<5E-8毫巴 集群配置 处理模块:蕞小3个,蕞/大6个 加载:手动,卡带,EFEM 可选的过程模块: 键合模块 ComBond®激/活模块(CAM) 烘烤模块 真空对准模块(VAM) 晶圆直径 高达200毫米晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合机。
用晶圆级封装制造的组件被广 泛用于手机等消费电子产品中。这主要是由于市场对更小,更轻的电子设备的需求,这些电子设备可以以越来越复杂的方式使用。例如,除了简单的通话外,许多手机还具有多种功能,例如拍照或录制视频。晶圆级封装也已用于多种其他应用中。例如,它们用于汽车轮胎压力监测系统,可植入医疗设备,军 事数据传输系统等。
晶圆级封装还可以减小封装尺寸,从而节省材料并进一步降低生产成本。然而,更重要的是,减小的封装尺寸允许组件用于更广 泛的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸,尤其是减小封装高度。 EVG的GEMINI FB XT集成熔融键合系统,扩展了现有标准,并拥有更高的生产率,更高的对准和涂敷精度。广西键合机用于生物芯片
EVG所有键合机系统都可以通过远程通信的。上海BONDSCALE键合机
针对表面带有微结构硅晶圆的封装展开研究,以采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合为对象,提出一种表面带有微结构的硅—硅共晶键合工艺,以亲水湿法表面活化处理降低硅片表面杂质含量,以微装配平台与键合机控制键合环境及温度来保证键合精度与键合强度,使用恒温炉进行低温退火,解决键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高,环境要求苛刻的问题。高低温循环测试试验与既定拉力破坏性试验结果表明: 提出的工艺在保证了封装组件封装强度的同时,具有工艺温度低、容易实现图形化、应力匹配度高等优点。上海BONDSCALE键合机
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