对EVG WLO制造解决方案的需求在一定程度上是由对用于移动消费电子产品的新型光学传感解决方案和设备的需求驱动的。关键示例包括3D感测（对于获得更真实的虚拟和增强现实（VR / AR）用户体验至关重要），生物特征感测（对于安全应用而言越来越关键），环境感测，红外（IR）感测和相机阵列。其他应用包括智能手机中用于高级深度感应以改善相机自动对焦性能的其他光学传感器以及微型显示器。
EV Group企业技术开发兼IP总监Markus Wimplinger表示：“毫无疑问，晶圆级光学和3D传感技术正在出现高度可持续的趋势。“由于在我们公司总部的NILPhotonics能力中心支持的大量正在进行的客户项目，我们预计在不久的将来将更***地使用该技术。” EVG100光刻胶处理系统可以处理多种尺寸的基板，直径从2寸到300 mm。河北高级封装光刻机
EVG的掩模对准系统含有：EVG610；EVG620 NT半自动/全自动掩模对准系统；EVG6200 NT半自动/全自动掩模对准系统；IQ Aligner 自动掩模对准系统；IQ Aligner NT自动掩模对准系统；
【EVG ® 610掩模对准系统】EVG
® 610是一个紧凑的和多用途R＆d系统，可以处理小基板片和高达200毫米的晶片。
EVG ® 610技术数据：EVG610支持多种标准光刻工艺，例如真空，硬，软和接近曝光模式，并可选择背面对准功能。此外，该系统还提供其他功能，包括键合对准和纳米压印光刻（NIL）。EVG610提供快速的处理和重新安装工具，可满足用户需求的变化，转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念可以适应从初学者到**级别的所有需求，因此使其非常适合大学和研发应用。 四川功率器件光刻机我们用持续的技术和市场领导地位证明了自己的实力，包括EVG在使用各种非标准抗蚀剂方面的****的经验。
EVG也提供量产型掩模对准系统。对于在微米范围内的光刻图形，掩模对准器是**/具成本效益的技术，与其他解决方案相比，每层可节省30％以上的成本，这对用户来说是至关重要的。EVG的大批量制造系统旨在以**/佳的成本效率与**/高的技术标准相结合，并由卓/越的全球服务基础设施提供支持。**重要的是，大焦深曝光光学系统完美匹配大批量生产中的厚抗蚀剂，表面形貌和非平面基片的图形。在全球范围内，我们为许多客户提供了量产型的光刻机系统，得到了他们的无数好评。
EVG120特征2：
先进且经过现场验证的机器人具有双末端执行器功能，可确保连续的高产量；
工艺技术卓/越和开发服务：
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
智能过程控制和数据分析功能[Framework SW Platform]
用于过程和机器控制的集成分析功能
设备和过程性能跟/踪功能；
并行/排队任务处理功能；
智能处理功能；
发生和警报分析；
智能维护管理和跟/踪；
技术数据：
可用模块；
旋涂/ OmniSpray ® /开发；
烤/冷；
晶圆处理选项：
单/双EE /边缘处理/晶圆翻转；
弯曲/翘曲/薄晶圆处理。
EVG光刻机设备，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。
EVG120光刻胶自动处理系统：
智能过程控制和数据分析功能（框架软件平台）
用于过程和机器控制的集成分析功能
并行任务/排队任务处理功能
设备和过程性能跟/踪功能
智能处理功能：
事/故和警报分析/智能维护管理和跟/踪
晶圆直径（基板尺寸）：高达200毫米
模块数：
工艺模块：2
烘烤/冷却模块：**多10个
工业自动化功能：Ergo装载盒式工作站/
SMIF装载端口/ SECS / GEM / FOUP装载端口
分配选项：
各种光刻胶分配泵，可覆盖高达52000 cP的粘度
液体底漆/预湿/洗盘
去除边缘珠（EBR）/背面冲洗（BSR）
恒压分配系统/注射器分配系统
电阻分配泵具有流量监控功能
可编程分配速率/可编程体积/可编程回吸
超音波
EVG已经与研究机构合作超过35年，能够深入了解他们的独特需求。甘肃EVG620 NT光刻机
新型的EVG120带有通用和全自动光刻胶处理工具，能够处理各种形状和尺寸达200 mm / 8“的基片。河北高级封装光刻机
EVG ® 610特征：
晶圆/基板尺寸从小到200 mm /8''
顶侧和底侧对准能力
高精度对准台
自动楔形补偿序列
电动和程序控制的曝光间隙
支持**/新的UV-LED技术
**小化系统占地面积和设施要求
分步流程指导
远程技术支持
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
便捷处理和转换重组
台式或带防震花岗岩台的单机版
EVG ® 610附加功能：
键对准
红外对准
纳米压印光刻（NIL）
EVG ® 610技术数据：
对准方式
上侧对准：≤±0.5 µm
底面要求：≤±2,0 µm
红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基板材料
键对准：≤±2,0 µm
NIL对准：≤±2,0 µm 河北高级封装光刻机
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