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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

在键合过程中,将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间,加热至752-932℃(华氏400-500摄氏度),和几百到千伏的电势被施加,使得负电极,这就是所谓的阴极,是在接触在玻璃中,正极(阳极)与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动,在与硅片的边界附近留下少量的正电荷,然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移,并在到达边界时与硅反应,形成二氧化硅(SiO 2)。产生的化学键将两个组件密封在一起。EVG501 晶圆键合机(系统):真正的低强度晶圆楔形补偿系统,可实现最/高产量;研发和试生产的最/低 购置成本。陕西本地键合机

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目前关于晶片键合的研究很多,工艺日渐成熟,但是对于表面带有微结构的硅片键合研究很少,键合效果很差。

      本文针对表面带有微结构硅晶圆的封装问题,提出一种基于采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合的键合工艺,实现表面带有微结构硅晶圆之间的键合,解决键合对硅晶圆表面要求极高,环境要求苛刻的问题。

在对金层施加一定的压力和温度时,金层发生流动、互 融,从而形成键合。该过程对金的纯度要求较高,即当金层 发生氧化就会影响键合质量。 陕西本地键合机EVG的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。

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EVG®820层压系统 将任何类型的干胶膜(胶带)自动无应力层压到晶圆上 特色 技术数据 EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动,无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔,然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术,可以自由选择胶带的尺寸和尺寸,并且与基材无关。 特征 将任何类型的干胶膜自动,无应力和无空隙地层压到载体晶片上 在载体晶片上精确对准的层压 保护套剥离 干膜层压站可被集成到一个EVG®850TB临时键合系统 技术数据 晶圆直径(基板尺寸) 高达300毫米 组态 1个打孔单元 底侧保护衬套剥离 层压 选件 顶侧保护膜剥离 光学对准 加热层压

从表面上看,“引线键合”似乎只是焊接的另一个术语,但由于涉及更多的变量,因此该过程实际上要复杂得多。为了将各种组件长久地连接在一起,在电子设备上执行引线键合过程,但是由于项目的精致性,由于它们的导电性和相对键合温度,通常*应用金,铝和铜。通过使用球形键合或楔形键合可完成此方法结合了低热量,超声波能量和微量压力的技术,可避免损坏电子电路。如果执行不当,很容易损坏微芯片或相应的焊盘,因此强烈建议在以前损坏或一次性使用的芯片上进行练习,然后再尝试进行引线键合。EVG键合机晶圆加工服务包含如下: ComBond® - 硅和化合物半导体的导电键合、等离子活化直接键合。

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EVG®620BA自动键合对准系统:

用于晶圆间对准的自动键合对准系统,用于研究和试生产。

EVG620键合对准系统以其高度的自动化和可靠性而闻名,专为蕞大150mm晶圆尺寸的晶圆间对准而设计。EVGroup的键合对准系统具有蕞高的精度,灵活性和易用性,以及模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中蕞苛刻的对准过程。

特征:

蕞适合EVG®501,EVG®510和EVG®520是键合系统。

支持蕞大150mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键对准。

手动或电动对准台。

全电动高份辨率底面显微镜。

基于Windows的用户界面。

在不同晶圆尺寸和不同键合应用之间快速更换工具。 清洁模块-适用于GEMINI和GEMINI FB,使用去离子水和温和的化学清洁剂去除颗粒。上海键合机美元报价

EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺,这对于当今和未来的器件制造是至关重要。陕西本地键合机

EVG®810LT LowTemp™等离子激/活系统 适用于SOI,MEMS,化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统 特色 技术数据 EVG810LTLowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔**单元。处理室允许进行异位处理(晶圆被一一激/活并结合在等离子体激/活室外部)。 特征 表面等离子体活化,用于低温粘结(熔融/分子和中间层粘结) 晶圆键合机制中蕞快的动力学 无需湿工艺 低温退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘结强度 适用于SOI,MEMS,化合物半导体和gao级基板键合 高度的材料兼容性(包括CMOS)陕西本地键合机

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