滤光片整平光谱响应。
ND#0.5 衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度 + ND#0.5 衰减整平滤波器.
ND#1 衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度 + ND#1 衰减整平滤波器.
ND#2 衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度 + ND#2 衰减整平滤波器.
420nm 高通滤波器.420nm 高通滤波器於滤波器架.
515nm 高通滤波器.515nm 高通滤波器於滤波器架.
520nm 高通滤波器 +ND1.520nm 高通滤波器 + ND#1 十倍衰减整平滤波器.
520nm 高通滤波器 + ND#2520nm 高通滤波器 + ND#2 一百倍衰减整平滤波器.
550nm 高通滤波器550nm 高通滤波器於滤波器架. 不同的 F50 仪器是根据波长范围来加以区分的。芯片膜厚仪技术原理
测量有机发光显示器有机发光显示器 (OLEDs)有机发光显示器正迅速从实验室转向大规模生产。明亮，超薄，动态的特性使它们成为从手机到电视显示屏的优先。组成显示屏的多层薄膜的精密测量非常重要，但不能用传统接触型的轮廓仪，因为它会破坏显示屏表面。我们的F20-UV，F40-UV，和F10-RT-UV将提供廉价，可靠，非侵入测量原型装置和全像素化显示屏。我们的光谱仪还可以测量大气敏感材料的化学变化。
测量透明导电氧化膜不论是铟锡氧化物，氧化锌，还是聚合物（3,4-乙烯基），我们独有的ITO光学模型，加上可见/近红外仪器，可以测得厚度和光学常数，费用和操作难度*是光谱椭偏仪的一小部分。 芯片膜厚仪技术原理F10-AR在用户定义的任何波长范围内都能进行比较低、比较高和平均反射测试。
F30 系列监控薄膜沉积，**强有力的工具F30 光谱反射率系统能实时测量沉积率、沉积层厚度、光学常数 (n 和 k 值) 和半导体以及电介质层的均匀性。
样品层分子束外延和金属有机化学气相沉积: 可以测量平滑和半透明的，或轻度吸收的薄膜。 这实际上包括从氮化镓铝到镓铟磷砷的任何半导体材料。
各项优点:极大地提高生产力低成本 —几个月就能收回成本A精确 — 测量精度高于 ±1%快速 — 几秒钟完成测量非侵入式 — 完全在沉积室以外进行测试易于使用 — 直观的 Windows™ 软件几分钟就能准备好的系统
型号厚度范围*波长范围
F30:15nm-70µm 380-1050nm
F30-EXR:15nm - 250µm 380-1700nm
F30-NIR:100nm - 250µm 950-1700nm
F30-UV:3nm-40µm 190-1100nm
F30-UVX:3nm - 250µm 190-1700nm
F30-XT:0.2µm - 450µm1440-1690nm
F3-sX 系列：
F3-sX 系列能测量半导体与介电层薄膜厚度到3毫米,而这种较厚的薄膜与较薄的薄膜相比往往粗糙且均匀度较为不佳
波长选配F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度，即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。 F3-s980 是波长为980奈米的版本，是为了针对成本敏锐的应用而设计,F3-s1310是针对重掺杂硅片的**jia化设计,F3-s1550则是为了**厚的薄膜设计。附件附件包含自动化测绘平台，一个影像镜头可看到量测点的位置以及可选配可见光波长的功能使厚度测量能力**薄至15奈米。 F50-NIR测厚范围：100nm-250µm；波长：950-1700nm。
F60 系列生产环境的自动测绘Filmetrics F60-t 系列就像我们的 F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率，但它增加了许多用于生产环境的功能。 这些功能包括凹槽自动检测、自动基准确定、全封闭测量平台、预装软件的工业计算机，以及升级到全自動化晶圆传输的机型。
不同的 F60-t 仪器根据波长范围加以区分。 较短的波长 (例如， F60-t-UV) 一般用于测量较薄的薄膜，而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。
包含的内容：集成平台/光谱仪/光源装置（不含平台）4", 6" and 200mm 参考晶圆TS-SiO2-4-7200 厚度标准真空泵备用灯 Filmetrics F60-t 系列就像我们的 F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率，但它增加了许多用于生产环境的功能。芯片膜厚仪技术原理
F3-sX 系列测厚范围：10µm - 3mm；波长：960-1580nm。芯片膜厚仪技术原理
参考材料
备用 BK7 和二氧化硅参考材料。
BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜
BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜
REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准
REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准
REF-BK71½" x 1½" BK7 反射基准。
REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英，用于双界面基准。
REF-Si-22" 单晶硅晶圆
REF-Si-44" 单晶硅晶圆
REF-Si-66" 单晶硅晶圆
REF-Si-88" 单晶硅晶圆
REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片
REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片
REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片 芯片膜厚仪技术原理
岱美仪器技术服务（上海）有限公司致力于仪器仪表，以科技创新实现***管理的追求。岱美中国深耕行业多年，始终以客户的需求为向导，为客户提供***的半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪。岱美中国继续坚定不移地走高质量发展道路，既要实现基本面稳定增长，又要聚焦关键领域，实现转型再突破。岱美中国始终关注仪器仪表行业。满足市场需求，提高产品价值，是我们前行的力量。
