F10-HC轻而易举而且经济有效地分析单层和多层硬涂层F10-HC 以 Filmetrics F20 平台为基础,根据光谱反射数据分析快速提供薄膜测量结果。 F10-HC 先进的模拟算法是为测量聚碳酸酯和其它单层和多层硬涂层(例如,底涂/硬涂层)专门设计的。
全世界共有数百台 F10-HC 仪器在工作,几乎所有主要汽车硬涂层公司都在使用它们。
像我们所有的台式仪器一样,F10-HC 可以连接到您装有 Windows 计算机的 USB 端口并在几分钟内完成设定。
包含的内容:集成光谱仪/光源装置FILMeasure 8 软件FILMeasure **软件 (用于远程数据分析)CP-1-1.3 探头BK7 参考材料TS-Hardcoat-4um 厚度标准备用灯
额外的好处:应用工程师可立刻提供帮助(周一 - 周五)网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划 F50测厚范围:20nm-70µm;波长:380-1050nm。透明导电氧化物膜厚仪要多少钱

Filmetrics 的技术Filmetrics 提供了范围***的测量生物医疗涂层的方案:支架: 支架上很小的涂层区域通常需要显微镜类的仪器。 我们的 F40 在几十个实验室内得到使用,测量钝化和/或药 物输送涂层。我们有独特的测量系统对整個支架表面的自動厚度测绘,只需在测量时旋轉支架。植入件: 在测量植入器件的涂层时,不规则的表面形状通常是***挑战。 Filmetrics 提供这一用途的全系列探头。导丝和导引针: 和支架一样,这些器械常常可以用象 F40 这样的显微镜仪器。导液管和血管成型球囊的厚度:大于 100 微米的厚度和可见光谱不透明性决定了 F20-NIR 是这一用途方面全世界众多实验室内很受欢迎的仪器。分销膜厚仪推荐型号不同的 F50 仪器是根据波长范围来加以区分的。

F54包含的内容:
集成光谱仪/光源装置
MA-Cmount 安装转接器
显微镜转接器光纤连接线BK7
参考材料TS-Focus-SiO2-4-10000
厚度标准 聚焦/厚度标准4", 6" and 200mm
参考晶圆真空泵备用灯
型号厚度范围*波长范围
F54:20nm-40µm 380-850nm
F54-UV:4nm-30µm 190-1100nm
F54-NIR:40nm-100µm 950-1700nm
F54-EXR:20nm-100µm 380-1700nm
F54-UVX:4nm-100µm190-1700nm
*取决于材料与显微镜
额外的好处:每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助(周一 - 周五)网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划
F3-sX 系列:
F3-sX 系列能测量半导体与介电层薄膜厚度到3毫米,而这种较厚的薄膜与较薄的薄膜相比往往粗糙且均匀度较为不佳
波长选配F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度,即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。 F3-s980 是波长为980奈米的版本,是为了针对成本敏锐的应用而设计,F3-s1310是针对重掺杂硅片的**jia化设计,F3-s1550则是为了**厚的薄膜设计。附件附件包含自动化测绘平台,一个影像镜头可看到量测点的位置以及可选配可见光波长的功能使厚度测量能力**薄至15奈米。 F30-UV测厚范围:3nm-40µm;波长:190-1100nm。

FSM 413SP
AND FSM 413C2C 红外干涉测量设备
适用于所有可让红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石 英、聚合物…………
应用:
衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)
平整度
厚度变化 (TTV)
沟槽深度
过孔尺寸、深度、侧壁角度
粗糙度
薄膜厚度
不同半导体材料的厚度
环氧树脂厚度
衬底翘曲度
晶圆凸点高度(bump height)
MEMS 薄膜测量
TSV 深度、侧壁角度...
FSM413SP半自动机台人工取放芯片
Wafer 厚度3D图形
FSM413C2C Fully
automatic 全自动机台人工取放芯片
可适配Cassette、SMIF POD、FOUP.
F50-s980测厚范围:4µm-1mm;波长:960-1000nm。盒厚测量膜厚仪有谁在用F40-EXR范围:20nm-120µm;波长:400-1700nm。透明导电氧化物膜厚仪要多少钱
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学,半导体,以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – **简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0), 而且非常接近化学计量 (就是说,硅:氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范,通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难,因为硅:氮比率通常不是3:4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是,氧常常渗入薄膜,生成一定程度的氮氧化硅,增大测量难度。 但是幸运的是,我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!透明导电氧化物膜厚仪要多少钱
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