EVG ® 7200 LA特征：
专有SmartNIL ®技术，提供了****的印迹形大面积
经过验证的技术，具有出色的复制保真度和均匀性
多次使用的聚合物工作印模技术可延长母版使用寿命并节省大量成本
强大且精确可控的处理
与所有市售的压印材料兼容
EVG ® 7200 LA技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）：直径200毫米（比较大Gen3）（550 x 650毫米）
解析度：40 nm-10 µm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：SmartNIL ®
曝光源：大功率窄带（> 400 mW /cm²）
对准：可选的光学对准：≤±15 µm
自动分离：支持的
迷你环境和气候控制：可选的
工作印章制作：支持的
EVG紫外光纳米压印系统还有：EVG®7200LA，HERCULES®NIL，EVG®770，IQAligner®等。全域纳米压印
EVG ® 510 HE热压印系统
应用：高度灵活的热压印系统，用于研发和小批量生产
EVG510 HE半自动热压印系统设计用于对热塑性基材进行高精度压印。该设备配置有通用压花室以及真空和接触力功能，并管理适用于热压印的全部聚合物。结合高纵横比压印和多种脱压选项，提供了许多用于高质量纳米图案转印的工艺。
EVG ® 510 HE特征：
用于聚合物基材和旋涂聚合物的热压印应用
自动化压花工艺
EVG专有的**对准工艺，用于光学对准的压印和压印
完全由软件控制的流程执行
闭环冷却水供应选项
外部浮雕和冷却站 内蒙古纳米压印原理**小外形尺寸和大体积创新型光子结构提供了更多的自由度，这对于实现衍射光学元件（DOE）至关重要。
纳米压印光刻设备-处理结果：
新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。 EVG的NIL解决方案能够产生具有纳米分辨率的多种不同尺寸和形状的图案，并在显示器，生物技术和光子应用中实现了许多新的创新。HRI SmartNIL®压印上的单个像素的1.AFM图像压印全息结构的AFM图像
资料来源：EVG与SwissLitho
AG合作（欧盟项目SNM）
2.通过热压花在PMMA中复制微流控芯片
资料来源：EVG
3.高纵横比（7：1）的10 µm柱阵列
由加拿大国家研究委 员会提供
4.L / S光栅具有优化的残留层，厚度约为10 nm
资料来源：EVG
5.紫外线成型镜片300 µm
资料来源：EVG
6.光子晶体用于LED的光提取
多晶硅的蜂窝织构化（mc-Si）
由Fraunhofer ISE提供
7.金字塔形结构50 µm
资料来源：EVG
8.**小尺寸的光模块晶圆级封装
资料来源：EVG
9.光子带隙传感器光栅
资料来源：EVG（欧盟Saphely项目）
10.在强光照射下对HRISmartNIL®烙印进行完整的晶圆照相
资料来源：EVG
曲面基底上的纳米结构在许多领域都有着重要应用，例如仿生学、柔性电子学和光学器件等。传统的纳米压印技术通常采用刚性模板，可以实现亚10nm的分辨率，但是模板不能弯折，无法在曲面基底上压印制备纳米结构。而采用弹性模板的软压印技术可以在无外界提供压力下与曲面保形接触，实现结构在非平面基底上的压印复制，但是由于弹性模板的杨氏模量较低，所以压印结构的分辨率和精度都受到限制。基于目前纳米压印的发展现状，结合传统的纳米压印技术和软压印技术，中国科学院光电技术研究所团队发展了一种基于紫外光固化巯基-烯材料的亚100nm分辨率的复合软压印模板的制备方法，该模板包含刚性结构层和弹性基底层。（来自网络，侵权请联系我们进行删除，谢谢！） EVG®610/EVG®620NT /EVG®6200NT是具有紫外线纳米压印功能的通用掩模对准系统。
面板厂为补偿较低的开口率，多运用在背光模块搭载较多LED的技术，但此作法的缺点是用电量较高。若运用NIL制程，可确保适当的开口率，降低用电量。利用一般曝光设备也可在玻璃基板上形成偏光膜。然8代曝光设备一次可形成的图样面积较小。若要制造55吋面板，需要经过数十次的曝光制程。不仅制程时间长，经过多次曝光后，在图样间会形成细微的缝隙，无法完整显示影像。若将NIL技术应用在5代设备，可一次形成55吋、60吋面板的偏光膜图样。在8代基板可制造6片55吋面板，6次的压印接触可处理完1片8代基板。南韩业者表示，在玻璃基板上形成偏光图样以提升质量的生产制程，是LCD领域中***一个创新任务。若加速NIL制程导入LCD生产的时程，偏光膜企业的营收可能减少。（来自网络。岱美仪器代理的SmartNIL是一项关键的启用技术，可用于显示器，生物技术和光子应用中的许多新创新。北京纳米压印用于生物芯片
EVG系统是客户进行大批量晶圆级镜头复制（制造）的***选择。全域纳米压印
具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅（SiO2）衬底上，然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控，掺杂有时会泄到别的不需要的地方，那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域，并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手（包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等），开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形，从而带来更加“物理可控”的生产过程。（来自网络。全域纳米压印
岱美仪器技术服务（上海）有限公司致力于仪器仪表，是一家贸易型的公司。公司业务涵盖半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪等，价格合理，品质有保证。公司注重以质量为中心，以服务为理念，秉持诚信为本的理念，打造仪器仪表良好品牌。岱美中国立足于全国市场，依托强大的研发实力，融合前沿的技术理念，飞快响应客户的变化需求。
