EVG ® 7200 LA大面积SmartNIL
® UV纳米压印光刻系统
用于大面积****的共形纳米压印光刻。
EVG7200大面积UV纳米压印系统使用EVG专有且经过量证明的SmartNIL技术，将纳米压印光刻（NIL）缩放为第三代（550 mm x 650 mm）面板尺寸的基板。对于不能减小尺寸的显示器，线栅偏振器，生物技术和光子元件等应用，至关重要的是通过增加图案面积来提高基板利用率。NIL已被证明是能够在大面积上制造纳米图案的**经济有效的方法，因为它不受光学系统的限制，并且可以为**小的结构提供比较好的图案保真度。
SmartNIL利用非常强大且可控的加工工艺，提供了低至40 nm *的出色保形压印结果。凭借独特且经过验证的设备功能（包括****的易用性）以及高水平的工艺专业知识，EVG通过将纳米压印提升到一个新的水平来满足行业需求。
*分辨率取决于过程和模板 HERCULES ® NIL是完全集成SmartNIL ®的 UV-NIL紫外光纳米压印系统。河南纳米压印美元报价
EVG ® 520 HE特征：
用于聚合物基材和旋涂聚合物的热压印和纳米压印应用
自动化压花工艺
EVG专有的**对准工艺，用于光学对准的压印和压印
气动压花选项
软件控制的流程执行
EVG ® 520 HE技术数据
加热器尺寸：150毫米，200毫米
比较大基板尺寸：150毫米，200毫米
**小基板尺寸：单芯片，100毫米
比较大接触力：10、20、60、100 kN
比较高温度：标准：350°C；可选：550°C
粘合卡盘系统/对准系统
150毫米加热器：EVG ® 610，EVG ® 620，EVG ® 6200
200毫米加热器：EVG ® 6200，MBA300，的Smart View ® NT
真空：
标准：0.1毫巴
可选：0.00001 mbar 光刻纳米压印有哪些品牌EVG是纳米压印光刻（NIL）的市场**设备供应商。
EV Group的一系列高精度热压花系统基于该公司市场**的晶圆键合技术。出色的压力和温度控制以及大面积上的均匀性可实现高精度的压印。热压印是一种经济高 效且灵活的制造技术，具有非常高的复制精度，可用于**小50 nm的特征尺寸。该系统非常适合将复杂的微结构和纳米结构以及高长宽比的特征压印到各种聚合物基材或旋涂聚合物中。
NILPhotonics®能力中心-支持和开发
NILPhotonics能力中心是经过验证的创新孵化器。
欢迎各位客户来样制作，验证EVG的纳米压印设备的性能。
EVG ® 770特征：
微透镜用于晶片级光学器件的高 效率制造主下降到纳米结构为SmartNIL ®
简单实施不同种类的大师
可变抗蚀剂分配模式
分配，压印和脱模过程中的实时图像
用于压印和脱模的原位力控制
可选的光学楔形误差补偿
可选的自动盒带间处理
EVG ® 770技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）：100至300毫米
解析度：≤50 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：柔软的UV-NIL
曝光源：大功率LED（i线）> 100 mW /cm²
对准：顶侧显微镜，用于实时重叠校准≤±500 nm和精细校准≤±300 nm
较早印刷模具到模具的放置精度：≤1微米
有效印记区域：长达50 x 50毫米
自动分离：支持的
前处理：涂层：液滴分配（可选）
EVG的纳米压印光刻（NIL） - SmartNIL ® 是用于大批量生产的大面积软UV纳米压印光刻工艺。
**的衍射波导设计商和制造商WaveOptics***宣布与EV Group（EVG）进行合作，EV Group是晶圆键合和纳米压印光刻设备的**供应商，以带来高性能增强现实（ AR）波导以当今业界*低的成本进入大众市场。波导是可穿戴AR的关键光学组件。
WaveOptics首席执行官David Hayes评论：“这一合作伙伴关系标志着增强现实行业的转折点，是大规模生产高质量增强现实解决方案的关键步骤，这是迄今为止尚无法实现的能力。” EVG的专业知识与我们可扩展的通用技术的结合将使到明年年底，AR终端用户产品的市场价格将低于600美元。“这项合作是释放AR可穿戴设备发展的关键；我们共同处于有利位置，可以在AR中引入大众市场创新，以比以往更低的成本开辟了可扩展性的新途径。” 岱美作为EVG在中国区的代理商，欢迎各位联系我们，探讨纳米压印光刻的相关知识。河南纳米压印美元报价
EVG ® 770是分步重复纳米压印光刻系统，使用分步重复纳米压印光刻技术，可进行有效的母版制作。河南纳米压印美元报价
纳米压印光刻设备-处理结果：
新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。 EVG的NIL解决方案能够产生具有纳米分辨率的多种不同尺寸和形状的图案，并在显示器，生物技术和光子应用中实现了许多新的创新。HRI SmartNIL®压印上的单个像素的1.AFM图像压印全息结构的AFM图像
资料来源：EVG与SwissLitho
AG合作（欧盟项目SNM）
2.通过热压花在PMMA中复制微流控芯片
资料来源：EVG
3.高纵横比（7：1）的10 µm柱阵列
由加拿大国家研究委 员会提供
4.L / S光栅具有优化的残留层，厚度约为10 nm
资料来源：EVG
5.紫外线成型镜片300 µm
资料来源：EVG
6.光子晶体用于LED的光提取
多晶硅的蜂窝织构化（mc-Si）
由Fraunhofer ISE提供
7.金字塔形结构50 µm
资料来源：EVG
8.**小尺寸的光模块晶圆级封装
资料来源：EVG
9.光子带隙传感器光栅
资料来源：EVG（欧盟Saphely项目）
10.在强光照射下对HRISmartNIL®烙印进行完整的晶圆照相
资料来源：EVG 河南纳米压印美元报价
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