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失效分析基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • FAI
  • 型号
  • FAI
  • 是否定制
失效分析企业商机

针对元件的漏电失效模式,EMMI(微光显微镜)是必不可少的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有绝缘缺点,或者经过外界静击穿穿,均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电状态下,内部形成流动电流,漏电位置的电子会发生迁移,形成电能向光能的转化,即电能以光能的方式释放,通过红外显微镜探测到这些释放出来的红外线,来定位件的漏电位置点。 微光显微镜是元器件分析过程中针对漏电失效模式,必不可少的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有绝缘缺点,或者期间经过外界静击穿穿,均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电得状态下,内部形成流动电流,漏电位置的电子会发生迁移,形成电能向光能的转化,即电能以光能的方式释放,从而形成200nm~1700nm红外线。微光射显微镜主要利用红外线探测器,探测到这些释放出来的红外线,从而准确的定位件的漏电点。河北口碑好失效分析价格

案例分析: 背景: 器件检测后发现在VDD和ADIO引脚之间大约有2K的泄漏。 分析总结:在核实FAI参数界面的泄漏报告后,此器件通过使用几项分析技术确定原因和缺点状况。下面描述了三种测试技术。 InGaAs:在室温下检测到微小泄漏。获得的数据是热点而不是重组的。 FMI:用波长385纳米的紫外线光源。FAI参数界面提供失效点的完整图片。 SIFT:用1480纳米波长的光源扫描完整芯片,发现失效区域在芯片一角,定位在失效区域进一步扫描发现失效点。 结论:使用FMI, SIFT and Thermal IR明显的确认该部件有一个热的不稳定的短路点。基于FMI结果确定失效点位于表层下接近层金属。河北口碑好失效分析服务介绍

半导体器件和电路制造技术飞速发展,器件特征尺寸不断下降,而集成度不断上升。这两方面的变化都给失效缺点定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。对于半导体失效分析(FA)而言,微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率高的分析工具。微光显微镜其高灵敏度的侦测能力,可侦测到半导体组件中电子-电洞对再结合时所发射出来的光线,能侦测到的波长约在350nm ~ 1100nm 左右。 它可以***的应用于侦测IC 中各种组件缺点所产生的漏电流,如: Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。 苏州兰博斯特电子科技有限公司代理的美国FAI生产的EMMI配备了深度制冷CCD和InGaAs相机,而且可以扩展激光诱导和荧光微热处理,真正实现了漏电和短路的全检测,做到了一机多用。

我们专有的整套的Crystal Vision软件,它的设计基于容易使用操作,强大的功能同时可以控制所有的硬件和变量分析。客户在初购买时可以选择其中几个模块,当以后的工作需要时可以在其基础上继续增加应用模块。 我们的参数界面是一个模块,用户使用这个模块可以使电子触发信号和图像捕捉保持同步。 由于我们的客户不断发展新产品和新技术,所以失效分析技术的发展能够与其保持同步是至关重要的。FAI的***的硬件和软件模块为我们的设备提供了预见性的功能模块, 使得使用我们机器的用户能够享受设备升级带来的好处。 比如激光技术和LED技术的升级,允许我们加宽光源范围,将全部波长的光谱应用于样品正面和背面检查。

EMMI可搭配激光诱导 OBIRCH(光束诱导电阻变化) 光诱导电阻变化(OBIRCH)模式能快速准确的进行IC中元件的短路、布线和通孔互联中的空洞、金属中的硅沉积等缺点。其工作原理是利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描,激光束部分能量转化为热能,如果金属互联线存在缺点,缺点处温度将无法迅速通过金属线传导散开,这将导致缺点处温度累计升高,并进一步引起金属线电阻以及电流变化,通过变化区域与激光束扫描位置的对应,定位缺点位置。OBIRCH模式具有高分辨能力,其测试精度可达nA级。 PEM(Photo Emission Microscope) 光束诱导电阻变化(OBIRCH)功能与光发射(EMMI)常见集成在一个检测系统,合称PEM(Photo Emission Microscope),两者互为补充,能够很好的应对绝大多数失效模式。河北质量失效分析欢迎来电

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