光刻胶处理系统
EVG100系列光刻胶处理系统为光刻胶涂层和显影建立了质量和灵活性方面的新标准。EVG100系列的设计旨在提供**广/泛的工艺变革，其模块化功能可提供旋涂和喷涂，显影，烘烤和冷却模块，以满足个性化生产需求。这些系统可处理各种材料，例如正性和负性光刻胶，聚酰亚胺，薄光刻胶层的双面涂层，高粘度光刻胶和边缘保护涂层。这些系统可以处理多种尺寸的基板，直径从2寸到300 mm，矩形，正方形甚至不规则形状的基板，而无需或只需很短的加工时间。
EVG的CoverSpin TM旋转盖可降低光刻胶消耗，并提高光刻胶涂层的均匀性。化合物半导体光刻机保修期多久
对EVG WLO制造解决方案的需求在一定程度上是由对用于移动消费电子产品的新型光学传感解决方案和设备的需求驱动的。关键示例包括3D感测（对于获得更真实的虚拟和增强现实（VR / AR）用户体验至关重要），生物特征感测（对于安全应用而言越来越关键），环境感测，红外（IR）感测和相机阵列。其他应用包括智能手机中用于高级深度感应以改善相机自动对焦性能的其他光学传感器以及微型显示器。
EV Group企业技术开发兼IP总监Markus Wimplinger表示：“毫无疑问，晶圆级光学和3D传感技术正在出现高度可持续的趋势。“由于在我们公司总部的NILPhotonics能力中心支持的大量正在进行的客户项目，我们预计在不久的将来将更***地使用该技术。” 湖南光刻机可以使用用于压印光刻的工具，例如紫外光纳米压印光刻，热压印或微接触印刷。
光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的核心竞争力在于其掩模对准系统（EVG6xx和IQ Aligner系列）以及高度集成的涂层平台（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装：在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口 ；在EVG的IQ
Aligner NT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂；负侧壁，带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层; 金属垫在结构的中间；用于LIGA结构的高纵横比结构，用EVG® IQ Aligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果；西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上，展示了高/分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力；MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。
EVG620 NT或完全容纳的EVG620
NT Gen2掩模对准系统配备了集成的振动隔离功能，可在各种应用中实现出色的曝光效果，例如，对薄而厚的光刻胶进行曝光，对深腔进行构图并形成可比的形貌，以及对薄而易碎的材料（例如化合物半导体）进行加工。此外，半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。
EVG620 NT特征：
晶圆/基板尺寸从小到150 mm /
6''
系统设计支持光刻工艺的多功能性
易碎，薄或翘曲的多种尺寸的晶圆处理，更换时间短
带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿序列 EVG100系列光刻胶处理系统为光刻胶涂层和显影建立了质量和灵活性方面的新的标准。
EVG的掩模对准系统含有：EVG610；EVG620 NT半自动/全自动掩模对准系统；EVG6200 NT半自动/全自动掩模对准系统；IQ Aligner 自动掩模对准系统；IQ Aligner NT自动掩模对准系统；
【EVG ® 610掩模对准系统】EVG
® 610是一个紧凑的和多用途R＆d系统，可以处理小基板片和高达200毫米的晶片。
EVG ® 610技术数据：EVG610支持多种标准光刻工艺，例如真空，硬，软和接近曝光模式，并可选择背面对准功能。此外，该系统还提供其他功能，包括键合对准和纳米压印光刻（NIL）。EVG610提供快速的处理和重新安装工具，可满足用户需求的变化，转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念可以适应从初学者到**级别的所有需求，因此使其非常适合大学和研发应用。 HERCULES的桥接工具系统可对多种尺寸的晶圆进行易碎，薄或翘曲的晶圆处理。广东本地光刻机
EVG的掩模对准目标是适用于高达300 mm的不同的厚度，尺寸，形状的晶圆和基片。化合物半导体光刻机保修期多久
EVG ® 610特征：
晶圆/基板尺寸从小到200 mm /8''
顶侧和底侧对准能力
高精度对准台
自动楔形补偿序列
电动和程序控制的曝光间隙
支持**/新的UV-LED技术
**小化系统占地面积和设施要求
分步流程指导
远程技术支持
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
便捷处理和转换重组
台式或带防震花岗岩台的单机版
EVG ® 610附加功能：
键对准
红外对准
纳米压印光刻（NIL）
EVG ® 610技术数据：
对准方式
上侧对准：≤±0.5 µm
底面要求：≤±2,0 µm
红外校准：≤±2,0 µm /具体取决于基板材料
键对准：≤±2,0 µm
NIL对准：≤±2,0 µm 化合物半导体光刻机保修期多久
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