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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG ® 320自动化单晶圆清洗系统

用途:自动单晶片清洗系统,可有效去除颗粒


特色

技术数据

EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外,配置选项还包括兆频,刷子和稀释的化学药品清洗。


特征

多达四个清洁站

全自动盒带间或FOUP到FOUP处理

可进行双面清洁的边缘处理(可选)

使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁

先进的远程诊断

防止从背面到正面的交叉污染

完全由软件控制的清洁过程 GEMINI FB XT适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。中国台湾三维芯片键合机

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EVG ® 620 BA键合机选件

自动对准

红外对准,用于内部基板键对准

NanoAlign ®包增强加工能力

可与系统机架一起使用

掩模对准器的升级可能性


技术数据

常规系统配置

桌面

系统机架:可选

隔振:被动

对准方法

背面对准:±2 µm 3σ

透明对准:±1 µm 3σ

红外校准:选件

对准阶段

精密千分尺:手动

可选:电动千分尺

楔形补偿:自动

基板/晶圆参数

尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米

厚度:0.1-10毫米

**/高堆叠高度:10毫米

自动对准

可选的

处理系统

标准:3个卡带站

可选:**多5个站 中国台湾三维芯片键合机以上应用工艺也让MEMS器件,RF滤波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS图像传感器)的生产迅速增长。

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EVG ® 810 LT技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子活化室

工艺气体:2种标准工艺气体(N 2和O 2)

通用质量流量控制器:自校准(高达20.000 sccm)

真空系统:9x10 -2 mbar

腔室的打开/关闭:自动化

腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)


可选功能

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统:9x10 -3 mbar基本压力


符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统

Si:Si / Si,Si / Si(热氧化,Si(热氧化)/

Si(热氧化)

TEOS / TEOS(热氧化)

绝缘体锗(GeOI)的Si / Ge

Si/Si3N4

玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

化合物半导体:GaAs,GaP,InP

聚合物:PMMA,环烯烃聚合物


用户可以使用上述和其他材料的“**/佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)


Smart View NT键合机特征

适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置)

用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠

通用键合对准器(面对面,背面,红外和透明对准)

无需Z轴运动,也无需重新聚焦

基于Windows的用户界面

将键对对准并夹紧,然后再装入键合室

手动或全自动配置(例如:在GEMINI系统上集成)


Smart View ® NT选件

可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统,EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统


技术数据

基板/晶圆参数

尺寸:150-200、200-300毫米

厚度:0.1-5毫米

**/高堆叠高度:10毫米

自动对准

标准

处理系统

3个纸盒站(**/大200毫米)或2个FOUP加载端口(300毫米) EVG键合机软件,支持多语言,集成错误记录/报告和恢复和单个用户帐户设置,可以简化用户常规操作。

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永/久键合系统

EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来,立即在业内掀起了市场**。利用高温和受控气体环境下的高接触力,这种新颖的方法已成为当今的工艺标准,EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供**/佳的总拥有成本(TCO),并具有多种设计功能,可优化键合良率。针对MEMS,3D集成或高级封装的不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个模块。下面是EVG的键合机EVG500系列介绍。 EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。EVG610键合机可以试用吗

EVG的GEMINI FB XT集成熔融键合系统,扩展了现有标准,并拥有更高的生产率,更高的对准和涂敷精度。中国台湾三维芯片键合机

EVG ® 301技术数据

晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米

清洁系统

开室,旋转器和清洁臂

腔室:由PP或PFA制成(可选)

清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5秒内)

超音速喷嘴

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:30-60 W

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效清洁区域:Ø4.0 mm

材质:聚四氟乙烯


兆声区域传感器

频率:1 MHz(3 MHz选件)

输出功率:**/大 2.5 W /cm²有效面积(**/大输出200 W)

去离子水流量:**/高1.5升/分钟

有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性

材质:不锈钢和蓝宝石


刷子

材质:PVA

可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)


可调参数(刷压缩,介质分配)


中国台湾三维芯片键合机

岱美仪器技术服务(上海)有限公司创建于2002-02-07,注册资金 100-200万元,是一家专注磁记录、半导体、光通讯生产及测试仪器的批发、进出口、佣金代理(拍卖除外)及其相关配套服务,国际贸易、转口贸易,商务信息咨询服务 的公司。公司目前拥有高技术人才11~50人人,以不断增强企业核心竞争力,加快企业技术创新,实现稳健生产经营。公司以诚信为本,业务领域涵盖[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ],我们本着对客户负责,对员工负责,更是对公司发展负责的态度,争取做到让每位客户满意。公司凭着雄厚的技术力量、饱满的工作态度、扎实的工作作风、良好的职业道德,树立了优良的[ "半导体工艺设备", "半导体测量设备", "光刻机 键合机", "膜厚测量仪" ]形象,赢得了社会各界的信任和认可。

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