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失效分析基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • FAI
  • 型号
  • FAI
  • 是否定制
失效分析企业商机

我们专有的整套的Crystal Vision软件,它的设计基于容易使用操作,强大的功能同时可以控制所有的硬件和变量分析。客户在初购买时可以选择其中几个模块,当以后的工作需要时可以在其基础上继续增加应用模块。 我们的参数界面是一个模块,用户使用这个模块可以使电子触发信号和图像捕捉保持同步。 由于我们的客户不断发展新产品和新技术,所以失效分析技术的发展能够与其保持同步是至关重要的。FAI的***的硬件和软件模块为我们的设备提供了预见性的功能模块, 使得使用我们机器的用户能够享受设备升级带来的好处。 比如激光技术和LED技术的升级,允许我们加宽光源范围,将全部波长的光谱应用于样品正面和背面检查。贵州智能失效分析欢迎来电

苏州兰博斯特电子科技公司正式成立于2015年4月,位于风景秀丽的金鸡湖畔。 我们致力于引进欧美先进的电子技术、研发分析技术和**测试技术。我们代理和销售电子、半导体、新能源等行业的生产及测试设备,失效分析设备仪器。如:美国MACCOR电池测试仪,**测试仪,EMMI微光显微镜,热阻特性测试仪,激光开封机,化学开封机,机械开封机,桌面型温控仪等。 尤其在新能源测试和失效分析等方面,我们有着专业的销售和技术支持服务团队,相关产品遍布国内各大质量**企业和高等院校以及****、航空、航天等科研院所。 我们为广大客户提供着质量、快捷、专业的测试(ICT,**测试,FCT)、失效分析等解决方案及技术支持!赢得了广大客户的信赖和支持!贵州进口失效分析制造厂家

案例分析: 背景: 器件检测后发现在VDD和ADIO引脚之间大约有2K的泄漏。 分析总结:在核实FAI参数界面的泄漏报告后,此器件通过使用几项分析技术确定原因和缺点状况。下面描述了三种测试技术。 InGaAs:在室温下检测到微小泄漏。获得的数据是热点而不是重组的。 FMI:用波长385纳米的紫外线光源。FAI参数界面提供失效点的完整图片。 SIFT:用1480纳米波长的光源扫描完整芯片,发现失效区域在芯片一角,定位在失效区域进一步扫描发现失效点。 结论:使用FMI, SIFT and Thermal IR明显的确认该部件有一个热的不稳定的短路点。基于FMI结果确定失效点位于表层下接近层金属。

针对元件的漏电失效模式,EMMI(微光显微镜)是必不可少的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有绝缘缺点,或者经过外界静击穿穿,均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电状态下,内部形成流动电流,漏电位置的电子会发生迁移,形成电能向光能的转化,即电能以光能的方式释放,通过红外显微镜探测到这些释放出来的红外线,来定位件的漏电位置点。 微光显微镜是元器件分析过程中针对漏电失效模式,必不可少的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有绝缘缺点,或者期间经过外界静击穿穿,均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电得状态下,内部形成流动电流,漏电位置的电子会发生迁移,形成电能向光能的转化,即电能以光能的方式释放,从而形成200nm~1700nm红外线。微光射显微镜主要利用红外线探测器,探测到这些释放出来的红外线,从而准确的定位件的漏电点。

半导体器件和电路制造技术飞速发展,器件特征尺寸不断下降,而集成度不断上升。这两方面的变化都给失效缺点定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。对于半导体失效分析(FA)而言,微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率高的分析工具。微光显微镜其高灵敏度的侦测能力,可侦测到半导体组件中电子-电洞对再结合时所发射出来的光线,能侦测到的波长约在350nm ~ 1100nm 左右。 它可以***的应用于侦测IC 中各种组件缺点所产生的漏电流,如: Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。 苏州兰博斯特电子科技有限公司代理的美国FAI生产的EMMI配备了深度制冷CCD和InGaAs相机,而且可以扩展激光诱导和荧光微热处理,真正实现了漏电和短路的全检测,做到了一机多用。贵州进口失效分析制造厂家

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