临时键合系统
临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程，这对于3D IC，功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板（例如化合物半导体）非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上，从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后，将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现，该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号：EVG805解键合系统；EVG820涂敷系统；EVG850TB临时键合系统；EVG850DB自动解键合系统。 业内主流键合机使用工艺：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。山东键合机有谁在用
EVG ® 501
晶圆键合系统
适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合系统
特色
技术数据
EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从单个芯片到150 mm（200 mm键合室为200
mm）的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性是大学，研发机构或小批量生产的理想选择。EVG大批量制造工具（例如EVG GEMINI）上的键合室设计相同，键合程序易于转移，可轻松扩大生产规模。 吉林价格怎么样键合机EVG键合机的特征有：压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。
EVG ® 501键合机特征
独特的压力和温度均匀性
兼容EVG机械和光学对准器
灵活的研究设计和配置
从单芯片到晶圆
各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）
可选的涡轮泵（<1E-5mbar）
可升级用于阳极键合
开室设计，易于转换和维护
兼容试生产，适合于学校、研究所等
开室设计，易于转换和维护
200 mm键合系统的**小占地面积：0.8
平方米
程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容
EVG ® 501键合机技术数据
**/大接触力为20kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准：0.1毫巴
可选：1E-5 mbar
熔融和混合键合系统
熔融或直接晶圆键合可通过每个晶圆表面上的介电层永/久连接，该介电层用于工程衬底或层转移应用，例如背面照明的CMOS图像传感器。
混合键合扩展了与键合界面中嵌入的金属焊盘的熔融键合，从而允许晶片面对面连接。混合绑定的主要应用是高级3D设备堆叠。
EVG的熔融和混合键合设备包含：EVG301单晶圆清洗系统；EVG320自动化单晶圆清洗系统；EVG810 LT低温等离子激/活系统；EVG850 LT SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统；EVG850 SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统；GEMINI FB自动化生产晶圆键合系统；BONDSCALE自动化熔融键合生产系统。 EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。
EVG ® 320自动化单晶圆清洗系统
用途：自动单晶片清洗系统，可有效去除颗粒
特色
技术数据
EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外，配置选项还包括兆频，刷子和稀释的化学药品清洗。
特征
多达四个清洁站
全自动盒带间或FOUP到FOUP处理
可进行双面清洁的边缘处理（可选）
使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁
先进的远程诊断
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程 EVG键合机晶圆加工服务包含如下： ComBond® - 硅和化合物半导体的导电键合、等离子活化直接键合。西藏键合机键合精度
在不需重新配置硬件的情况下，EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB（硅的直接键合）预键合。山东键合机有谁在用
GEMINI ® FB特征
新的Smart View ® NT3面-面结合对准具有亚50纳米晶片到晶片的对准精度
多达六个预处理模块，例如：
清洁模块
LowTemp™等离子激/活模块
对准验证模块
解键合模块
XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现**/高吞吐量
可选功能：
解键合模块
热压键合模块
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
200、300毫米
**/高处理模块数：6 +的Smart View
® NT
可选功能：
解键合模块
热压键合模块
EVG的GEMINI FB XT集成熔融键合系统，扩展了现有标准，并拥有更高的生产率，更高的对准和涂敷精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统采用了新的Smart View NT3键合对准器，该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。
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